微组装技术简述及工艺流程及设备.ppt

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1、,微 组 装 技 术 简 述 张经国 1404,一.微组装技术内涵及其与电子组装技术的关系 1.内涵微组装技术（micropackging technology）是微电子组装技术（microelectronic packging technology)的简称，是新一代高级的电子组装技 术。它是通过微焊互连和微封装工艺技术，将高 集成度的IC器件及其他元器件组装在高密度多层 基板上，构成高密度、高可靠、高性能、多功能 的立体结构微电子产品的综合性高技术，是一种 高级的混合微电子技术。,2.微组装技术与电子组装技术的关系 微电子组装技术是电子组装技术最新发展的产物，是新一代高级（先进）的电子组装技

2、术，属第五代电子组装技术（从80年代至今）。与传统的电子组装技术比较，其特点是在“微”字上。“微”字有两个含义：一是微型化，二是针对微电子领域。,二。微组装技术对整机发展的作用 微组装技术是充分发挥高集成度、高速单片IC性能，实现小型、轻量、多功能、高可靠电子系统系统集成的重要技术途径。,三。微组装技术的层次和关键技术.1.微组装技术的层次整机系统的微组装层次 大致可分为三个层次：1）1级（芯片级）系指通过陶瓷载体、TAB 和倒装焊结构方式对单芯片进行封装。2）2级（组件级）系指在各种多层基板上组 装各种裸芯片、载体IC器件、倒装焊器件以及 其他微型元器件，并加以适当的封装和散热 器，构成微电

3、子组件（如MCM）。,3）3级（印制电路板级）系指在大面积的多层印制电路板上组装多芯片组件和其他的微电子组件、单芯片封装器件，以及其他功能元器件，构成大型电子部件或整机系统。2.关键技术以下为不同微组装层次的主要关键 技术：1）芯片级的主要关键技术凸点形成技术和植球技术，KGD技术，TAB技术，细间距丝键合技术，细间距引出封装的工艺技术,2）组件级的主要关键技术多层布线基板设计、工艺、材料及检测技术，倒装芯片焊接、检测 和清洗技术，细间距丝键合技术，芯片互连可 靠性评估和检测技术，高导热封装的设计、工 艺、材料和密封技术，其他片式元器件的集成 技术。3）印制板级的主要关键技术电路分割设计 技术

4、，大面积多层印制电路板的设计、工艺、材料、检测技术以及结构设计、工艺技术以及 组件与母板的互连技术。,四。多芯片组件（MCM）的技术内涵、优点及类型1.技术内涵 MCM是multichip module英文的缩写，通常译为多芯片组件（也有译为多芯片模块）。MCM技术属于混合微电子技术的范畴，是混合微电子技术向高级阶段发展的集中体现，是一种典型的高级混合集成电路技术。关于MCM的定义，国际上有多种说法。就本人的观点而言，定性的来说MCM应具备以下三个条件：（1）具有高密度多层布线基板；（2）内装两块以上的裸芯片IC（一般为大规模集成电路）；（3）组装在同一个封装内。也就是说，MCM是一种在高密度

5、多层布线基板上组装有2块以上裸芯片IC（一般为LSI）以及其它微型元器件，并封装在同一外壳内的高密度微电子组件。,2.优点MCM技术有以下主要优点。1）使电路组装更加高密度化，进一步实现整机的小型化和轻量化。与同样功能的SMT组装电路相比，通常MCM的重量可减轻80%90%，其尺寸减小7080%。在军事应用领域，MCM的小型化和轻量化效果更为明显，采用MCM技术可使导弹体积缩小90%以上，重量可减轻80%以上。卫星微波通信系统中采用MCM技术制作的T/R组件，其体积仅为原来的1/101/20。,2)进一步提高性能，实现高速化。与通常SMT 组装电路相比，MCM的信号传输速度一般可 提高46倍。

6、NEC公司在19791989年期间 研究MCM在大型计算机中的应用，从采用一 般的厚膜多层布线到使用高级的多芯片组件混 合多芯片组件，其系统的运算速度提高了37倍，达220亿次/秒。采用MCM技术，有效的减小了 高速VLSI之间的互连距离、互连电容、电阻和电 感，从而使信号传输延迟大大减少。,3)提高可靠性。统计表明，电子整机的失效大约90%是由封装和互连引起的。MCM与SMT组装电路相比，其单位面积内的焊点减少了95%以上，单位面积内的I/O数减少84%以上，单位面积的接口减少75%以上，且大大改善了散热，降低了结温，使热应力和过载应力大大降低，从而提高可靠性可达5倍以上。,4)易于实现多功

7、能。MCM可将模拟电路、数字电路、光电器件、微波器件、传感器以及其片式元器件等多种功能的元器件组装在一起，通过高密度互连构成具有多种功能微电子部件、子系统或系统。Hughes Reserch laboratory 采用三维多芯片组件技术开发的计算机系统就是MCM实现系统级组件的典型实例。,3.类型和特点通常可按MCM所用高密度多层布线基板的结构和工艺，将MCM分为以下几个类型。1)叠层型MCM（MCM-L，其中L为“叠层”的英文词“Laminate”的第一个字母）也称为L型多芯片组件，系采用高密度多层印制电路板构成的多芯片组件，其特点是生产成本低，制造工艺较为成熟，但布线密度不够高，其组装效率

8、和性能较低，主要应用于30MHz和100个焊点/英寸2以下的产品以及应用环境不太严酷的消费类电子产品和个人计算机等民用领域。,2)厚膜陶瓷型MCM（MCM-C，其中C是“陶瓷”的英文名Ceramic的第一个字母），系采用高密度厚膜多层布线基板或高密度共烧陶瓷多层基板构成的多芯片组件。其主要特点是布线密度较高，制造成本适中，能耐受较恶劣的使用环境，其可靠性较高，特别是采用低温共烧陶瓷多层基板构成的MCM-C，还易于在多层基板中埋置元器件，进一步缩小体积，构成多功能微电子组件。MCM-C主要应用于3050MHz的高可靠中高档产品。包括汽车电子及中高档计算机和数字通信领域。,3)淀积型MCM（MCM

9、-D，其中D是“淀积”的英文名Deposition 的第一个字母），系采用高密度薄膜多层布线基板构成的多芯片组件。其主要特点是布线密度和组装效率高，具有良好的传输特性、频率特性和稳定性.4)混合型MCM-H（MCM-C/D和MCM-L/D，其中英文字母C、D、L的含义与上述相同），系采用高密度混合型多层基板构成的多芯片组件。这是一种高级类型的多芯片组件，具有最佳的性能/价格比、组装密度高、噪声和布线延迟均比其它类型MCM小等特点。这是由于混合多层基板结合了不同的多层基板工艺技术，发挥了各自长处的缘故。特别适用于巨型、高速计算机系统、高速数字通信系统、高速信号处理系统以及笔记本型计算机子系统。,

10、五。组件与母板（PCB）的电连接 1.要求 1）电气要求 信号互连 电源接地互连 2）散热能力 3）机械能力 4）IO要求,2.连接的主要类型 1）ZIF插拔针连接（见下图A）2）弹簧连接（见下图B）3）插杆固紧连接（见下图C）4）柔性电路ZIP互连,图A。ZIF插拔针连接,图B。弹簧连接,图C。插杆固紧连接,六。三维多芯片组件（3D-MCM)技术定义、优点和类型 1.定义系指半导体芯片在X、Y、Z三个方向都实现了高 密度组装的多芯片组件技术（也称MCM-V)。2.优点可实现更高组装密度（组装密度可达200%，而 2D-MCM的最高组装效率为 90%）、体积更小、重量更轻、功能更多、性能更优。

11、甚至可实现一 个组件即是一个整机系统。3.类型主要有以下两种类型：1）2D-MCM叠片组装 2）芯片叠层组装（通过丝键合或凸点、TAB等）,七。厚膜混合电路定义及其应用特点 1.定义 厚膜混合集成电路(简称厚膜混合电路 或厚膜电路),是通过厚膜浆料(paste or ink)丝网印刷和烧结技术,在陶瓷基板或其它高 导热基板上形成厚膜布线、焊区和厚膜电阻,从而制成厚膜电路成膜基板,再采用表面组 装技术(SMT)和键合技术,组装半导体芯片和 其它片式元件,构成具有一定功能的微电路.,2.应用特点 厚膜电路具有功率密度高、承载电流大、电压高、高频特性好、体积小、可靠性和稳定性高、设计灵活、易于实现多

12、功能微电路等特点,特别适宜制作小型高可靠的功率电路(包括DC/DC变换器、DC/AC变换器、AC/DC变换器、交流电源、驱动器、功率放大器、电压调节器等)以及高密度高可靠的多功能微电路,广泛用于航天、航空、船舶、兵器、雷达、电子对抗、通信、汽车、计算机等领域的制导、遥测、动力、引信、控制、惯导和信号处理等电子系统。,NASA采用厚膜混合集成技术研制了导弹制导计算机的运算组件。其中采用了2.88in见方的厚膜多层布线基板，组装了5个大规模半导体集成电路芯片，12个中规模半导体集成电路芯片（TTL），6个片式电容和6个片式电阻，629根键合互连丝。采用厚膜集成技术制作厚膜混合集成DCDC变换器是厚

13、膜混合电路的一大类产品。其产品功率范围达1W120 W，电流最大20A，输出路数从单路到三路，开关频率300kHz550kHz,国内120W DCDC变换器产品的功率密度达78Win3，输出电压15V，输出电流8A，效率85%，纹波100 mV。电性能与INTERPOINT同类产品相同，功率密度高于INTERPOINT同类产品(后者为66.3 Win3）。还可制作高压输出（160V900V）的厚膜混合集成DCDC变换器.,采用厚膜混合电路工艺制作DCDC电源的优点1）减小产品体积和重量 与常规PCB板组装电源同比，重量可减少30%60%，体积可减小25%70%，2）提高功率密度（25%70%）

14、3）提高微组装密度达3040个元器件平方厘米4）扩展工作温度范围（-55125）5）提高可靠性和频率。例如,100W的DCDC电源功率密度和重量比较：功率密度（Win3)重量(g)PCB板电路 37 160 厚膜HIC 62 78,厚膜混合集成滤波器包括两类：电源滤波器（无源）和信号滤波器（有源）。前者也称EMI滤波器，与DC/DC电源配套使用，输入16V40V，输出电流最大15A，插入损耗40db（500kHz时）；后者是使有用频率信号通过，抑制或衰减无用频率信号，按其功能要求不同有多种。采用集成运放+RC组成的厚膜混合集成可编程滤波器即是信号滤波器的一种。厚膜混合集成交流电源包括：单相40

15、0HZ和16kHZ交流电源，500HZ交流电源，500HZ马达交流电源，8kHZ交流电源等。厚膜混合集成驱动器包括各种马达伺服电路，其中有：直流电机伺服电路，步进马达驱动电路，大功率马达驱动器，永磁马达驱动电路，脉宽调制功放电路，调宽功率放大器等。,八。薄膜混合电路定义及其应用特点 1.定义采用物理汽相淀积（PVD，蒸发、溅射 和离子镀等）或化学汽相淀积（CVD）工艺 以及湿刻（光刻）或干刻（等离子刻蚀等）图形形成技术，在基板上形成薄膜元件和布 线，然后组装微型元器件（多为芯片和片式 元器件）构成具有一定功能的微电路。区分是“薄膜”还是“厚膜”，主要按工艺技术分，而非主要按其膜厚度（虽然厚度有

16、区别，GJB548中提到，薄膜厚度通常小于5微米）,2.应用特点 薄膜电路具有：精度高、稳定性好、高频特性好、组装密度高、信号传输速度快等特点，其应用主要在三个方面：1）高精度转换电路，如高位数（1218位）数 模、模数转换电路，轴角数字转换电路，fV和Vf转换器等（利用精度高，稳定性 好的特点）。2)高频和微波电路（利用高频特性好的特点），薄膜集总参数微波混合集成电路应用频率可高 达1530GC，若与分布参数电路结合，可 用于60GC。,3）信号和数据处理电路（利用线条细、布线密度高、信号传输速度快的特点）。通信领域应用的微波电路中，薄膜混合电路约占80%。F-111型歼击机的攻击雷达中，高

17、频部分采用了薄膜混合电路，中频采用了厚膜电路，使得整机与原分立元件电路相比，体积减小了75%，重量减轻了63%，可靠性提高了3.5倍。F-22战斗机的机载雷达数据处理系统采用了薄膜技术制成的MCM-D（休斯公司），使机载雷达重量减轻了96%，体积减小了93%。八十年代美国微波网络公司采用薄膜混合电路技术首次研制成功18位混合集成DA转换器，线性精度达0.008%，是当时世界上精度最高的DA转换器。,九。共烧陶瓷多层基板的类型及应用特点 1.类型1）高温共烧陶瓷多层基板（HTCC）2）低温共烧陶瓷多层基板（LTCC）国际上对其共烧陶瓷多层基板类型的划分原则是按其陶瓷多层基板的共烧温度是在1000

18、以上或以下来分，共烧温度是在1000以上者称高温共烧陶瓷多层基板，共烧温度是在1000以下者称低温共烧陶瓷多层基板。所谓共烧温度系指陶瓷基板材料和布线导体浆料同时完成烧结的温度。,*厚膜混合电路与LTCC的主要区别前者分层印烧，后者共烧。LTCC的主要优点 1）易实现更多布线层数，实现高密度组装 2）易实现内埋元件,实现多功能。3）高频特性和高速传输特性好 4）烧结前可进行质量检查 5）可实现空腔结构，易于实现多功能和微 波MCM）6）可与薄膜多层布线兼容，实现混合多层。7）可与封装实现一体化。,2.应用特点 LTCC主要用于高频和微波电路以及信号和数据处理电路，而HTCC则更适用于功率MCM

19、。美国IBM公司和日本NEC公司采用共烧陶瓷多层技术，于19791990年研制了四代超级计算机，其MCM类型从MCM-C发展到MCM-CD IBM公司的超级计算机MCM-CD 采用23层布线LTCC，2层薄膜布线，基板尺寸127.5mm 127.5 mm，2000W功耗。NEC公司的超级计算机MCM-CD 采用45层HTCC，8层薄膜布线，基板尺寸225mm225 mm，功耗4000W。,美国Martin Marietta 公司采用10层LTCC陶瓷多层基板制作的MCM-C用于军用飞机和导弹目标探索和识别系统的图像处理电子装置，该MCM是个子系统，重量748g，总功耗40W，基板尺寸117mm

20、117mm，内含16个处理器芯片，布线宽度间距为125mm，芯片为TAB结构。美国Weastinghouse公司采用LTCC技术研制了X波段TR组件，基板布线层数22层，布线宽度间距为125mm，具有多种复杂的空腔结构。基板上组装了8个GaAsMMIC芯片，4个其他GaAs芯片及功放匹配网络、RF旁路电容等。体积和重量较原来大大减少，仅为原来的几十分之一。,谢 谢！,微组装工艺流程及其设备 张经国 0305,一。微组装基本工艺流程框图,多层布线基板（厚膜、薄膜、共烧陶瓷、混合多层、检测评价）,元器件组装（芯片、片式元件粘焊接、键合、检测）,密 封(烘烤、封盖、检漏）,二。微组装工艺线建线要点及

21、基本构成设备 1.工艺线建线要点 1）产品对象（功率、信号处理、高频、低频）2）生产规模（研制、批量生产）3）产品应用领域（工业、航天、舰船、地面）4）生产线是否贯标 5）经费 6）供应商设备性能及售后服务,2.基本设备1）成膜工艺设备a）厚膜：印刷机，烘干炉，烧结炉，激光膜厚测试 仪，激光调阻机，通断测试仪，粘度计 b）薄膜：真空镀膜机（蒸发，溅射），光刻机，甩胶机，等离子刻蚀机（或反应离子刻 蚀机），激光调阻机，通断测试仪，光 学形貌检测仪，膜厚测试仪（台阶仪）。,c）LTCC：生带冲切机，生带冲孔机，生带印刷机，填孔机，叠压机，排胶炉，共烧炉，通断测试仪，激光膜厚测试仪。d）混合：LTCC+薄膜+机械抛光研磨机。,