《《半导体光电子学课件》下集2.5异质结对载流子的限制.ppt》由会员分享，可在线阅读，更多相关《《半导体光电子学课件》下集2.5异质结对载流子的限制.ppt（5页珍藏版）》请在三一办公上搜索。
2.5 异质结对载流子的限制,一.异质结势垒对电子与空穴的限制,异质结势垒是由结两边材料带宽度差 分别在两带形成的台阶、构成 双异质结中，从N限制层注入p有源区的电子受到p-P同型异质结结成的势垒的限制 有源区与N区界面处的价带势垒又阻碍空穴扩散 阈值电流密度进一步降低室温连续激射,1.对电子的限制 由统计分布使某些高能电子能量 热运动 电子的泄漏 2.对空穴的限制 空穴势垒高度由 决定 统计分布造成空穴泄漏,3.漏电流 载流子泄漏主要是扩散模型，与T密切相关 e向 型限制层导带 能谷跃迁 e向 型限制层导带X能谷泄漏 h向 型限制层扩散,阈值电流,二.载流子泄漏对LD影响,1.辐射复合减少；2.内量子效率降低；3.阈值电流密度提高；4.漏电流是热电流，使异质结工作温度升高，影响器件工作热稳定性。,
