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设计性实验半导体材料能隙测定与计算,空带(导带),满带(价带),本征半导体的能带结构,T=0K，T0K，本征激发成对产生电子和空穴。禁带宽度Eg半导体重要的参量,思考：怎样测量半导体的禁带宽度Eg？,方案一：利用光电导效应,光电导效应：入射光子能量h 半导体的禁带宽度Eg，就激发出电子-空穴对，使载流子浓度增加，半导体的导电性增加，阻值减低，这种现象称为光电导效应。,h Eg,方案二：利用本征载流子浓度的温度关系,本征载流子浓度,两边取对数,方案三：利用电阻率的温度关系,本征载流子浓度,一般测量电阻率，由,1/T,两边取对数,方案四：利用霍耳系数,请大家自己查阅资料。,结果分析,误差分析,
