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1、第七章 半导体存储器,7.1 概述 半导体存储器:能存储大量二值信息的器件。,特点:1.单元数庞大；2.输入/输出引脚数目有限。,一、一般结构形式,二、分类,随机读/写（RAM,Random-Access-Memory）,2、从工艺分：双极型 MOS型,1、从存/取功能分：,只读存储器(ROM,Read-Only-Memory）,掩模ROM可编程PROM可擦除的可编程EPROM,7.2 ROM 7.2.1 掩模ROM 一、结构,二、举例,字线输出W0-W3,位线输出d3-d0,D0Dm,两个概念：存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”，存储单元中有器件存入“1”，无器件存入“0”。存储器的容量
2、：“字数 x 位数”。,掩模ROM的特点：1.出厂时已经固定，不能更改，适合大量生产。2.简单，便宜，非易失性。,7.2.2 可编程ROM（PROM）,总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同。,1.熔丝由易熔合金制成；2.出厂时，每个结点上都有熔丝；3.编程时，将某些熔丝烧断；4.是一次性编程，不能改写。,可编程ROM（PROM）,总体结构与掩模ROM一样，但交叉点上都制作有存储元件，即都存1。,写入时，要使用编程器,写0时，使Vcc和选中的字线提高到编程所要求的高电平，同时在编程单元的位线上加入编程脉冲（幅度约20V，持续时间约十几微秒）将相应的熔丝熔断。,通过电阻接地,7.2.3 可擦除
3、的可编程ROM（EPROM）,总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同。一、用紫外线擦除的PROM（UVEPROM）,叠栅注入MOS管,二、电可擦除的可编程ROM（E2PROM）总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同。,经上拉电阻接VDD,三、快闪存储器（Flash Memory）为提高集成度，省去T2（选通管），改用叠栅MOS管（类似SIMOS管）。,作业：P383 7.1，7.2，7.7,7.3 随机存储器RAM,7.3.1 静态随机存储器（SRAM）一、结构与工作原理,1024 X 4位RAM（2114）的结构框图,A9,64行,64列,64列分为16*4,六管N沟道增强型MOS管,7
4、.3.2*动态随机存储器（DRAM）动态存储单元是利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理,7.4 存储器容量的扩展,7.4.1 位扩展方式 适用于每片RAM、ROM字数够用而位数不够时。接法：将各片的地址线、读写线、片选线并联即可。,例：用八片1024 x 1位 1024 x 8位的RAM,7.4.2 字扩展方式,适用于每片RAM、ROM位数够用而字数不够时。,1024 x 8RAM,例：用四片256 x 8位 1024 x 8位 RAM。,片选信号：CS,CS,(2),(3),(4),字扩展方式,7.5 用存储器实现组合逻辑函数,一、基本原理 从ROM的数据表可见：若以地址线为输入变量，则数据线即为一组关于地址 变量的逻辑函数。,二、举例,用ROM实现的八段显示译码器,作业：P383，7.3，7.5，7.8,
