常州光刻胶生产线项目可行性研究报告.docx

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1、常州光刻胶生产线项目可行性研究报告规划设计/投资分析/产业运营报告摘要说明光刻胶是电子领域微细图形加工的关键性材料,在半导体、LCD、PCB等行业的生产中具有重要作用。光刻胶是利用光化学反应,经光刻工艺将所需要的微细图形从掩膜板转移到代加工基片上的图形转移介质,是光电信息产业的微细图形线路加工制作的关键性材料。光刻胶又称光致抗蚀剂,是一种对光敏感的混合液体。其组成部分包括:光引发剂(包括光增感剂、光致产酸剂)、光刻胶树脂、单体、溶剂和其他助剂。光刻胶可以通过光化学反应,经曝光、显影等光刻工序将所需要的微细图形从光罩(掩模版)转移到待加工基片上。依据使用场景,这里的待加工基片可以是集成电路材料,

2、显示面板材料或者印刷电路板。该光刻胶项目计划总投资16011.19万元,其中:固定资产投资13904.30万元,占项目总投资的86.84%;流动资金2106.89万元,占项目总投资的13.16%。本期项目达产年营业收入19398.00万元,总成本费用15213.68万元,税金及附加289.85万元,利润总额4184.32万元,利税总额5051.32万元,税后净利润3138.24万元,达产年纳税总额1913.08万元;达产年投资利润率26.13%,投资利税率31.55%,投资回报率19.60%,全部投资回收期6.60年,提供就业职位364个。光刻胶决定芯片的最小特征尺寸。在大规模集成电路的制造过

3、程中,光刻和刻蚀技术是精细线路图形加工中最重要的工艺,其中光刻加工分辨率直接关系到芯片特征尺寸大小,而光刻胶的性能关系到光刻分辨率的大小(光的干涉和衍射效应)。决定着芯片的最小特征尺寸,占芯片制造时间的40-50%,占制造成本的30%。比如一块半导体芯片在制造过程中需要进行10-50道光刻过程,由于基板不同、分辨率要求不同、蚀刻方式不同等,不同的光刻过程对光刻胶的具体要求也不一样,即使类似的光刻过程,不同的厂商也会有不同的要求。目前,在显示面板行业中,光刻胶主要应用于TFT-LCD阵列制造,滤光片制造和触摸屏制造三个应用领域。其中,TFT-LCD阵列和滤光片都是LCD面板结构的组成部分,触摸屏

4、则是以触摸控制为目的的功能单元。常州光刻胶生产线项目可行性研究报告目录第一章 项目总论第二章 市场分析第三章 主要建设内容与建设方案第五章 土建工程第六章 公用工程第七章 原辅材料供应第八章 工艺技术方案第九章 项目平面布置第十章 环境保护第十一章 项目职业安全第十二章 风险性分析第十三章 节能分析第十四章 项目计划安排第十五章 投资规划第十六章 项目经营效益第十七章 项目招投标方案附表1:主要经济指标一览表附表2:土建工程投资一览表附表3:节能分析一览表附表4:项目建设进度一览表附表5:人力资源配置一览表附表6:固定资产投资估算表附表7:流动资金投资估算表附表8:总投资构成估算表附表9:营业

5、收入税金及附加和增值税估算表附表10:折旧及摊销一览表附表11:总成本费用估算一览表附表12:利润及利润分配表附表13:盈利能力分析一览表第一章 项目总论一、项目建设背景光刻胶决定芯片的最小特征尺寸。在大规模集成电路的制造过程中,光刻和刻蚀技术是精细线路图形加工中最重要的工艺,其中光刻加工分辨率直接关系到芯片特征尺寸大小,而光刻胶的性能关系到光刻分辨率的大小(光的干涉和衍射效应)。决定着芯片的最小特征尺寸,占芯片制造时间的40-50%,占制造成本的30%。比如一块半导体芯片在制造过程中需要进行10-50道光刻过程,由于基板不同、分辨率要求不同、蚀刻方式不同等,不同的光刻过程对光刻胶的具体要求也

6、不一样,即使类似的光刻过程,不同的厂商也会有不同的要求。光刻胶分辨率随IC集成度提高而提高。半导体光刻胶随着市场对半导体产品小型化、功能多样化的要求,而不断通过缩短曝光波长提高极限分辨率,从而达到集成电路更高密度的集积。目前光刻胶根据使用的不同波长的曝光光源分类,波长由紫外宽谱向线(436nm)线(365nm)KrF(248nm)ArF(193nm)F2(157nm)方向转移。不同波长的光刻胶用途、材料也大不相同。另外20世纪80年代以前,负胶一直在光刻工艺中占据主导地位,随着集成电路与2-5um图形尺寸范围的出现使得正胶在分辨率优势逐步凸显,目前来看对于小尺寸图像领域正胶占据绝大部分市场份额

7、。半导体随着晶圆厂扩产2020年市场规模约为25亿元。2015年国内半导体光刻胶市场规模假设为10亿元,随着半导体存储、功率等器具的发展以及未来三年本土26座晶圆厂的落地,将有力带动上游光刻胶需求,我们预计未来2016-2020年国内半导体光刻胶市场将保持18-20%增速(2011-2015国内半导体光刻胶GAGR=13.6%),则2020年全国半导体光刻胶市场规模将达到24.8亿元复合增速近20%。光刻胶主要制作彩色滤光片用光刻胶。TFT-LCD是由两片偏光板,两片玻璃,中间加上液晶,另外再加上背光源组成的。液晶显示器里还有一片很多电晶体的玻璃,一片有红绿蓝(R.G.B)三种颜色的彩色滤光片

8、及背光源,例如当屏幕显示蓝色的时候,有电晶体的玻璃就会发出讯号。只让蓝光可以穿透彩色滤光片,而将红色光及红色光留在显示器里面,这样我们在显示器上就只能看到蓝色的光。TFT-LCD制程分阵列、组立和模组,其中LCD中光刻胶主要用在制程工序在原始玻璃上制作电晶体的图案,类似半导体中的坚膜、清洗、曝光、显影、蚀刻、脱膜、检测等工序,主要制作彩色光刻胶及黑色光刻胶、LCD衬垫料光刻胶、TFT配线用光刻胶等。新增高世代线面板产能持续促进面板光刻胶需求。随着全球高世代线陆续投产,面板出货面积有所增长,对上游面板光刻胶需求稳定增长,全球2015年面板光刻胶市场规模突破19.57亿美元,假设复合增速约为4%,

9、则全球光刻胶预计2020年将达到23.7亿美元,2016年我国面板产能占全球比重为26%,随着京东方等十数家国产厂商扩产项目陆续投产,预计2020年我国面板产能占比有望提升至42%以上,则整体国内市场规模有望达到10.2亿美元约66.3亿元,复合增速25%。光刻胶广泛应用于印刷电路板的设计与加工中。PCB光刻胶主要包括干膜光刻胶、湿膜光刻胶和光成像阻焊油墨。PCB光刻胶市场稳定增长。2015年全球PCB光刻胶市场规模达18亿美元,从地域结构来看,随着外资企业将产能迁至中国,国内供应商逐步掌握了PCB油墨关键原材料合成树脂的合成技术,有效降低了产品成本,形成较为明显的价格竞争优势,2015年中国

10、PCB光刻胶产值占全球比重约70%,达12.6亿美金(约70亿元)。随着PCB板向高密度、高精度、多层化发展,对于PCB光刻胶的质与量的要求会越来越高,预计PCB光刻胶未来增速会超过PCB板行业增速(2015-2020年期间,国际市场预测为3.2%),若按4%复合增速来算,预计到2020年国内PCB光刻胶行业将达到85亿元规模。二、报告编制依据1、产业结构调整指导目录。2、建设项目经济评价方法与参数(第三版)。3、建设项目经济评价细则(2010年本)。4、国家现行和有关政策、法规和标准等。5、项目承办单位现场勘察及市场调查收集的有关资料。6、其他有关资料。三、项目名称常州光刻胶生产线项目四、项

11、目承办单位xxx有限责任公司五、项目选址及用地综述(一)项目选址方案项目选址位于某某经济示范区,地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,建设条件良好。常州,简称常,别称龙城,是江苏省地级市,国务院批复确定的中国长江三角洲地区中心城市之一、先进制造业基地和文化旅游名城。截至2018年,全市下辖5个区、代管1个县级市,总面积4375平方千米,建成区面积261平方千米,常住人口472.9万人,城镇人口342.8万人,城镇化率72.5%。常州地处中国华东地区、江苏南部,是扬子江城市群重要组成部分,北濒长江、东临太湖、西倚茅山、南扼天目山麓;与上海、南京两大城市等距相望。常州市

12、属长江下游平原,兼有高沙平原和山丘湖圩,属于北亚热带季风气候。有圩墩新石器遗址、春秋淹城、天宁寺、红梅阁、文笔塔、藤花旧馆、舣舟亭、太平天国护王府、瞿秋白纪念馆、中华恐龙园、天目湖、金坛茅山风景区、嬉戏谷、东方盐湖城、华夏宝盛园等景点。常州是一座有着3200多年历史的文化古城;春秋末期(前547年),吴王寿梦第四子季札封邑延陵,开始了长达2500多年有准确纪年和确切地名的历史。西汉高祖五年(前202年)改称毗陵。西晋武帝太康二年(281年),改置毗陵郡。自此,常州历朝均为郡、州、路、府治所,曾有过延陵、毗陵、毗坛、晋陵、长春、尝州、武进等名称,隋文帝开皇九年(589年)始有常州之称。2019年

13、,常州市实现地区生产总值(GD)7400.9亿元,按可比价计算增长6.8%,增速高出全省平均水平0.7个百分点。(二)项目用地规模项目总用地面积55147.56平方米(折合约82.68亩),土地综合利用率100.00%;项目建设遵循“合理和集约用地”的原则,按照光刻胶行业生产规范和要求进行科学设计、合理布局,符合规划建设要求。六、土建工程建设指标项目净用地面积55147.56平方米,建筑物基底占地面积42022.44平方米,总建筑面积60110.84平方米,其中:规划建设主体工程36458.88平方米,项目规划绿化面积4524.72平方米。七、产品规划方案根据项目建设规划,达产年产品规划设计方

14、案为:光刻胶xxx单位/年。综合考xxx有限责任公司企业发展战略、产品市场定位、资金筹措能力、产能发展需要、技术条件、销售渠道和策略、管理经验以及相应配套设备、人员素质以及项目所在地建设条件与运输条件、xxx有限责任公司的投资能力和原辅材料的供应保障能力等诸多因素,项目按照规模化、流水线生产方式布局,本着“循序渐进、量入而出”原则提出产能发展目标。八、投资估算及经济效益分析(一)项目总投资及资金构成项目预计总投资16011.19万元,其中:固定资产投资13904.30万元,占项目总投资的86.84%;流动资金2106.89万元,占项目总投资的13.16%。(二)资金筹措该项目现阶段投资均由企业

15、自筹。(三)项目预期经济效益规划目标项目预期达产年营业收入19398.00万元,总成本费用15213.68万元,税金及附加289.85万元,利润总额4184.32万元,利税总额5051.32万元,税后净利润3138.24万元,达产年纳税总额1913.08万元;达产年投资利润率26.13%,投资利税率31.55%,投资回报率19.60%,全部投资回收期6.60年,提供就业职位364个。九、项目建设单位基本情况(一)公司概况展望未来,公司将围绕企业发展目标的实现,在“梦想、责任、忠诚、一流”核心价值观的指引下,围绕业务体系、管控体系和人才队伍体系重塑,推动体制机制改革和管理及业务模式的创新,加强团

16、队能力建设,提升核心竞争力,努力把公司打造成为国内一流的供应链管理平台。公司拥有优秀的管理团队和较高的员工素质,在职员工约600人,80%以上为技术及管理人员,85%以上人员有大专以上学历。公司通过了ISO质量管理体系认证,并严格按照上述管理体系的要求对研发、采购、生产和销售等过程进行管理,同时以客户提出的品质要求为基础,建立了完整的产品质量控制体系,保证产品质量的优质、稳定。公司生产运营过程中,始终坚持以效益为中心,突出业绩导向,全面推行内部市场化运作模式,不断健全完善全面预算管理体系及考评机制,把全面预算管理贯穿于生产经营活动的各个环节。通过强化预算执行过程管控和绩效考核,对生产经营过程实

17、施全方位精细化管理,有效控制了产品生产成本;着力推进生产控制自动化与经营管理信息化的深度融合,提高了生产和管理效率,优化了员工配置,降低了人力资源成本;坚持问题导向,不断优化工艺技术指标,强化技术攻关,积极推广应用新技术、新工艺、新材料、新装备,原料转化率稳步提高,降低了原料成本及能源消耗,产品成本优势明显。(二)公司经济效益分析上一年度,xxx集团实现营业收入20971.29万元,同比增长31.22%(4989.53万元)。其中,主营业业务光刻胶生产及销售收入为18218.94万元,占营业总收入的86.88%。根据初步统计测算,公司实现利润总额4340.90万元,较去年同期相比增长630.6

18、7万元,增长率17.00%;实现净利润3255.67万元,较去年同期相比增长383.94万元,增长率13.37%。十、主要经济指标主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积平方米55147.5682.68亩1.1容积率1.091.2建筑系数76.20%1.3投资强度万元/亩168.171.4基底面积平方米42022.441.5总建筑面积平方米60110.841.6绿化面积平方米4524.72绿化率7.53%2总投资万元16011.192.1固定资产投资万元13904.302.1.1土建工程投资万元4874.462.1.1.1土建工程投资占比万元30.44%2.1.2设备投资万元6883.

19、892.1.2.1设备投资占比42.99%2.1.3其它投资万元2145.952.1.3.1其它投资占比13.40%2.1.4固定资产投资占比86.84%2.2流动资金万元2106.892.2.1流动资金占比13.16%3收入万元19398.004总成本万元15213.685利润总额万元4184.326净利润万元3138.247所得税万元1.098增值税万元577.159税金及附加万元289.8510纳税总额万元1913.0811利税总额万元5051.3212投资利润率26.13%13投资利税率31.55%14投资回报率19.60%15回收期年6.6016设备数量台(套)18117年用电量千瓦

20、时428880.1918年用水量立方米19653.1219总能耗吨标准煤54.3920节能率25.22%21节能量吨标准煤16.2522员工数量人364第二章 市场分析一、光刻胶行业发展概况光刻胶是电子领域微细图形加工的关键性材料,在半导体、LCD、PCB等行业的生产中具有重要作用。光刻胶是利用光化学反应,经光刻工艺将所需要的微细图形从掩膜板转移到代加工基片上的图形转移介质,是光电信息产业的微细图形线路加工制作的关键性材料。按照下游应用,光刻胶可分为半导体用光刻胶、LCD用光刻胶、PCB用光刻胶等,其技术壁垒依次降低。相应地,PCB光刻胶是目前国产替代进度最快的,LCD光刻胶替代进度相对较快,

21、半导体光刻胶目前国产技术较国外先进技术差距最大。随着电子信息产业发展的突飞猛进,光刻胶市场总需求不断提升。2019年全球光刻胶市场规模预计近90亿美元,自2010年至今CAGR约5.4%,预计未来3年仍以年均5%的速度增长,预计至2022年全球光刻胶市场规模将超过100亿美元。中国光刻胶市场需求增速高于国际平均,但中国本土供应量在全球的占比仅有10%左右,发展空间巨大。受益半导体、显示面板、PCB产业东移的趋势,2019年我国光刻胶市场本土供应量约70亿元,自2011年至今CAGR达到11%,远高于全球平均5%的增速,但市场规模全球占比仅为10%左右,发展空间巨大。全球市场中,半导体、LCD、

22、PCB用光刻胶的供应结构较为均衡;但中国市场中,本土供应以PCB用光刻胶为主,LCD、半导体用光刻胶供应量占比极低。由于极高的行业壁垒,全球光刻胶行业呈现寡头垄断格局,长年被日本、欧美专业公司垄断。目前前五大厂商占据了全球光刻胶市场87%的份额,行业集中度较高。其中,日本JSR、东京应化、日本信越与富士电子材料市占率加和达到72%。半导体是光刻胶最重要的应用领域。光刻和刻蚀技术是半导体芯片在精细线路图形加工中最重要的工艺,决定着芯片的最小特征尺寸。光刻工艺的成本约为整个芯片制造工艺的30%,耗时约占整个芯片工艺的40%50%,是芯片制造中最核心的工艺。光刻胶及其配套化学品在芯片制造材料成本中的

23、占比高达12%,是继硅片、电子气体的第三大IC制造材料。光刻胶市场需求快速增长。随着半导体线路图形越来越小,光刻工艺对光刻胶的需求量也越来越大。2018年全球半导体用光刻胶市场规模约13亿美元,预计未来5年年均增速约8%10%;中国半导体用光刻胶市场规模约23亿元人民币,预计未来5年年均增速约10%。PCB光刻胶主要品种有干膜光刻胶、湿膜光刻胶(又称液态光致抗蚀剂、线路油墨)、光成像阻焊油墨等。湿膜性能优于干膜,未来湿膜光刻胶有望逐步替代干膜光刻胶。湿膜相比干膜具有高精度、低成本的优势,容易得到高分辨率,满足PCB高性能的要求。PCB行业成本中,光刻胶及油墨的占比约35%。全球PCB光刻胶市场

24、规模在20亿美元左右,中国市场规模占比达50%以上。随着PCB光刻胶外企东移和内资企业的不断发展,中国已成为全球最大的PCB光刻胶生产基地。PCB光刻胶全球市场行业集中度较高。干膜光刻胶方面,台湾长兴化学、日本旭化成、日本日立化成三家公司就占据了全球80%以上的市场份额;光成像阻焊油墨方面,日本太阳油墨占据全球60%左右的市场份额,前十家公司合计占据全球80%以上的市场份额。国内市场中,PCB光刻胶的国产化渗透率较高,中国内资企业已在国内PCB市场中占据50%以上的市场份额。PCB光刻胶技术壁垒较低,国内市场中,容大感光、广信材料、东方材料、北京力拓达等内资企业已占据国内50%左右的湿膜光刻胶

25、和光成像阻焊油墨市场份额。国内企业中,飞凯材料、容大感光、广信材料等已有相应PCB光刻胶产品投产。LCD光刻胶全球市场规模约23亿美元,其中中国市场规模约9亿美元。2019年全球LCD用光刻胶市场规模约23亿美元,过去5年平均增速在4%左右,预计未来3年增速也在4%左右。2019年中国LCD面板产能占全球比重已达40%左右,据此测算中国LCD光刻胶市场规模约9亿美元。LCD光刻胶的全球供应集中在日本、韩国、中国台湾等地区,海外企业市占率超过90%。彩色滤光片所需的高分子颜料和颜料的分散技术主要集中在Ciba等日本颜料厂商手中,因此彩色光刻胶和黑色光刻胶的核心技术基本被日本和韩国企业垄断。由于光

26、刻胶用于微米级甚至纳米级图形加工,光刻胶产品需要严格控制质量。光刻胶及其专用化学品的化学结构特殊,品质要求高,微粒子及金属离子含量极低,生产工艺复杂,其研发和生产具有较高的技术门槛。光刻胶的品种非常多,针对不同应用需求,通过调整光刻胶的配方,满足差异化的应用需求,是光刻胶制造商最核心的技术。光刻胶需要有相应的光刻机与之配对调试,资金壁垒较高。目前全球光刻机核心技术处于垄断状态,只有荷兰ASML公司可制造EUV光刻机,售价超过1亿欧元;而技术水平稍低的DUV光刻机,售价为20005000万美元;目前国内只有一家企业可制造光刻机,且技术等级较低。光刻胶企业存在较高的资金壁垒,相对于国内厂商,国外光

27、刻胶厂商的公司规模更大,具有资金和技术优势,供应产品齐全,光刻胶种类丰富,同时有着较为全面的配套化学品,方便下游客户采购和共同研发合作。二、光刻胶市场分析预测目前,在显示面板行业中,光刻胶主要应用于TFT-LCD阵列制造,滤光片制造和触摸屏制造三个应用领域。其中,TFT-LCD阵列和滤光片都是LCD面板结构的组成部分,触摸屏则是以触摸控制为目的的功能单元。TFT-LCD技术利用半导体精确控制显示效果。TFT(ThinFilmTransistor)LCD即薄膜晶体管LCD,是有源矩阵类型液晶显示器(AM-LCD)中的一种。TFT-LCD的主要特点是为每个原色像素点都配臵了一个半导体开关器件。通过

28、控制TFT单元的电极电压,就可以使对应像三原色像素点上的透光率发生变化。这样,每种原色像素点的灰度都可以得到精确的控制。若每个原色像素点可以有255个灰度阶数,那么三原色像素点就可以构成一千六百多万种颜色。这是TFT-LCD也被称为“真彩”屏幕技术的原因之一。由于TFT-LCD每个像素点都相对独立,并可以进行连续控制,所以这样的设计方法还提高了显示屏的反应速度。TFT-LCD阵列制造与半导体制造存在共通之处。TFT阵列由一系列半导体三极管控制器组成。在玻璃面板上通过沉积,光刻和刻蚀流程制造TFT三极管的过程与在集成电路上制造三极管的过程十分相似。因此在光刻胶的使用上,TFT阵列构造与集成电路制

29、造有共通的地方。其主要区别在于,TFT阵列的结构比较简单且标准化,以及TFT阵列对于尺寸的要求比先进集成电路低很多。因此一般g-line光刻胶就可以满足要求。TFT阵列正胶也是在中国首先得到发展的光刻胶产品之一。在触摸屏应用中,光刻工艺用于ITOsensor的制造。ITO是一种N型氧化物半导体-氧化铟锡;将ITO材料按照特定的图案,涂在玻璃或者Film上,然后贴在一层厚的保护玻璃上,就得到了ITOsensor。ITOsensor是触摸屏的重要组成部分。触摸屏通过ITOsensor与ITOsensor之间的电容变化(双层ITO感应电容)或者ITOsensor与触摸屏幕的人体部位之间构成的电容变化

30、(单层ITO表面电容)来感知触摸动作,并进而做出相对应的反应。触摸屏中ITO结构的制造需要以氧化铟锡半导体材料在基底上构造出一定的图案,因此光刻和光刻胶技术在这个过程当中同样是必不可少的。PCB光刻胶材料分为干膜光刻胶、湿膜光刻胶干膜与感光油墨。二者的用途都是把底板上的线路布局图形转移到铜箔基底上,完成印刷电路板的“印刷”过程。其区别主要在于涂敷的方式。湿膜光刻胶直接以液态的形式涂敷在待加工基材的表面;干膜光刻胶则是由预先配制好的液态光刻胶涂布在载体薄膜上,经处理形成固态光刻胶薄膜后在被直接贴附到待加工基材上。PCB用干膜与湿膜光刻胶各有特点。从总体上来说,湿膜具有分辨率高,成本低廉,显影与刻

31、蚀速度更快等优势。因此,在PCB应用中,湿膜光刻胶正逐渐实现对干膜光刻胶的替代。但是干膜光刻胶在特定应用场景下具有湿膜光刻胶不具备的特点。比如在淹孔加工场景中,湿膜光刻胶会浸没基材上的孔洞,造成后期加工和清理的不便。而干膜光刻胶就不存在这个问题。PCB加工所用的油墨主要分三类:线路油墨、阻焊油墨、字符油墨。线路油墨可以作为防止PCB线路被腐蚀的保护层,在蚀刻工艺中保护线路。线路油墨一般是液态感光型的;阻焊油墨可以在PCB线路加工完成后涂在线路上作为保护层。阻焊油墨可以具有液态感光,热固化,或者紫外线硬化的性质。通过在PCB板上保留焊盘,阻焊油墨可以方便之后的元件焊接,起到绝缘防氧化的作用。字符

32、油墨就是用来做板子表面的标示的,比如标上元器件符号,一般不需要具备感光性质。全球光刻胶市场规模持续增长。2015全球光刻胶市场规模大概在73.6亿美金左右,光刻胶下游应用主要为三大领域:TFT-LCD显示、PCB、集成电路,其中PCB光刻胶占比24.5%,LCD光刻胶占比26.6%,半导体光刻胶占比24.1%,其他类光刻胶占比24.8%。而具体中国市场近100亿元,其中PCB市场接近70亿元,平板显示领域15-16亿元,半导体领域8-10亿元。国内市场预计整体每年保持10-15%的增长,消费总量占据全球消费量约15%左右,光刻胶国产化水平严重不足,重点技术差距在半导体行业,有2-3代差距,随着

33、下游半导体行业、LED及平板显示行业的快速发展,未来国内光刻胶产品国产化替代空间较大。二、光刻胶行业发展趋势分析光刻胶又称光致抗蚀剂,是一种对光敏感的混合液体。其组成部分包括:光引发剂(包括光增感剂、光致产酸剂)、光刻胶树脂、单体、溶剂和其他助剂。光刻胶可以通过光化学反应,经曝光、显影等光刻工序将所需要的微细图形从光罩(掩模版)转移到待加工基片上。依据使用场景,这里的待加工基片可以是集成电路材料,显示面板材料或者印刷电路板。2019年全球光刻胶市场规模预计近90亿美元,自2010年至今CAGR约5.4%。预计该市场未来3年仍将以年均5%的速度增长,至2022年全球光刻胶市场规模将超过100亿美

34、元。光刻胶按应用领域分类,可分为PCB光刻胶、显示面板光刻胶、半导体光刻胶及其他光刻胶。全球市场上不同种类光刻胶的市场结构较为均衡。受益于半导体、显示面板、PCB产业东移的趋势,自2011年至今,光刻胶中国本土供应规模年华增长率达到11%,高于全球平均5%的增速。2019年中国光刻胶市场本土企业销售规模约70亿元,全球占比约10%,发展空间巨大。目前,中国本土光刻胶以PCB用光刻胶为主,平板显示、半导体用光刻胶供应量占比极低。在平板显示行业;主要使用的光刻胶有彩色及黑色光刻胶、LCD触摸屏用光刻胶、TFT-LCD正性光刻胶等。在光刻和蚀刻生产环节中,光刻胶涂覆于晶体薄膜表面,经曝光、显影和蚀刻

35、等工序将光罩(掩膜版)上的图形转移到薄膜上,形成与掩膜版对应的几何图形。在PCB行业;主要使用的光刻胶有干膜光刻胶、湿膜光刻胶、感光阻焊油墨等。干膜是用特殊的薄膜贴在处理后的敷铜板上,进行曝光显影;湿膜和光成像阻焊油墨则是涂布在敷铜板上,待其干燥后进行曝光显影。干膜与湿膜各有优势,总体来说湿膜光刻胶分辨率高于干膜,价格更低廉,正在对干膜光刻胶的部分市场进行替代。在半导体集成电路制造行业;主要使用g线光刻胶、i线光刻胶、KrF光刻胶、ArF光刻胶等。在大规模集成电路的制造过程中,一般要对硅片进行超过十次光刻。在每次的光刻和刻蚀工艺中,光刻胶都要通过预烘、涂胶、前烘、对准、曝光、后烘、显影和蚀刻等

36、环节,将光罩(掩膜版)上的图形转移到硅片上。光刻胶是集成电路制造的重要材料:光刻胶的质量和性能是影响集成电路性能、成品率及可靠性的关键因素。光刻工艺的成本约为整个芯片制造工艺的35%,并且耗费时间约占整个芯片工艺的40%-50%。光刻胶材料约占IC制造材料总成本的4%,市场巨大。因此光刻胶是半导体集成电路制造的核心材料。按显示效果分类;光刻胶可分为正性光刻胶和负性光刻胶。负性光刻胶显影时形成的图形与光罩(掩膜版)相反;正性光刻胶形成的图形与掩膜版相同。两者的生产工艺流程基本一致,区别在于主要原材料不同。按照化学结构分类;光刻胶可以分为光聚合型,光分解型,光交联型和化学放大型。光聚合型光刻胶采用

37、烯类单体,在光作用下生成自由基,进一步引发单体聚合,最后生成聚合物;光分解型光刻胶,采用含有重氮醌类化合物(DQN)材料作为感光剂,其经光照后,发生光分解反应,可以制成正性光刻胶;光交联型光刻胶采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,形成一种不溶性的网状结构,而起到抗蚀作用,可以制成负性光刻胶。在半导体集成电路光刻技术开始使用深紫外(DUV)光源以后,化学放大(CAR)技术逐渐成为行业应用的主流。在化学放大光刻胶技术中,树脂是具有化学基团保护因而难以溶解的聚乙烯。化学放大光刻胶使用光致酸剂(PAG)作为光引发剂。当光刻胶曝光后,曝光区域的光致酸剂(PAG)将会产生一种酸。这种酸在后热

38、烘培工序期间作为催化剂,将会移除树脂的保护基团从而使得树脂变得易于溶解。化学放大光刻胶曝光速递是DQN光刻胶的10倍,对深紫外光源具有良好的光学敏感性,同时具有高对比度,对高分辨率等优点。按照曝光波长分类;光刻胶可分为紫外光刻胶(300-450nm)、深紫外光刻胶(160-280nm)、极紫外光刻胶(EUV,13.5nm)、电子束光刻胶、离子束光刻胶、X射线光刻胶等。不同曝光波长的光刻胶,其适用的光刻极限分辨率不同。通常来说,在使用工艺方法一致的情况下,波长越短,加工分辨率越佳。第三章 主要建设内容与建设方案一、主要建设内容与规模(一)主要建设内容1、该项目总征地面积55147.56平方米(折

39、合约82.68亩),其中:净用地面积55147.56平方米(红线范围折合约82.68亩)。项目规划总建筑面积60110.84平方米,其中:规划建设主体工程36458.88平方米,计容建筑面积60110.84平方米;预计建筑工程投资4874.46万元。2、配套建设相应的公用辅助工程设施。3、购置主要生产工艺设备,组建相关的生产车间及生产经营管理部门。4、对生产过程中产生的废气、废水、噪声、固废等进行有效治理。(二)项目土建工程方案1、该项目主要土建工程包括:生产工程、辅助生产工程、公用工程、总图工程、服务性工程(办公及生活)和其他工程六部分组成。主要建设内容包括:生产车间、辅助车间、仓储设施(原

40、料仓库和成品仓库)等配套工程和办公室、职工宿舍、围墙、厂区道路及绿化等。2、本期工程项目预计总建筑面积60110.84平方米,其中:计容建筑面积60110.84平方米,计划建筑工程投资4874.46万元,占项目总投资的30.44%。3、本期工程项目建设规划建筑系数76.20%,建筑容积率1.09,建设区域绿化覆盖率7.53%,固定资产投资强度168.17万元/亩。(三)设备购置方案1、该项目需购进先进的生产设备、检测设备、环保设备、安全设施及相关配套设备,设备选型遵循“性能先进、质量可靠、价格合理”的原则,需要购置生产专用设备和检测设备等先进的工艺装备,确保项目的生产及产品检验的需要。2、项目

41、拟选购国内先进的关键工艺设备和国内外先进的检测设备,预计购置安装主要设备共计181台(套),设备购置费6883.89万元。二、产品规划方案(一)产品放方案1、该项目主要从事光刻胶的生产和销售业务,根据国家有关产业政策和国内外市场对光刻胶需求预测分析,综合考虑产品市场定位、产能发展需要、资金状况、技术条件、销售渠道、销售策略、管理经验以及相应配套设备、人员素质以及项目所在地建设条件与运输条件、公司的投资能力和原辅材料的供应保障能力等诸多因素,项目按照规模化、流水线生产方式布局,本着“循序渐进、量入而出”的原则提出产能发展规划。2、项目产品主要从国家及地方产业发展政策、市场需求状况、资源供应情况、

42、企业资金筹措能力、生产工艺技术水平的先进程度、项目经济效益及投资风险性等方面综合考虑确定。该项目主要产品为光刻胶,具体品种将根据市场需求状况进行必要的调整,各年生产纲领是根据人员及装备生产能力水平,并参考市场需求预测情况确定,同时,把产量和销量视为一致,本报告将按照初步产品方案进行测算,根据确定的产品方案和建设规模及预测的光刻胶产品价格根据市场情况,确定年产量为xxx,预计年产值19398.00万元。(二)营销策略进入二十一世纪以来,随着我国国民经济的快速持续发展,经济建设提出了走新型工业化发展道路的目标,国家出台并实施了加快经济发展的一系列政策,对于相关行业来说,调整产业结构、提高管理水平、

43、筹措发展资金、参与国际分工,都将起到积极的推动作用,尤其是随着我国国民经济逐渐融入全球经济大循环,各行各业面临市场国际化,相应企业将面对极具技术优势、管理优势、品牌优势的竞争对手,市场份额将会形成新的分配格局。在今后的生产经营过程中,根据国内外市场的供求形势,积极拓宽产品营销范围,随着销售市场的不断扩大,相应扩大其生产能力,同时,适时研制开发符合市场需求的新产品,满足国内外不同市场应用领域的需要。产品方案一览表序号产品名称单位年产量年产值1光刻胶A单位xx8729.102光刻胶B单位xx4849.503光刻胶C单位xx2909.704光刻胶D单位xx1551.845光刻胶E单位xx969.90

44、6光刻胶F单位xx387.96合计单位xxx19398.00第四章 项目选址科学性分析为了认真贯彻落实国家“十分珍惜,合理利用土地和切实保护耕地”的基本国策,促进建设用地的集约利用优化配置,提高工业项目建设用地的管理水平,中华人民共和国国土资源部制定了工业项目建设用地控制指标。控制指标是对一个工业项目(或单项工程)及其配套工程在土地利用上进行控制的标准,是国土资源管理部门在建设用地预审和审批阶段核定项目用地规模的重要标准,是项目承办单位和设计部门编制项目可研报告和初步设计文件的重要依据。一、选址要求1、项目选址应符合城乡建设总体规划和工业项目占地使用规划的要求,同时具备便捷的陆路交通和方便的施

45、工场址,并且与大气污染防治、水资源和自然生态资源保护相一致。2、所选厂址应避开自然保护区、风景名胜区、生活饮用水源地和其它特别需要保护的环境敏感性目标。3、节约土地资源,充分利用空闲地、非耕地或荒地,尽可能不占良田或少占耕地。应充分利用天然地形,选择土地利用率高征地费用少的场址。4、厂址选择应提供足够的场地以满足工艺及辅助生产设施的建设需要。厂址应具备良好的生产基础条件,水源、电力、运输等生产要素供应充裕,能源供应有可靠的保障。5、厂址应靠近交通主干道,具备便利的交通条件,有利于原料和产成品的运输。通讯便捷有利于及时反馈市场信息。6、对周围环境不应产生污染或对周围环境污染不超过国家有关法律和现

46、行标准允许范围,不会引起当地居民的不满,不会造成不良的社会影响。7、项目建设方案力求在满足生产工艺、防火安全、环保卫生等要求的前提下,尽量合并建筑充分利用自然空间,坚决贯彻执行“十分珍惜和合理利用土地”的基本国策,因地制宜合理布置。对各种设施用地进行统筹安排,提高土地综合利用效率,同时,采用先进的工艺技术和设备,达到“节约能源、节约土地资源”的目的。二、项目选址及用地方案常州,简称常,别称龙城,是江苏省地级市,国务院批复确定的中国长江三角洲地区中心城市之一、先进制造业基地和文化旅游名城。截至2018年,全市下辖5个区、代管1个县级市,总面积4375平方千米,建成区面积261平方千米,常住人口4

47、72.9万人,城镇人口342.8万人,城镇化率72.5%。常州地处中国华东地区、江苏南部,是扬子江城市群重要组成部分,北濒长江、东临太湖、西倚茅山、南扼天目山麓;与上海、南京两大城市等距相望。常州市属长江下游平原,兼有高沙平原和山丘湖圩,属于北亚热带季风气候。有圩墩新石器遗址、春秋淹城、天宁寺、红梅阁、文笔塔、藤花旧馆、舣舟亭、太平天国护王府、瞿秋白纪念馆、中华恐龙园、天目湖、金坛茅山风景区、嬉戏谷、东方盐湖城、华夏宝盛园等景点。常州是一座有着3200多年历史的文化古城;春秋末期(前547年),吴王寿梦第四子季札封邑延陵,开始了长达2500多年有准确纪年和确切地名的历史。西汉高祖五年(前202年)改称毗陵。西晋武帝太康二年(

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