MOS开关与传输门特性分析.ppt

上传人:小飞机 文档编号:5440502 上传时间:2023-07-07 格式:PPT 页数:23 大小:473KB
返回 下载 相关 举报
MOS开关与传输门特性分析.ppt_第1页
第1页 / 共23页
MOS开关与传输门特性分析.ppt_第2页
第2页 / 共23页
MOS开关与传输门特性分析.ppt_第3页
第3页 / 共23页
MOS开关与传输门特性分析.ppt_第4页
第4页 / 共23页
MOS开关与传输门特性分析.ppt_第5页
第5页 / 共23页
点击查看更多>>
资源描述

《MOS开关与传输门特性分析.ppt》由会员分享,可在线阅读,更多相关《MOS开关与传输门特性分析.ppt(23页珍藏版)》请在三一办公上搜索。

1、MOS开关与传输门特性分析,单开关电路,输入信号,输出信号,MOS管的四种基本类型,MOS(MentalOxideSemiconductor)金属 氧化物 半导体场效应管,在数字电路中,多采用增强型。,N沟道增强型,源极,栅极,漏极,MOS管的结构和工作原理,vGS=0时,D、S间相当于两个背靠背的PN结,不论D、S间有无电压,均无法导通,不能导电。,vGS0时,vGS足够大时(vGSVGS(th)),形成电场GB,把衬底中的电子吸引到上表面,除复合外,剩余的电子在上表面形成了N型层(反型层)为D、S间的导通提供了通道。,VGS(th)称为阈值电压(开启电压),源极与衬底接在一起,N沟道,可以

2、通过改变vGS的大小来控制iD的大小。,MOS管的输入、输出特性,对于共源极接法的电路,栅极和衬底之间被二氧化硅绝缘层隔离,所以栅极电流为零。,输出特性曲线(漏极特性曲线),夹断区(截止区),用途:做无触点的、断开状态的电子开关。,条件:整个沟道都夹断,源极和漏极之间没有导通沟道。,特点:,可变电阻区,特点:(1)当vGS 为定值时,iD 是 vDS 的线性函数,具有类似与线性电阻的性质,且其阻值受 vGS 控制。,(2)管压降vDS 很小。,用途:做压控线性电阻和无触点的、闭合状态的电子开关。,条件:源端与漏端沟道都不夹断,恒流区:(又称饱和区或放大区),特点:(1)受控性:输入电压vGS控

3、制输出电流,(2)恒流性:输出电流iD 基本上不受输出电压vDS的影响。,条件:(1)源端沟道未夹断(2)漏端沟道予夹断,用途:可做放大器和恒流源。,MOS管开关等效电路,当vI=vGSVGS(th)时,MOS管工作在截止区。漏极和源极之间的内阻非常大,D-S间相当于断开的开关,vOvDD.,当vIVGS(th)且vI继续升高时,MOS管工作在可变电阻区。MOS管导通内阻RON很小,D-S间相当于闭合的开关,vO0。,传输门输出特性,传输门(TG)的应用非常广泛,不仅可以作为基本单元电路构成各种逻辑电路,用于信号传输,而且在取样保持电路、斩波电路、模数和数模转换电路中传输模拟信号,因而又称为模

4、拟开关。,CMOS传输门由一个P沟道和一个N沟道增强型的MOSFET并联而成,如下图所示。,电路结构,逻辑符号,C和C是一对互补的控制信号,设控制信号的高低电平分别为VDD和0V,那么当C=0时,只要输入信号的变化范围不超出0VDD,则,Vi=0VVDDVGS1=0V-VDD,T1始终截止;VGS2=VDD 0V,T2始终截止。,T1和T2同时截止,输入与输出之间呈高阻(109),传输门截止。,当C端接+5V,C端接0时,Vi在0+3V的范围内,T1导通。Vi在0+3V的范围内,T2导通。由此可知,当Vi在0+5V之间变化时T1和T2至少一个是导通。VO=Vi,信号可以传输过来。,由于T1、T

5、2管的结构形式是对称的,即漏极和源极可互换使用,因而CMOS传输门属于双向器件,它的输入端和输出端也可互易使用。,利用CMOS传输门和CMOS反相器可以组合成各种复杂的逻辑电路,如数据选择器、寄存器、计数器等等。,举例利用CMOS传输门和CMOS反相器构成异或门。,双向模拟开关 传输门的另一个重要用途是作模拟开关,用来传输连续变化的模拟电压信号。这一点是无法用一般的逻辑门实现的。模拟开关的基本电路是由CMOS传输门和一个CMOS反向器组成的,如下图所示。和CMOS传输门一样,它也是双向器件。,假定接在输出端的电阻为RL,双向模拟开关的导通内阻为RTG。当C=0时,开关截止,输出与输入之间的联系被切断Vo=0。当C=1时,开关接通,输出电压为:,电压传输系数:,谢谢观看!,

展开阅读全文
相关资源
猜你喜欢
相关搜索

当前位置:首页 > 生活休闲 > 在线阅读


备案号:宁ICP备20000045号-2

经营许可证:宁B2-20210002

宁公网安备 64010402000987号