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1、第一节 陶瓷基板概论,1、陶瓷基板具备条件2、陶瓷基板的制造方法3、流延成型工艺 4、陶瓷基板的金属化第二节 各类陶瓷基板1、氧化铝基板2、莫来石基板3、氮化铝基板4、碳化硅基板5、氧化铍基板,1,第三章 陶瓷基板制造技术,1、氧化铝基板（1）Al2O3陶瓷的基本性质优良的机械强度；良好导热特性，适用于高温环境；具有耐抗侵蚀和磨耗性；高电气绝缘特性。,2,良好表面特性，提供优异平面度与平坦度；抗震效果佳；低曲翘度；高温环境下稳定性佳；可加工成各种复杂形状。,3,（2）Al2O3晶体结构具有多种同质异晶体;a(三方)、b(六方)、g(四方)、h(等轴)、r(晶系未定)、(六方)、(六方)、(四方
2、)、(单斜)-Al2O3等10多种变体；主要有a(三方)、b(六方)、g(四方)相；a-Al2O3为高温稳定相，工业上使用最多。,4,a-Al2O3,Al3+与O2-之间为强固的离子键；O2-阴离子近似于密排六方排列；Al3+阳离子占据了2/3的八面体空隙位置，即每个Al3+位于6个O2-构成的八面体的中心;a-Al2O3结构的填充极为密实，其物理性能，化学性能稳定，具有密度高、机械强度大等特性。,5,（3）Al2O3 陶瓷的分类及性能,6,7,（4）Al2O3 陶瓷原料生产,8,Buyer法,成核剂,过滤、煅烧、脱水,1100-1200 C,Al2O3 3H2O,NaOH aq.,（5）Al
3、2O3 陶瓷基板制作方法(a)Al2O3 陶瓷成型助烧剂 厚膜用：Al2O3-SiO2-MgO、CaO，提高金属化层的浸润性；薄膜用：0.2 w%MgO,得到密度高、表面平滑基板，MgO抑制烧成时Al2O3颗粒长大（Cr2O3抑制MgO表面蒸发）。,9,10,粘结剂：PVB(聚乙烯醇聚丁醛树脂）分散剂：DBP（邻苯二甲酸二丁酯）、鱼油、合成油烧成温度：1500-1600 C气氛：加湿H2、H2-N2、NH3的分解混合气,11,(b)Al2O3陶瓷金属化共烧法厚膜法薄膜法难熔金属法,12,(c)Al2O3基板表面金属化 难熔金属法1938年德利风根（德）、西门子公司Mo法、Mo-Mn法、Mo-T
4、i法Mo-Mn法（常用）:以耐热金属Mo粉为主成分，易形成氧化物Mn为副成分，混合成浆料，涂布在表面已研磨、处理的Al2O3基板表面，在加湿气氛高温烧成金属层。Mn+H2O MnO+H2MnO+Al2O3 MnO Al2O3此外，在表面电镀Ni、Au、Ag等，改善导体膜的焊接性能。,13,MnO-Al2O3系相图,14,经Mo-Mn法处理的Al2O3基板焊接截面结构,15,（6）Al2O3 陶瓷基板的应用(a)混合集成电路用基板,16,Al2O3%,17,厚膜混合IC用基板表面粗糙度，价格、与布线导体结合力;常用96wt%的Al2O3基板。薄厚膜混合IC用基板厚度几百nm以下，薄膜的物理性能、
5、电气性能受表面粗糙度影响很大;保证表面平滑，表面被覆玻璃釉（几十微米）。薄膜混合IC用基板纯度99%以上，表面粗糙度小,18,(b)LSI用基板同时烧成技术制作的LSI封装，气密性好、可靠性高；机械强度高、热导率高，在多端子、细引脚节距、高散热性等高密度封装中，Al2O3基板作用重大。,19,(c)多层电路基板,IBM308X,TCM，基板：90mm 90mm,布线：共烧Mo；L：120 m,20,NEC,100 mm 100mm,PI布线;PI介电常数低，提高信号传输速度。,21,2、莫来石基板3Al2O3 2SiO2,是Al2O3-SiO2体系最稳定晶相之一；机械强度、热导率比Al2O3低
6、；介电常数比Al2O3低，有利提高传输速度；制造、金属化方法与Al2O3基本相同；,22,日立公司开发莫来石用于多层电路板；导体层：W，44层,23,3、氮化铝基板（1）AlN 陶瓷性质热导率高（Al2O3）热膨胀系数与Si匹配(适用高密度封装、MCM),AlN晶体结构,a=0.31 nm;c=0.498 nm;属六方晶系，是以【AlN4】四方体为结构单元的纤维矿型；共价键化合物；AIN晶体呈白色或灰色；常压下分解温度为2 2002 450；理论密度为3.26 gcm3。,24,25,(2)AlN 的导热机理通过点阵或晶格振动，即借助晶格波或热波进行热传递;载热声子通过结构基元(原子、离子或分
7、子)间进行相互制约、相互协调的振动来实现热的传递；如果晶体为具有完全理想结构的非弹性体，则热可以自由地由晶体的热端不受任何干扰和散射向冷端传递，热导率可以达到很高的数值；热导率主要由晶体缺陷和声子自身对声子散射控制。,26,AlN的热导率理论值：320 W(mK）；实际值：200 W(mK）;AlN主要靠声子传热，在热传输过程中，晶体中的缺陷、晶界、气孔、电子以及声子本身都会产生声子散射，从而影响A1N基板的热导率;声子散射对热导率K的影响关系式为:K=1/3cvlc:比热容；v=声子运动速度；l:声子平均自由程,27,为了提高AlN的热导率：必须对陶瓷的微结构进行控制，排除点阵畸变、位错、层
8、错、非平衡点缺陷等晶体缺陷，尽量保证晶体的完整性；减少气孔、第二相析出。,28,(3)AlN 粉的制备电子级AlN粉要求纯度高、烧结性活性好；AlN粉中的杂质特别是氧的含量，对陶瓷基板的性能有显著影响；氧含量提高会严重降低基板的热导率；粉体粒度、颗粒形态则是影响成型和烧结条件的关键因素。,29,(a)铝粉直接氮化法 2Al+N2 AlN简单易行，已经用于大规模生产；能够合成大量纯度较高的AlN粉，无副反应；金属铝在660熔化，大约在800时开始与N2反应；(铝在2490完全气化)强烈的放热反应，能够保证反应的顺利进行。,30,铝粉直接氮化法缺点：强烈的放热反应，反应过程难以控制，产品质量不稳定
9、；制得的AlN粉往往有自烧结现象，一般难以得到颗粒微细、粒度均匀的AlN粉，需要后处理；转化率：铝粉氮化后表面形成的AlN层会阻碍N2向铝颗粒内部的扩散，阻碍反应继续进行，需长时间才能反应完全；为了得到高纯度的AlN粉，就需要采用高纯度的原料，相应的成本也高。,31,(b)Al2O3碳热还原法：Al2O3+N2+3C 2AlN+3CO 两步完成:第一步由C还原生成气相中间产物Al(g)、Al2O(g)；第二步氮化生成AlN；常加入CaO、CaF2、Y2O3等作为催化剂；有效地降低活化能，提高反应速率；加适当过量的碳，既能加快反应速率，提高转换率，也有助于控制粉末团聚，获得理想的粒径分布；AlN
10、粉的纯度较高，成型和烧结性能都比较好；缺点：合成温度高，反应时间长，颗粒度比较大。,Al2O3碳热还原机理：C还原Al2O3Al2O3(s)+3C(s)2Al(g)+3CO(g)Al2O3(s)+2C(s)Al2O(g)+2CO(g)2Al(g)+N2(g)2AlN(s)或 Al2O(g)+N2(g)+C(s)2AlN(s)+CO(g)Al2O3分解2Al2O3(s)4Al(g)+3O2(g)2C(s)+O2(g)2CO(g)2Al(g)+N2(g)2AlN(s)CO还原氧化铝 Al2O3(s)+2CO(g)Al2O(g)+2CO(g)Al2O(g)+2CO(g)+N2(g)2AlN(s)+C
11、O(g),32,33,(c)气溶胶(或气相反应)法：用AlC13或金属铝的有机化合物为原料，通过与NH3进行气相反应合成AlN超细粉:AlCl3+NH3 AlN+3 HClAl(C2H5)3+NH3 AlN+3C2H6AlC13与NH3反应一般在6001100的温度范围内进行。,34,随着温度的升高和NH3的相对浓度的增大，转化率及生成AlN粉的结晶程度随之提高。(HCl产生影响）Al(C2H5)3 克服HCl影响，反应温度较低(400即可迅速反应生成高纯AlN粉)。气溶胶法适合进行连续化生产的AlN粉制造工艺。方便地控制AIN颗粒的成核和生长速率，从而可以获得颗粒度一致的超细AlN粉。,35
12、,(4)AlN 基板的制造,36,(a)使用超细粉制备基板：纳米尺度的颗粒，在比该材料的熔化温度低的条件下熔融。颗粒的尺度越小，熔化温度越低。在超细状态下的AlN粉可以在比它的升华温度低得多的时候完成烧结。受粉体的性能影响较大，如果小粒径的AlN粉没有达到一定的含量，是无法在设定的温度下完成烧结;生产大量的纳米状态的AlN粉会提高生产成本;需要解决超细粉的团聚问题，（给后续工艺带来一定的困难，比如流延成型等）。,37,(b)热压(或热等静压)烧结法：用于制造高性能的块体AlN陶瓷材料的制备;工艺条件复杂，不适合进行批量生产；只能制作简单形状的瓷体，并且共烧基板采用这种工艺会受到很大的局限性，无
13、法用于电子封装基板的生产。,38,(c)常压烧结法：助烧剂选择原则:在较低的温度与AlN颗粒表层的A12O3发生共溶，形成液相，这样才能降低烧结温度;产生的液相对AlN颗粒能够具有良好润湿性，有效起到烧结作用;助烧剂与A12O3有较强地结合能力，有利于去除氧杂质，净化AlN晶格。,39,液相的流动性要好，烧结后期在AlN晶粒生长过程的驱动下向三角晶界处流动，而不致于在AIN晶粒间形成热阻层。进一步的在烧结的过程中能够从三角晶界处流向基板表面，从而净化AlN的晶界;助烧剂最好不与AlN发生反应，否则产生晶格缺陷，难以形成AlN完整晶形。助烧剂：碱土金属或稀土金属的氧化物、氟化物等，如Y2O3、C
14、aO、CaF2等。,40,低温烧结（1600 1800）：近几年，出于减少能耗，降低成本，以及AIN与金属浆料共烧等方面的考虑，AlN低温烧结技术的研究工作取得了一些成果。采用多元复合体系，降低助烧液相的熔点。,41,42,(5)AlN 基板的金属化薄膜金属化;厚膜金属化;低温金属化(如Ag-Pd导体、Cu导体、Au导体金属化;高温金属化(如Mo-Mn金属化和W金属化);直接键合铜金属化;AlN-W共烧金属化。,43,(6)AlN 基板的应用(a)LSI封装,44,(b)超高频（VHF)频带功率放大器模块(c)大功率器件、激光二极管基板,散热基板结构剖面,45,4、碳化硅(SiC)基板(1)S
15、iC基板的特性热扩散系数大（铜1.1cm2/s);热膨胀系数与Si更加接近;缺点：介电常数高，不适用高频电路板；绝缘耐压差。,46,(2)生产原料,升华,2000C,47,(3)SiC基板的制造,真空热压法烧成（2100C）,SiC不适合制作多层电子基板！,48,(4)SiC基板的应用,多用于耐压性不成问题的低电压电路及高散热封装的基板,高速、高集成度逻辑LSI带散热结构封装实例,49,50,5、氧化铍(BeO)基板(1)BeO基板的特性BeO基板的热导率是Al2O3的十几倍，适用于大功率电路；介电常数低，又可适用高频电路。,51,52,(2)BeO基板的制造干压法：成型后，300-600 C
16、预烧，1500-1600 C烧成；烧成收缩小，尺寸精度好;打孔时，孔径与孔距较难控制。问题：BeO粉尘有毒，存在环境污染问题。,第二节 各类陶瓷基板,1、氧化铝基板（1）Al2O3陶瓷的基本性质（2）Al2O3晶体结构（3）Al2O3 陶瓷的分类及性能（4）Al2O3 陶瓷原料生产（5）Al2O3 陶瓷基板制作方法（6）Al2O3 陶瓷基板的应用 2、莫来石基板3、氮化铝基板(1)AlN 陶瓷性质(2)AlN 的导热机理(3)AlN 粉的制备(4)AlN 基板的制造(5)AlN 基板的金属化(6)AlN 基板的应用,4、碳化硅(SiC)基板(1)SiC基板的特性(2)生产原料(3)SiC基板的制造(4)SiC基板的应用5、氧化铍(BeO)基板(1)BeO基板的特性(2)BeO基板的制造,53,
