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2、参数的spice网表，用于带有寄生参数的后仿真,中国科学技术大学软件学院,CSMC双硅三铝混合信号工艺,TB：tub，n阱，作为pmos器件衬底TO：Thin Oxide，有源区，作为mos的源漏区GT：gate，多晶硅1，作为mos栅极SP：P注入区SN：N注入区W1：接触孔，金属1到多晶硅和有源区的接触孔A1：铝1，第一层金属W2：通孔1，金属1和金属2的接触孔A2：铝2，第二层金属W3：通孔2，金属2和金属3的接触孔CP：bond pad，pad开孔IM：第二层多晶硅电阻阻挡层PC：poly Cap，用作多晶硅电容上极板和多晶硅电阻的第二层多晶硅PT：p tub，p阱，作为nmos器件衬
3、底,中国科学技术大学软件学院,CSMC05MS工艺库文件,中国科学技术大学软件学院,CMOS反相器版图设计与验证,中国科学技术大学软件学院,中国科学技术大学软件学院,版图绘制,中国科学技术大学软件学院,设计规则验证DRC,中国科学技术大学软件学院,指定输入输出文件,中国科学技术大学软件学院,查看DRC结果并调整Layout,中国科学技术大学软件学院,一致性验证LVS,DRC,Project下创建DRC、LVS、PEX用于版图设计不同环节，文件归类存储,中国科学技术大学软件学院,一致性比对文件指定,中国科学技术大学软件学院,等待并查看LVS验证结果,Net描述,中国科学技术大学软件学院,参数提取
4、PEX,中国科学技术大学软件学院,指定输出文件格式,中国科学技术大学软件学院,Map与输出布局设定,中国科学技术大学软件学院,指定提取参数与原理图中模型映射关系,中国科学技术大学软件学院,生成后仿电路config图,源文件,目标文件,中国科学技术大学软件学院,(1)指定新文件类型,中国科学技术大学软件学院,(2)获取源文件,中国科学技术大学软件学院,(3)生成config图,中国科学技术大学软件学院,运行后端仿真,中国科学技术大学软件学院,实验报告,完成CMOS版图设计，DRC检查无误完成LVS检查，获得正确结果完成PEX，生成寄生参数图完成后仿电路中CMOS反相器的DC、Trans仿真，记录结果，并与实验一比对，提交至教辅系统，截止时间 4月15日 24:00,Thank You!,
