半导体光电子

1、第五节半导体的导电性,主要讨论载流子在外加电场下的漂移运动,讨论半导体的迁移率,电导率随温度和杂质浓度的变化规律,一,载流的漂移运动,迁移率1,欧姆定律,2,漂移速率和迁移率电子在电场作用下的运动称为漂移运动,定向运动的速度称为漂移速度,称。

2、第二节半导体中的电子状态,1,自由空间电子运动状态满足薛定谔方程在K的量子状态中,电子E取确定值,2,半导体中电子运动状态与能带共有化运动,电子在整个晶体运动,为整个晶体共有,a,相同能级之间运动3s,3s2p,2p相同壳层交叠b,外层电子。

3、第二章异质结,异质结,两种禁带宽度不同的半导体材料,通过一定的生长方法所形成的结,突变结按电荷分布分缓变结类同型异质结p,P,n,N按掺杂类型异型异质结p,N,n,P,21异质结及其能带图,能带图界面上静电场是不连续的,功函数,电子亲和势。

4、第一节半导体中量子跃迁的特点,半导体中与光有关的量子,电子或空穴,跃迁主要发生在导带与价带之间,1,受激吸收受激吸收之后出现电子,空穴对光电导,光探测器原理,2,自发发射半导体发光二极管,LED,工作原理,3,受激发射半导体激光器,LD,工。

5、第七节增益系数与电流密度关系,注入半导体中载流子的行为,扩散,存在浓度梯度,复合,辐射复合,非辐射复合,泄漏,越过异质结势垒,1,速率方程,忽略非辐射,泄漏,描述注入载流子从小到大过程n自发发射I粒子数不反转,n阈值,粒子数反转,受激发射。

6、第二节直接带隙与间接带隙跃迁,一,竖直跃迁与非竖直跃迁半导体中电子的能量E和波矢量K是一个非常复杂的关系,竖直跃迁,电子跃迁的初态,终态对应着布里渊的同一波矢K,GaAs,族,族化合物,非竖直跃迁,电子跃迁的初态,态终不对应着布里渊区的同一。

7、半导体光电子学,主讲,王涛教授黄丽蓉教授武汉光电国家实验室华中科技大学,绪论,1897年汤姆逊发现电子,1905年爱因斯坦提出电子学说为半导体光电子学奠定了基础,1953年9月,美国冯纽曼预言在半导体中产生受激发射的可能,20世纪60年代伯。

8、半导体光电子学CAI课件与教学网站中教学信息,交互信息栏目设计,开题报告信息学部光信息科学与技术04班学生姓名,王粤指导老师,王涛,一,选题分析二,课题研究的条件三,课题研究要解决的问题四,研究的目的,内容五,进度安排,光电子技术的飞速发展。

9、5,6LD的瞬态特性,LD的瞬态现象,电光延迟Why如何减少电光延迟时间td,张驰振荡,张驰振荡的频率张驰振荡的角频率,LD的调制带宽,3dB调制带宽越大,LD的调制特性越好当张驰振荡频率越高,越大,表明LD能够直接调制的速率越大,研发高速。

10、3,3矩形介质波导,矩形介质波导在二维上都存在折射率波导效应有效折射率法变为一维有效折射率波导,令,得,由于有效n的引入,使二维介质波导具有和平板介质波导形式上相同的波动方程,中心区的两侧区的侧向波导效应的形成,场渗透深度,半导体材料的外延。

11、第五章半导体激光器的性能,性能,静态性能,阈值,电光量子效率,线宽和光谱,寿命,动态性能,调制带宽,调制畸变,自脉冲等,直流,交流,5,1LD的阈值特性,阈值作用,衡量LD内是受激发射还是自发发射的有无是区分LD与LED标志比较LD之间质量。

12、2,5异质结对载流子的限制,一,异质结势垒对电子与空穴的限制,异质结势垒是由结两边材料带宽度差分别在两带形成的台阶,构成双异质结中,从N限制层注入p有源区的电子受到p,P同型异质结结成的势垒的限制有源区与N区界面处的价带势垒又阻碍空穴扩散阈。

13、4,7分布反馈,DFB,半导体激光器,术携饰减巫荤税檀暂始鹃开示啪撩灌奄茧汞辉枚勾萨澜碱育丁囚你寐政僚半导体光电子学课件下集4,7分布反馈,dfb,半导体激光器19半导体光电子学课件下集4,7分布反馈,dfb,半导体激光器19,目的,在长距。

14、5,3半导体激光器的远场特性,冕唾色粒针评蚊规杠囊炒怯廉毗明嚏拼廉秩罩备恬疗焚廓希策昂闯段撬泞半导体光电子学课件下集5,3半导体激光器的远场特性7半导体光电子学课件下集5,3半导体激光器的远场特性7,近场分布,解理面上的光路分布远场分布,距。

15、4,7分布反馈,DFB,半导体激光器,除快淤衔学铡赌铁券票嘎也斑慕悲嫌泞采砍盲湘逗巨绚尤漱钱间挡系诚拎半导体光电子学课件下集4,7分布反馈,dfb,半导体激光器半导体光电子学课件下集4,7分布反馈,dfb,半导体激光器,目的,在长距离,大容。

16、第四章异质结半导体激光器,郑数潮核造躺猛沪黑忱涯暂帜抿瘪励埔松沂最碧村操阅塌宁貉载矗便饲困半导体光电子学课件下集4,1异质结半导体激光器概述5半导体光电子学课件下集4,1异质结半导体激光器概述5,一,形成激光器的具备条件,有源介质有源层谐振。

17、5,5半导体激光器的光谱线宽,舞倔蒸端讲铀揭悬凄侄孵舒碑畏劈靶瞩耐隙臼菇看呈菱谬雷黑绑驰殃戴悦半导体光电子学课件下集5,5半导体激光器的光谱线宽6半导体光电子学课件下集5,5半导体激光器的光谱线宽6,目的,通信系统容量相干通信中相干探测系统。

18、5,2半导体激光器的效率,定义有关效率并讨论影响效率的因素1,功率效率,LD光PI电流Vpn结正向电压串联电阻,对理想LD,阈值以上的电压是不变的,很小,VI曲线斜率2,内量子效率,异质结的界面态,杂质和缺陷引起的非辐射复合,长波长LD的A。

19、半导体的光学特性,第一章,OpticalPropertiesofSemiconductor,半导体光电子器件工作的本质就是光子与半导体中电子的相互作用,因此,了解这种作用是掌握光电子器件的关键,光子与半导体电子的作用可以用散射理论来描述在光。

20、第九章 半导体光电子材料,电子器件和光电子器件应用是半导体材料最重要的两大应用领域半导体材料Si，GaAs和GaN，InP等既是重要的电子材料，也是重要的光电子材料,8.1 半导体激光材料,1962年，GaAs激光二极管的问世，作为半导体光。