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1、模拟电子技术基础,北京航空航天大学仪器科学与光电工程学院,主讲：赵建辉,第二章 基本放大电路(5.场效应管放大电路分析),2.1 放大电路的概念及性能指标2.2 基本共射放大电路工作原理2.3 放大电路分析方法2.4 放大电路工作点的稳定2.5 三种基本晶体管放大电路2.6 晶体管派生放大电路2.7 场效应管放大电路,第2章 基本放大电路,本节课内容,2.3 放大电路的分析方法,重点：场效应管放大电路分析。难点：1.FET工作原理与特性曲线 1.FET等效电路 2.动态分析 3.对比分析(与BJT比较),重点难点,问题的提出:1.FET基本电路（直流Q点设置:标准电路）2.如何定量分析对比?（
2、分析方法:FET 等效模型）3.有何不同?(与BJT比较理解)（分析内容:与BJT对比分析A,Ri,Ro）,？,2.7.FET放大电路分析,复习,N沟道,P沟道,增强型(BJT类似),耗尽型,N沟道,P沟道,N沟道,（耗尽型）,分类：,P沟道,(a)转移特性；(b)输出特性,增强型,(b)输出特性,场效应管的转移特性和输出特性,P型,N型,N型和P型关系:180度奇对称,2.7.1 FET的三种接法,与BJT比较,共源(s),共漏(d),共栅(g),2.7.2 FET工作点设置及静态分析,IGS=0,基本共源电路,方法1:做图:,一、基本共源电路(以N-增强型为例,与NPN-BJT类似),静态
3、工作点Q,交点,方法2:计算:,二、自给偏压(耗尽型):,结型N沟道(耗尽型),绝缘栅N沟道耗尽型,(UGS可正可负),(UGS0),注意:必须使FET工作在恒流区,可否省略?,三、分压式偏置(增强型),分压式偏置电路(Rg很大,增加Ri),联立求得(UGSQ和IDQ),注意:必须使FET工作在恒流区,工作点计算:(IG=0),栅极电位:,源极电位:,栅源电压:,2.7.3 FET放大电路动态分析,1.分析方法:先静态，后动态，与三极管h参数类似动态分析采用等效电路法,2.FET类型多，主要以增强型N沟道为例，重点分析共源和共漏2种基本接法(共栅类似),一、FET低频小信号模型：,2.线性化处
4、理(小信号时,Q点线化),4.参数意义,3.交流表示(变化部分),1.输入输出关系(非线性),跨导(mS),RDS:漏源动态电阻(几十-几百K),？,参数如何求取？,跨导gm求取：,代入,小信号处,增强型N-沟道为例：,与工作点相关,参数意义与图解,转移特性与gm,输出特性与rd,BJT 与 FET模型对比,全模型,方程,简化模型,二、FET基本共源电路分析：,静态分析：,动态分析：,阻容耦合共源电路分析：（P1342.23题）,静态分析:,联立求得(UGSQ和IDQ),动态分析：,共射比较,三、FET基本共漏放大电路分析：,静态分析：,动态分析：,Ro如何求？,输入短路输出加压产生 Io:Us=UoUg=Ud Ugs=-UoIDS=gmUgs=-gmUoISD=-IDs=gmUo,Ro如求法？,Ro很小，电压跟随,开路,压控电流源等效电阻,BJT与FET放大电路,共射（源）Ri大，Ro小(电压放大),共集（漏）Ri最大，Ro最小(电压跟随器)Au1,共基（栅）Ri小，Ro大(高频特性好),BJT与FET放大电路比较,共射（源）,共集（漏）跟随器,共基（栅）,不变,作业,P1322.132.142.152.212.222.23,
