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1、1,电镀铜技术,Date:10.29,2002Presented by:唐治宇(P&D),2,为电镀铜工程师提供一份基础教材;集中电镀铜工艺难点,使之得到更多成员经验,以便解决问题;提高电镀铜工程师的整体技术水平。,目 的,3,一、制作流程:-4 二、工艺原理:-5 三、物料:-6 四、操作条件:-18 五、机器设备:-23 六、制程控制及接受标准:-31 七、能力研究:-33 八、案例及缺陷分析:-49,内容简介,4,内层制作 钻孔 除胶渣 沉铜 全板电镀 图形转移 图形电镀 褪膜、蚀刻、褪锡 绿油 表面处理,一、制作流程,5,镀铜在PCB制造过程中,主要用于加厚孔内化学铜层和线路铜层。阴极
2、:Cu2+2eCu Cu2+/Cu=+0.34V Cu2+e Cu+Cu+e Cu Cu+/Cu=+0.51V 阳极:Cu-2eCu2+Cu-e Cu+2Cu+Cu2+Cu 2Cu+1/2O2+2H+Cu2+H2O,二、工 艺 原 理,6,磷铜阳极:镀液中Cu2+的来源。硫酸铜:镀液主盐。硫酸:增加镀液导电性。氯离子:活化阳极并协同添加剂改良镀层品质。添加剂:改良镀层品质。,三、电 镀 物 料,7,磷铜阳极,铜阳极中为什么要含磷?阳极反应机理:阳极反应:Cu-e Cu+(快反应)Cu+-eCu2+(慢反应)上述反应原因表明:阳极溶解过程中伴随有Cu+生成,且Cu+存在下述反应:2Cu+Cu2+
3、Cu,8,磷铜阳极,Cu+的危害:2Cu+H2SO4 Cu2SO4 Cu2SO4+H2OCu2O(铜粉)+H2SO4*Cu2O以电泳方式沉积在阴极表面;*Cu2O分布在阴极表面,Cu2+在其疏松晶体表面沉积,造成镀层 不光亮、整平性差。,9,磷铜阳极,Cu+的防止与处理方法:采用磷铜阳极。磷铜阳极拖缸后,1A h/L可在表面产生一层磷膜(主要成份为Cu3P)。Cu3P的作用:1)催化下述反应Cu+-eCu2+,减少Cu+的含量;2)阻止Cu+进入溶液,促使它进一步形成Cu2+;3)减少微小铜晶体从阳极表面脱落。,10,磷铜阳极,铜阳极中含量应该是多少呢?含磷量高的影响:黑色磷膜过厚,铜的溶解性
4、差,添加剂消耗多,磷膜易脱落;电阻增加,电压升高,有利H+放电,容易形成针孔。,11,磷铜阳极,含磷量适中(0.035%0.070%):黑色磷膜较适中,且结构紧密,结合牢,不易脱落;阳极泥较少。含磷量太低(0.005%)时,虽有黑膜生成,但太薄,效果 不理想。,12,硫酸铜/硫酸,电镀液中的主盐,提供阳极反应时的Cu2+,并通过阳极溶解获得 Cu2+的补充。硫酸铜的浓度过低,易导致高电流区烧焦,电镀时可采用的电 流密度须减小;硫酸铜的浓度过高,镀液分散能力下降;硫酸的浓度过低,溶液导电性差,镀液分散能力差;硫酸的浓度过高,降低Cu2+的迁移率,效率降低,镀层延展性 下降。,13,氯离子,阳极活
5、化剂,帮助阳极正常溶解。协同添加剂使镀层光亮、平整;降低镀层的应力;氯离子浓度太低,镀层出现台阶状粗糙,易出现针孔和烧焦;氯离子浓度太高,阳极钝化,镀层失去光泽。,14,氯离子过高如何处理,沉淀法:Ag2CO3+2Cl-+2H+2AgCl+H2O+CO2 先分析Cl-浓度,按3g Ag2CO3:1g Cl-添加,然后用1um过滤 芯除去AgCl沉淀。电解法:以钛为阳极,以瓦楞形不锈钢板为阴极,4050下,阳极 电流34A/dm2电解,2Cl-2eCl2。,15,添加剂,添加剂一般分为光泽剂与辅助剂。辅助剂一般抑制铜沉积速率,增加极化电阻,提高分布均匀性;光泽剂则加速铜沉积速率,减少极化电阻,提
6、高延展性与导电 性。*光泽:当金属晶体均匀致密,规则排列时,所反射出的光线 具有金属的光泽。,16,添加剂,光泽剂过低的影响:镀层不光亮,易出现烧板现象。光泽剂过高的影响:深镀能力下降,产生Fold缺陷,表面变光亮。副产物的生产机理:RS-SR(光剂)RSH+RSH(副产物)副产物具有更强的光剂特性,其在电镀过程中逐渐积累,产生 较大的负面影响。,Cu+,17,添加剂,光泽剂副产物过高的影响:产生Folds缺陷,深镀能力下降,出现狗骨现象。镀层表面变光亮,硬度增加,镀层变脆,可靠性下降。副产物的除去方法:通过碳处理,先用H2O2将副产物氧化,再用活性碳将其吸附 后过滤除去。,18,较为通用的药
7、水浓度控制范围:CuSO4 60120g/L H2SO4 90140ml/L Cl-40100ppm 添加剂 适量(按供应商要求)阳极 含0.0350.07%磷的铜球/铜条 上述参数亦需依不同供应商光剂系列作适当调整。,四、操 作 条 件,19,其他操作条件:温度 与添加剂相适应 搅拌 连续过滤,空气搅拌加阴极移动。S阳:S阴 2:1或更高 阴极电流密度 13A/dm2(与缸体设计、介质浓度及添加剂的选择有关),操 作 条 件(续),20,操作条件的影响,温度:提高温度,电极反应速度加快,允许电流密度提高。温度过高,加速添加剂分解,镀层结晶粗糙,亮度降低。温度太低,允许电流密度降低,高电流区易
8、烧焦。,21,操作条件的影响,电流密度:电镀液组成,添加剂、温度、搅拌等因素确定电流密度允许范围。提高电流密度可以提高沉积速度,保证镀层质量条件下应尽量 提高电流密度,以提高生产效率。镀层厚度(25um)17.8ASFh(效率以100%计)电流密度过高时,会使镀层结晶粗大,甚至烧焦。,22,操作条件的影响,搅拌:消除浓差极化,提高允许电流密度,提高生产效率。通常采用空气搅拌加摇摆(阴极移动)来实现。目前尚有采用Eductor或液下喷射等方法。,23,电镀铜的主要设备为:(以龙门式垂直挂镀线为例)镀槽:包含阳极杆、阳极钛篮、阴极铜座、摇摆、阳极挡板、阴极浮夹、空气搅拌管道、循环管道。整流机:包含
9、整流机到镀槽导线,控制电路。辅助设备:循环过滤系统,包含循环泵浦、过滤桶、连接管道、自动添加系统、冷却系统、温度控制系统。,五、机 器 设 备,24,设备对电镀铜品质影响,镀槽:阴阳极距离:通常为1012,距离较远时对电镀分散能力 较好,但所占空间及药品开缸用量较大。阳极挡板/阴极浮夹:需设计出合适尺寸,改善电镀均匀性。搅拌:搅拌方式通常有摇摆、振动、空气搅拌、喷射系统、Eductor、超声波等,搅拌的主要目的是提供药水的快 速交换,减小浓差极化,提高分散能力,搅拌的强度 当然是愈强愈好,但其所付出的成本自然是越高。,25,搅拌方式的介绍,传统方法:垂直板面或斜向1545,13摆幅,总摆幅据孔
10、内铜 离子交换来计算,通常采用1m/min,配合空气搅拌有时会加上 振荡或超声波振荡。,26,搅拌方式的介绍,改进方法:采用喷射系统(如GZ Phase IV),利用高压泵浦在缸内靠近板 面位置(距离约为2),以12kg/cm2压力喷出镀液,搅动镀液,同时配合沿板面方向摇摆,使喷射均匀。此法对于电镀厚板及盲 孔很有帮助;采用Eductor,此法是在缸底加装喇叭形喷咀,利用喷射的镀液带 动缸内镀液,流量约增加34倍,可使搅拌强度成倍增加。,27,整流机,提供电镀的电源 一般有两种整流机:传统的直流整流机;周期反向脉冲整流机。此种整流机配合专用添加剂可大大改善电镀的分散能力。,28,脉冲整流机,脉
11、冲波形:IF:IR 一般 1:1.51:3 TF:TR一般 10:0.540:2ms 反向脉冲可使高电流区域 更快溶解而低电流密度区域不受影响,从而使孔内镀层分布均匀,深镀能力提高。,波形示意图,29,脉冲整流机,脉冲电镀应用时应注意的问题:脉冲整流机比较娇贵,需注意日常保养,各接触点清洁,整流机内部温度控制,以便获得良好、稳定波形;脉冲电镀需配合以特种添加剂,对不同系列添加剂有不 同注意事项;不同的脉冲波形对通孔、盲孔电镀深镀能力不同;有时深镀能力过高时会产生孔角铜薄等缺陷。,30,脉冲整流机,以Shidey PPR系列为例:电镀/停机状态下,该光剂均与铜阳极产生分解副反应。该副反应严重影响
12、镀层可靠性,需通过与空气中的氧气 发生反应后,以活性碳过滤除去。,31,镀液组分测试:硫酸、硫酸铜、氯离子分析方法参见实验室工作指示。添加剂一般采用CVS分析或哈氏槽法(IPC-TM-650.2.3.21),不同系列添加剂由供应商提供相关应用程序。,六、测 试 方 法,32,镀层品质测试项目:镀层均匀性;深镀能力(分散能力);镀层延展性(IPC-TM-650、2、4、18.1);镀层可靠性;Solder shock(IPC-TM-650.2.6.8D、冷热循环冲击(参 见Lab工作指示)、热油测试(IPC-TM-650.2.4.6)。抗拉强度。,测 试 方 法(续),33,在电镀铜中研究的主要
13、课题是:镀层均匀性:深镀能力(Throwing Power):镀层可靠性:以下介绍镀层均匀性及深镀能力。讨论:如何提高镀层可靠性?,七、能 力 研 究,34,镀层均匀性,影响镀层均匀性主要有如下因素:阳极板去度应比阴极短约23,防止电镀窗底部镀层过厚;阳极上部应增加适当高度阳极挡板,防止电镀窗顶部镀层过厚;阳极排布要均匀分布,镀槽两边比阴极应略缩进,防止边缘过厚;阴极底部应装有合适尺寸之浮夹,当生产不同尺寸之板时遮挡底 部电流,防止局部过厚;阴极夹应均匀排布,接触良好。,35,深镀能力,影响深镀能力的因素:质量传递;电势差;浓度超电势;镀液极化。,36,硫酸铜含量越高,镀液粘度越大。,深镀能力
14、,质量传递:镀液粘度,粘度越大,流动性越小,孔内质量交换能力越差;不同硫酸铜含量的镀液粘度:,37,深镀能力,孔内流动状态分布:管进口段沿截面的流速分布:,38,管两端压力差与流速关系:,P,N/m2,6103,1103,0.2,1.0,1.8,u(m/s),L=2cmd=0.5mm,P,N/m2,6103,1103,0.2,1.0,1.8,u(m/s),L=6cm,L=3cm,L=1.5cm,流速u,管两端压力差P,管长度增加流速迅速减小,深镀能力,39,浓度超电势(m):定义:电极表面附近溶液反应物浓度与主体溶液中反应物 浓度差引起。m=(RT/Nf)Ln(Cs/Cb),深镀能力,40,电
15、极表面附近铜离子浓度分布:,Cs电极表面铜离子浓度。Cb本体溶液浓度。扩散层厚度。,Cb,X,C,Cs,电板 O,深镀能力,41,工作电流密度与极限电流密度:i=nFD iL=nFD D铜离子扩散系数(cm2/s),Cb-Cs,Cb,深镀能力,42,浓度超电势的上升使反应速率减慢:搅拌可降低扩散层厚度,降低板面的浓度超电势,但孔内 的浓度超电势并没有得到下降;降低孔内的浓度超电势主要通过增加阴极移动距离及频率,使孔内镀液流动加强。,深镀能力,43,电势差:电流通过镀液时产生电势差;电势差的影响因素:a.难度因子L2/d:L2/d与电势差成正比。,深镀能力,44,b.镀液的电导率:增大镀液的电导
16、率可以降低电势差;硫酸与电导率的关系 硫酸铜与电导率的关系,K(cm2),0.9,0.7,0,100,180,H2SO4,0.5,280,K(cm2),0.75,0.65,0,100,180,CuSO4,0.55,280,深镀能力,45,c.工作电流密度:工作电流增大时,电势差增大;当工作电流降到0.5A/dm2时,电势差已几乎可以忽略;降低电流密度可提高深镀能力,但延长了电镀时间,使生 产效率降低。,深镀能力,46,镀液极化:IS(表面电流)=V/(RS+RP)IH(孔内电流)=V/(RH+RP)RP越大,IS与IH越接近,深镀能力越好。注:RS表面电阻,RP极化电阻,RH孔内电阻。,深镀能力,47,硫酸铜的增加减小极化电阻;Cl-增加可增加极化电阻;添加剂对极化的影响在于其在电极表面的吸附:a.载运剂(Carrier)吸附在高电位区,减缓铜沉积速率;b.光亮剂增加凹陷区的电镀速率;c.整平剂:抑制凸出部位的高电位,减缓铜沉积速率。,深镀能力,48,提高深镀能力的方法:降低硫酸铜的含量;降低电流密度;增加硫酸浓度;加强阴极移动;选择合适添加剂;采用脉冲电镀设备。,深镀能力,49,八、例及缺陷分析,50,案例及缺陷分析(续),