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1、碳化硅,Silicon carbide/Carborundum,目录,1.SiC的结构 2.SiC的性质与应用 3.SiC的制备技术 4.SiC当前的研究情况,结构,碳化硅存在着约250种结晶形态。由于碳化硅拥有一系列相似晶体结构的同质多型体使得碳化硅具有同质多晶的特点。地球上的碳化硅（莫桑石）非常稀有但在宇宙空间中却相当常见。宇宙中的碳化硅通常是碳星周围的宇宙尘埃中的常见成分。在宇宙和陨石中发现的碳化硅几乎无一例外都是相晶形的。,(),结构,-碳化硅(-SiC)是这些多型体中最为常见的，它是在大于1700C的温度下形成的，具有类似纤锌矿的六方晶体结构。具有类似钻石的闪锌矿晶体结构的-碳化硅(
2、-SiC)则是在低于1700C的条件下形成的。,性质与应用,磨料和切割工具汽车刹车片、离合器和防弹背心结构材料光学镜面材料高温、高压半导体催化剂载体,热导率高饱和电子迁移率高抗电压击穿能力强热膨胀系数也非常低（4.010-6/K）-碳化硅拥有很高的比表面积6H-SiC和4H-SiC最大的差异在于4H-SiC的电子迁移率是6H-SiC的两倍，这是因为4H-SiC有较高的水平轴(a-axis)移动率。,制备技术,固相法,制备技术,气相法,热分解法,当前的研究情况,蔡宁等通过松木碳化后渗硅处理，在高温条件下得到致密的Si/SiC复相材料。钱军民等以椴木木粉、酚醛树脂和硅粉为原料，采用低温碳化和高温原位反应烧结，而后排出游离硅的工艺制成具有椴木微观结构的多孔SiC陶瓷。邢素丽等采用溶胶-凝胶法，亿正硅酸乙酯和酚醛树脂为原料，在草酸的催化作用下，制备均相SiC先驱体，并烧结为陶瓷材料。在一维SiC纳米材料方面的研究现在已有SiC纳米棒、SiC纳米线、SiC纳米管、SiC纳米线花、SiC纳米Y字结、SiC同轴纳米电缆等。,
