电子元器件及其选择.ppt

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1、电子技术基础技能,一、课程说明,课程性质是一门专业基础课程，通过学习，要求掌握专业相关岗位（群）职业能力中包含的电子电器产品的检测、选购、应用工作所必需的基本技能。下面我们看一些电子产品与测试仪器仪表，希望同学们能发现些问题！,电视机主板,电视机遥控部分,计算机主板,手机主板,电话机电路,电子产品生产流水线,电梯主控电路,机床与控制电路,测试仪器万用表,测试仪器,频谱仪,电容测试仪,二、教学目标,1、掌握常用电子元器件的正确识别与检测方法；2、掌握常用工具、电工电子仪器仪表的正确使用；3、理解常用电子电路和简单电子整机电路的分析、检测与常见故障排除方法；4、掌握电子电路安装的工艺知识。,三、教

2、学单元,基本技能一 电子元器件及其选择(16课时）基本技能二 常用工具和器材的使用（10课时）基本技能三 常用电子仪表的使用（16课时）基本技能四 电路安装技术（2课时）基本技能五 电路识读的基本方法（2课时）基本技能六 电路测试的一般方法（2课时）基本技能七 处理电路故障的一般方法（2课时）基本技能八 查询技术资料的方法（2课时）,四、成绩考核 1、平时成绩（出勤、纪律）20分；2、期末实作考试成绩50分；3、每个教学单元的实作测评与个人总结30分；,五、要求 1、遵守实验室的规程；2、完成实践能力的独立；3、资料文献检索应用；,基本技能一 电子元器件及其选择 教学目标：了解电子元器件的分类

3、与选择方法，掌握常用元 器件的测量方法，领会选择、购买和应用元器件。教学重点：1.电阻器 2.电容器 3.电感器 4.半导体器件 5.集成电路,一、电阻器,R,R=U/I?,碳膜固定电阻器,金属膜固定电阻器,不燃性金属氧化膜电阻器,温度保险丝线绕电阻器,线覆型/线绕涂覆型熔断电阻器,水泥电阻,线绕电阻器,大功率涂漆线绕电阻器,陶瓷金属片式电阻器,RX24型铝壳功率线绕电阻器,高压电阻,玻璃釉电阻,体温计专用热敏电阻,高精密电阻,片状高压电阻,线绕电位器,玻封系列热敏电阻,SXHF系列热敏电阻,MF5A系列热敏电阻,MF72功率型NTC热敏电阻器,MZ12A型PTC热敏电阻器,光敏电阻,贴片光敏

4、电阻,金属壳光敏电阻,过压保护型压敏电阻器,湿敏电阻,2、电阻器的特点与应用,参见教材P4，一边讲解一边了解；,3、单位换算,4、电阻器的型号与命名（1）、固定电阻器命名,例：RJ71 精密的金属膜电阻器 WSW1 微调有机实芯电位器,5、色环电阻的识别常用的是四色环 T（数字数字的个数误差）,应用：T 1)黄 白 棕 金 4 9 0 5%4905 2)红 红 橙 金 2 2 000 5%220005 3)棕 黑 黄 银 1 0 0000 10%100K10 4)蓝 黄 绿 银 6 4 00000 10%6.410,四环电阻：半精密电阻，误差2%，多为碳膜电阻（RT）；四环电阻读取时金(银)色

5、环放置右端，依次序从左 向右读取；,数字环,数字环,0的个数,误差,五色环：T（数字数字数字的个数误差）,范例：T 1)红 紫 绿 红 棕 2 7 5 00 1%27.5k1 2)紫 绿 棕 黑 棕 7 5 1 1%7511 3)棕 红 紫 金 红 1 2 7 10 2%12.72 4)紫绿黑 银 棕 7 5 0 10 1%7.501,五环电阻：精密电阻，误差2%，多为金属膜电阻（RJ）；五环电阻读取时色环密集一方放置左端，右端误差环一般为棕、红色，依次序从左向右读取；,数字环,数字环,0的个数,误差,数字环,6、电阻器的技能训练,（1）、准备器材 固定色环电阻4支、可调电阻1支、热敏电阻2支

6、、指针（数字）万用表一台；（每个组）（2）、训练目标 识别、测试、读数、换算、选用（3）、训练步骤 万用表的使用（先讲述后使用）电阻器的识别测试读数填写(p60,61表1-55;1-571-58）模拟选购总结,7、电阻器的选用和替换原则,（1）选用 1.主要参数必须得以满足 标称阻值、材料、额定功率 2.在高频电路中选用分布参数小的电阻器 分布电容、分布电感 3.在高增益前置放大电路中，应选用噪声电动势小的电阻器。4.针对电路工作频率选用不同种类的电阻器 低频线绕电阻高频、（2）替换原则.功率相近.阻值相近.材料相同,二、电容器,电容器是一种储能元件，是电子线路中不可缺少的重要元件。1、电容器

7、的结构特点及作用（1）.结构特点 电容器是由两个相互靠近的金属电极板，中间夹绝缘介质构成的。在电容器的两个电极上加电压时，电容器就能储存电能。（2）.电容器的作用 电容器广泛用于高低频电路和电源电路中，起耦合，滤波，旁路，谐振，降压，定时等作用。,2、电容器的电路图形符号,电容器的一般图形符号,电解电容图形符号,新,旧,穿芯电容图形符号,微调电容,单连可变电容,双连可变电容,+,涤纶电容,聚苯乙烯电容,纸介电容器,金属化纸介电容,陶瓷电容,云母电容器,电解电容,贴片钽电容,贴片电容,插件钽电容,铝电解电容,独石电容,3、电容器的分类,电容器,固定电容器,可调电容器,有机介质电容器,无机介质电容

8、器,电解电容器,调谐电容器,微调电容器,有机介质电容器,无机介质电容器,电解电容器,漆膜电容器,有机薄膜介质电容器,混合介质电容器,纸膜复合介质电容器,纸介电容器,陶瓷电容器,云母电容器,玻璃膜电容器,玻璃釉电容器,铝电介电容器,铌电介电容器,钛电介电容器,合金电解电容器,钽电介电介质,调谐电容器,微调电容器,空气电容器,真空电容器,充气电容器,有机薄膜电容器,陶瓷电容器,C,2,3,4,序号,分类,材料,主称,4、电容器的命名及表示方法,第一部分主称，统一规定用C表示,第二部分表示介质材料,第三部分用数字表示电容分类,5、电容器的主要参数 1.标称容量 2.额定直流工作电压 指在线路中能够长

9、期可靠地工作而不被击穿时所能承受的 最大直流电压。（.3V、10、16V、25V、63V、100V等）注：瓷介电容没有标耐压则为63V。3.绝缘电阻 指电容器两极之间的电阻。（又称漏电阻）,6、电容器容量的标注方法 1、直标法:凡不带小数点的整数，若无标注单位,表示是皮法(如4700)凡带小数点，若无标注单位，则表示是微法(如0.22)2.文字符号法:3.数码标注法:如222、229 单位是PF 4.色标法,7、电容的检测方法,用万用表R1或R100档检测容量大于0.047uF的电容，小于0.047uF的用R10K的检测，容量太小时万用表无反应，此时指针指示。A 容量大小的检查将表笔并接于电容

10、两引脚；表针先偏转，然后逐渐复原；调换表笔再测，表针又偏转，但应偏转得更远一些；前几步是电容充电和放电时的情形，电容量越大，指针偏转幅度就越大，指针复原的速度也就越慢说明电容充、放电时间越长。由此判断电容容量的大小。,（1）、漏电阻和容量的检测：,B 电解电容极性的判别：电解电容特性：正向接入时，漏电流小，所测漏电阻大。反向接入时，漏电流大，所测漏电阻小。选R10K档;将表笔并接于电容器两端测量其漏电阻值并记下;对电容器进行放电，调换表笔再测，记下漏电阻值;将两次漏电阻值进行比较，漏电阻值大的一次测量时黑表笔所接的是电容器的正极,红表笔所接的是电容器的负极。,（）漏电阻大小的判断 将表笔并接于

11、电容两引脚；表针先向顺时针方向偏转一下，然后逐步按逆时针复原，即返至无穷处，若表针不能返回到无穷处，则所指示的值就为电容器的漏电阻值，此值越大越好，越大说明电容器绝缘性能越好。,8、电容的常见故障.开路失效.短路击穿.介质损耗增大,9、电容器的选用、代换,电容器的选用（1）根据应用电路的具体要求选择电容器 a.高频和超高频电路中,应选用云母电容；玻璃釉电容 或高频瓷介电容。b.中低频电路中选用纸介电容；金属化纸介电容；有机 薄膜电容；低频瓷介电容；电解电容。注:所选电容器的主要参数及外形尺寸要符合要求。,电容的替换原则（）材料相同（）容量相近或相同（）耐压相近或相同,三、电感器,1、电感器的种

12、类与参数（1）.电感器的分类和图形符号,电感器是电子设备中的重要组成元件。是一种储能元件，能把电能转换成磁场能。,常用电感器符号,电感器（无磁芯电感）,带磁芯电感,磁芯有间歇电感,带可调磁心电感器,变压器,带中心抽头变压器,多路输出电压变压器,插针式变压器,桥架式变压器,环形变压器,R型变压器,CD形变压器,立式高频变压器,磁环类电感器,振流圈,单相电抗器,三相电抗器,三相大功率变压器,中 周,贴片电感,行 振 荡,色码电感,色码电感,高频交流线圈,偏转线圈,2.电感器的结构骨架：用绝缘性能较好的材料做成不同的形状，导线就绕在上面构成线圈。绕组：漆包线、纱包线磁心：通过调节磁心在线圈内的位置可

13、改变电感量的大小。屏弊罩：为了减小线圈自身磁场对周围元件的影响。,.电感器型号命名（1）电感线圈命名,1,2,3,型号 用数字或字母表示X表示小型,特征 用字母表示G表示高频,产品名称L,4,区别代号,例：LGX：表示小型高频电感线圈,固定电感器以LG1型和LG2型最为常见：LG1型固定电感器是轴向引线，即两条引线在电感器的两端。LG2型固定电感器是同向引线，即两条引线在电感器的同一端。固定电感器的最大工作电流可用英文字母来表示，如下表：,例:LG1-B-56uH10%表示两端轴向引线，最大工作电流为150mA,标称电感为56uH，允许偏差为10%的固定电感器。,电感线圈全称：型号工作电流电感

14、量偏差,（2）中频变压器型号命名,1.产品名称,T 中频变压器,2.尺寸 1表示7mm*7mm*7mm 2表示10*10*14 3表示12*12*16 4表示20*25*36,3.级数,1表示用于中频第一级 2表示用于中频第二级 3表示用于中频第三级,（3）电源变压器型号命名,变压器命名符号及意义,二、电感线圈的主要参数,1.电感量L 电感量L表示线圈本身固有特性，电感量大小与线圈的圈数、尺寸、内部有无磁心以及绕制方式有关。,2.品质因素Q 品质因素Q是表示线圈质量的一个物理量，Q为感抗XL与其等效电阻的比值，即,值与线圈的工作频率、电感量以及导线的直流电阻有关。线圈的Q值愈高，回路的损耗愈小

15、。常为几十到几百。,3.分布电容 线圈的匝与匝间、线圈与屏蔽罩间、线圈与底版间存在的电容被称为分布电容。分布电容的存在使线圈的Q值减小，稳定性变差，因而线圈的分布电容越小越好。通常采用减小线圈骨架，减小导线直径和改变绕法减少分布电容。,4.稳定度 在温度、湿度等环境因素改变时，线圈的电感量及也会随着改变。稳定度是表示线圈参数随环境条件变化而变化的程度。5.额定电流 指线圈正常工作时能承受的最大电流，对于阻流线圈、大功率谐振线圈和电源滤波线圈，额定工作电流是一个重要参数。通常用字母A、B、C、D、E分别表示，额定电流值为50mA、150mA、300mA、700mA、1600mA。,三、变压器的主

16、要参数（1）变压器的变压比 变压器一次电压与二次电压的比值称为变压比。通常变压比直接标出电压变换值，如220V/10V.（2）变压器的效率：一般变压器的效率与设计参数、材料、制造工艺及功率有关。通常20以下的变压器效率约为7080，而100以上的变压器效率可达95以上。（3）额定功率:是变压器在指定频率和电压下能长期连续工作 而不超过规定温升的输出功率，用伏安表示。（4）频率特性 指输出信号的变压器（如音频变压器）对不同频率分量的传输能力。,（5）空载电流 变压器在工作电压下二次侧空载时，一次绕组流过的电流称为空载电流，一般不超过额定电流的10%。空载电流大的变压器损耗大、效率低。（6）绝缘电

17、阻和抗电强度 变压器绕组之间、绕组与铁心之间以及引线之间的绝缘电阻；抗电强度指的是在规定时间内变压器可承受的电压，它是变压器特别是电源变压器安全工作的重要参数。常用的小型变压器的绝缘电阻不小于500M，抗电强度大于2000V。,四、电感器的检测 1、电感线圈的检测,(1)利用高频Q表或电感表进行测量电感量；(2)用万用表的欧姆档测量电感线圈的直流电阻。一般线圈的直流电阻在零点几欧到几欧之间。,、变压器的检测,(1)、初级和次级的判断（针对降压）初级：匝数多，线直径细，直流电阻大；次级：匝数少，线直径粗，直流电阻小。,(2)、检测绕组通断用万用表的档测量初级和次级直流电阻，初级一般为几十到几百欧

18、姆，次级一般为几欧到几十欧姆。若电阻为无穷大，说明线圈内部或引脚已断开；若阻值较小，说明变压器内部线圈有严重的短路。,五、观看实际的电感器件,()、检测输出电压将一次绕组的两端接入220交流电压，测量其二次绕组两端的输出电压是否与标称值相符。()、绝缘性能的检测用10档测一次绕组与二次绕组之间，铁心与各绕组之间的阻值，应为无穷大，若小于10，说明绝缘性能不良。()、变压器相位的判定,若i+Vo 则、为同名端,若iVo 则、为同名端,四、半导体二极管,1.构成 在PN结的基础上加上电极引线和封装外壳。2.特性 单向导电性,3.作用 整流、检波、嵌位、限幅、稳压、发光、开关等。,一、构成及特性,4

19、.分类,稳压二极管,发光二极管,光电二极管,变容二极管,5.常用二极管的图形符号,二、国产二极管的型号命名,二极管材料和极性部分字母的含义,二极管类型部分字母的含义,三、二极管的主要参数,1.最大整流电流 IF,二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。,2.最大反向电压URM,是保证二极管不被击穿时所加的最高反向峰值电压，一般给出的是二极管反向击穿电压UBR的一半或三分之二。二极管击穿后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。,3.反向峰值电流IRM,四、二极管的检测方法和极性判别,.二极管的检测 锗材料二极管的正向电阻值为几百欧至2k左右，反向电阻值为300k左右。硅材料二极管的正向电

20、阻值为几百欧至5 k左右，反向电阻值为（无穷大）。正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。正、反向电阻值相差越悬殊，说明二极管的单向导电特性越好。,指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，IRM受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流较大，为硅管的几十到几百倍。,2二极管极性的判别 将万用表置于R100档或R1k档，两表笔分别接二极管的两个电极，测出其阻值后，对调两表笔，再测出其阻值。两次测量的结果中，有一次测量出的阻值较大（为反向电阻），一次测量出的阻值较小（为正向阻）。在阻值较小的一次测量中，黑表笔接的是二极管的正极，红表笔接的

21、是二极管的负极。,五、二极管的选用、代换,检波二极管的选用与代换 a.检波二极管的选用 检波二极管一般可选用点接触型锗二极管。选用时应根据电路的具体要求选择工作频率高，反向电流小，正向电流足够大的检波二极管。b.检波二极管的代换 检波二极管损坏后，若无同型号二极管可更换时，可选用半导体相同，主要参数相近的二极管来代替。,.整流二极管的选用与代换 a.整流二极管的选用 整流二极管一般选用平面接触型硅二极管（电流大，温度高）用在各种电源整流电路中。选用整流二极管时，主要考虑其最大整流电流，最大反向工作电压，截止频率及反向恢复时间等参数。普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管，只要根据电路要求选择最

22、大整流电流和最大反向工作电压符合要求的整流二极管；开关稳压电源的整流电路及脉冲整流电路中使用的二极管，应选用工作频率较高，反向恢复时间较短的整流二极管。b.整流二极管的代换 整流二极管损坏后，可用同型号的整流二极管或参数相同的其它型号整流二极管代替。通常：高耐压值（反向电压）的整流二极管可代换低耐压值的整流二极管，整流电流大的二极管可代用整流电流小的二极管。,3.稳压二极管的选用与代换,(1)稳压二极管的选用：在选用稳压二极管时，应注意稳压二极管的稳定电压值及最大稳定电流（一般应比最大负载电流的50%要大一些）。(2)稳压二极管的代换：原则上，应用同型号或参数相近的稳压管代换。另外，在具有相同

23、稳定电压值的基础上：高耗散功率稳压二极管可代换低耗散功率稳压二极管。,4.开关二极管的选用与代换(1)开关二极管的选用：开关电路和检波电路，可选用2AK系列普通开关二极管。高速开关电路可选用RLS系列；ISS系列；IN系列；ZCK系列的高速开关二极管。根据电路的主要参数（正向电流，最高反向电压反向恢复时间等）来选择。,(2)开关二极管的代换 开关二极管损坏后，可用同类型或参数相同的开关二极管代换。另外，高速开关二极管可代换普通开关二极管，反向电压高的可代换反向电压低的开关二极管。5.变容二极管的选用与代换(1)变容二极管的选用 在选用时，应注意工作频率，最高反向工作电压，最大正向电流，零偏压结

24、电容。同时，应选用结电容变化大，反向漏电流小的变容二极管。(2)变容二极管的代换 变容二极管损坏后，应用原型号或主要参数相同（特别是结电容范围相同或近似）来代换。,六、观看二极管实物图,稳压二极管,贴片二极管,整流二极管,发光二极管,LED数码管,发光二极管,光敏二极管,红外发射二极管,变容二极管,激光二极管,LED二极管电筒,旋转整流二极管,片式二极管,1.半导体三极管,一、三极管的构成、符号和分类.构成 2.符号,NPN三极管,PNP三极管,3.分类,晶 体 三 极 管,按材料分,按PN结分,按封装分,锗晶体三极管,硅晶体三极管,NPN型三极管,PNP型三极管,高频管,大功率管,中功率管,

25、小功率管,玻璃壳封装管,金属壳封装管,陶瓷环氧封装管,低频管,G型金属封装管,F型金属封装管,按工作频率分,按功率分,方型金属封装管,二、国产三极管的命名,3DG6C,电极数目,材料或极性,类型,序号,区别代号,三极管材料和极性部分字母的含义,三极管类型部分字母的含义,1、日本半导体分立器件型号命名方法（2SXXX）,第一部分：用数字表示器件结数目或类型。0-光敏二极管、三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2具有两个结的其他器件、3-具有三个pn结的其他器件、依此类推。第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。第三部分：用字母表

26、示器件使用材料极性和类型。A-PNP型硅高频管、B-PNP型硅低频管、C-NPN型锗高频管、D-NPN型锗低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。,三、国外三极管的命名,第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。,第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。,2、美国半导体分立器件型号命名方法（X2NXXX）,美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：第一部分：用符号表示器件用

27、途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、（无）-非军用品。,第二部分：用数字表示pn结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记。第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。第五部分：用字母表示器件分档。A、B、C、D、同一型号器件的不同档别。如：JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管，JAN-军级、2-三极管、N-EIA 注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-A档。,第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用

28、材料的禁带宽度Eg=0.61.0eV 如锗、B-器件使用材料的g=1.01.3eV 如硅、C-器件使用材料的Eg1.3eV 如砷化镓、D-器件使用材料的Eg0.6eV 如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料。第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极管；B-变容二极管；C-低频小功率三极管；D-低频大功率三极管；E-隧道二极管；F-高频小功率三极管；G-复合器件及其他器件；H-磁敏二极管；K-开环磁路中的霍尔元件；L-高频大功率三极管；M-封闭磁路中的霍尔元件；P-光敏器件；Q-发光器件；R-小功率晶闸管；S-小功率开关管；T-大功率晶闸管；U-大功率开关管；X-

29、倍增二极管；Y-整流二极管；Z-稳压二极管。,3、国际电子联合会半导体器件型号命名方法（BDXXX）,第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。,4、韩国半导体分立器件型号命名方法（90XX）NPN：9011、9013、9014、9016、9018。PNP：9012、9015。,如：BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管,四、三极管的主要参数,1、电流放大系

30、数和hFE 表示交流电流放大系数，hFE表示直流电流放大系数。常在三极管外壳上用色点表示hFE。,国产锗、硅开关管,高、低频小功率管,硅低频大功率管所用的色标标志如下表 所示。,2、集电极最大电流ICM ICM是值下降到额定值的2/3时，所允许通过的最大集电极电流。,3、集电极最大允许功耗PCM PCM决定管子的温升。硅管的最高温度150OC，锗管为70OC。,4、特征频率fT 三极管工作频率超过一定值时，开始下降，当=1，所对应的频率叫特征频率。,五、三极管的检测方法和极性识别,1、常用晶体三极管的外形识别,小功率晶体三极管外形电极识别:对于小功率晶体三极管来说,有金属外壳和塑料外壳封装两种

31、,如下图所示。,大功率晶体三极管外形电极识别:对于大功率晶体三极管,外形一般分为F型，G型两种,如下图(a)所示。F型管从外形上只能看到两个电极。将管脚底面朝上,两个电极管脚置于左侧,上面为e极,下为b极,底座为C极。G型管的三个电极的分布如下图(b)所示。,2、万用表检测三极管的管脚,选用万用表R100和R1k挡（）确认基极和类型假设一只引脚为b极,黑表笔接假设的基极b，红表笔分别接另外两只引脚，如测得两次的阻值都较小而且相近，说明假设成立.且知是型。如两次阻值都很大，用红表笔接假设的基极，黑表笔分别接另外两只引脚，如测得两次的阻值也都较小而且相近，说明假设也成立.且知是型。,（）、判定集电

32、极c和发射集e。现以NPN型三极管为例加以说明。将万用表置于R1k挡。假设一只引脚为c,那另一只引脚为e。用黑表笔接假设的c，红笔接假设的e.,然后用手指将基极与假设的c短接起来，记下阻值。然后再作相反的假设，即把原来假设的c现假设为e,原来假设的e现假设为c，用同样的方法测试并记下阻值。将这两次阻值进行比较.阻值小的一次,测量时黑表笔接的是c,红表笔接的是e。对于PNP型与NPN型刚好相反。,将万用表置于R1k挡，用表笔测量余下的两只引脚，调换表笔测量两次，记下每次阻值，然后进行比较，阻值小的一次，对型来说，黑表笔接的是e,红笔接的是c。对PP型来说，黑表笔接的是c,红笔接的是e。将已判别出

33、基极的三极管管脚插入测晶体管直流放大系数的插孔中，（N型、P型），基极对准b,另两引脚任意插入。读出，再将两引脚对调一下插入测试，再读出，将两次的进行比较，大的一次插入引脚正确，从插孔旁的标记即可知c、e.,六、观看三极管实物图,塑封大功率三极管,塑封小功率三极管,1.光电耦合器,一、光电耦合器的定义、组成及分类1、定义 光电耦合器是以光为媒介传输电信号的一种电-光-电转换器件。2、组成 它由发光源和受光器两部分组成。把发光源和受光器组装在同一密闭的壳体内，彼此间用透明绝缘体隔离。发光源的引脚为输入端，受光器的引脚为输出端，常见的发光源为发光二极管，受光器为光敏二极管、光敏三极管等。,3、分类

34、 常见有光电二极管型、光电三极管型、光敏电阻型、光控晶闸管型、光电达林顿型、集成电路型等,二、光电耦合器的工作原理 光电耦合器是一种把电子信号转换成为光学信号，然后又转为电子信号的半导体器件。在光电耦合器输入端加电信号使发光源发光，光的强度取决于激励电流的大小，此光照射到封装在一起的受光器上后，因光电效应而产生了光电流，由受光器输出端引出，这样就实现了电-光-电的转换。,光电耦合器的操作原理,光电耦合器的标志和现象,1.可控硅（晶闸管）,晶闸管是晶体闸流管的简称,又称为可控硅整流器,在国内俗称可控硅。,一、晶闸管的分类和符号,、分类（1）、从外形分螺栓型和平板型额定电流小于200A的晶闸管用螺

35、栓型，额定电流大于200A的晶闸管用平板型。,（2）、按控制方式分普通晶闸管、双向晶闸管、温控晶闸管（TSCR）和光控晶闸管（LSCR）等多种。,（3）、按引脚和极性分类 二极晶闸管、三极晶闸管和四极晶闸管。（4）、按封装形式分类 金属封装晶闸管、塑封晶闸管和陶瓷封装晶闸管三种类型。其中，金属封装晶闸管又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封晶闸管又分为带散热片型和不带散热片型两种。（5）、按功率分类 大功率晶闸管、中功率晶闸管和小功率晶闸管三种。通常，大功率晶闸管多采用金属壳封装，而中、小功率晶闸管则多采用塑封或陶瓷封装。,、符号,二、单向晶闸管的工作原理,可控硅是PNPN四层三端结构元件，

36、共有三个PN结。,晶闸管可看成由PNP和NPN型两个晶体管联接而成,1)晶闸管阳极A与阴极K之间加正向电压，若控制极断开，两个三极管均无基极电流，晶闸管不导通。,2)在控制极G与阴极K之间加正向电压，当IG到达一定数值，T2首先导通：IB2=IG，IC2=IB2=IG,又：IB1=IC2,随后T2导通，IC1与IG一起进入T2的基极后再次放大。,该过程在极短时间内连锁循环进行，晶闸管瞬间全部饱和导通。,3）晶闸管导通后，即使控制极与外界断 开，T2管的基极电流IB2=IC1IA，比IG 大，管子维持导通，IA=IK,VAK=1V。,在导通后，要关断晶闸管：,晶闸管导通后，控制极失去控制作用,1

37、）阳极电流IA减小到某一数值以下，内部连锁状态不能维持，管子截止。,2)切断阳极电源,3)在阳极和阴极之间加反向电压,可控硅导通和关断条件,三、晶闸管的命名,目前,第二部分：类别P普通反向阻断型、K快速反向阻断型、S双向型。,第三部分：额定正向平均电流1：1A、5：5A、10：10A、20：20A、30：30A 50：50A、100：100A、200：200A、300：300A、400：400A、500：500A。,第四部分：额定电压级数1：100V 2：200V 3：300V 4：400V 5：500V 6：600V 7：700V 8：800V 9：900V 10：1000V 12：1200

38、V 14：1400V,四、单向可控硅的检测和极性确定,、检测一般可用万用表欧姆档检查晶闸管阳极与阴极之间以及阳极与控制极之间有无短路。将万用表置于欧姆挡R1K，测量阳极与阴极之间、阳极与控制极之间的正反向电阻，正常时应很大（几百千欧以上）。再检查控制极与阴极间有无短路或断路。可将万用表置于欧姆挡R1或R10，测出控制极对阴极正向电阻，一般应为几欧至几百欧，反向电阻比正向电阻要大一些。其反向电阻不大不能说明晶闸管不好，但其正向电阻不能为零或大于几千欧，正向电阻为零时，说明控制极与阴极间短路；大于几千欧时，说明控制极与阴极间断开。,极性确定方法：用万用表欧姆档的R1或R10档，用黑表笔接其中的一之

39、管脚，用红表笔去接剩下的两只管脚，测量阻值为几欧至几百欧姆这一次，黑表笔接栅极，红表笔接阴极，剩下的管脚为阳极。,五、看实物图,1.8 半导体场效应管,一、作用及分类,、作用 放大、集成、开关等。、分类 按导电极性：N沟道、P沟道。按材料：Si、Ge 按控制方式：结型场效应管（JFET）、绝缘栅型场效应管(MOSFET）,利用电压控制电流以实现放大作用的半导体器件。,3、场效应管的结构及符号,N沟道JFET,P沟道JFET,G,D,S,N沟道耗尽型MOS,P沟道耗尽型MOS,N沟道增强型MOS,P沟道增强型MOS,二、国产场效应管的命名,第一种命名方法与双极型三极管相同第一位是电极数目（数字）

40、；第二位是材料（字母）；A是锗，反型层是P沟道；B是锗，反型层是N沟道；C是硅，反型层是P沟道；D是硅，反型层是N沟道。第三位是类型（字母）J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。例如：3DJ6D是结型N沟道场效应管，3DO6C 是绝缘栅型N沟道场效应管。,第二种命名方法是CS#CS代表场效应管，以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。,三、场效应管的主要参数,1、I DSS 饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压UGS=0时的漏源电流。2、UP 夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅源极电压。3、UT

41、 开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。4、gm 跨导。是表示栅源电压U GS 对漏极电流I D的控制能力，即漏极电流I D变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gm是衡量场效应管放大能力的重要参数。,四、MOS场效应晶体管使用注意事项,MOS场效应晶体管在使用时应注意分类，不能随意互换。MOS场效应晶体管由于输入阻抗高（包括MOS集成电路）极易被静电击穿，使用时应注意以下规则：,（1）、MOS器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中，切勿自行随便拿个塑料袋装。也可用细铜线把各个引脚连接在一起，或用锡纸包装（2）、取出的MOS器件不能在塑料板上滑动，应用金属盘来盛放待用

42、器件。（3）、焊接用的电烙铁必须良好接地。,（4）、在焊接前应把电路板的电源线与地线短接，再MOS器件焊接完成后在分开。（5）、MOS器件各引脚的焊接顺序是漏极、源极、栅极。拆机时顺序相反。,（6）、电路板在装机之前，要用接地的线夹子去碰一下机器的各接线端子，再把电路板接上去。（7）、MOS场效应晶体管的栅极在允许条件下，最好接入保护二极管。在检修电路时应注意查证原有的保护二极管是否损坏。,六、观看实物图,1.9 集成电路（IC）,集成电路是把一个电子单元电路或某一个功能、一些功能，甚至某一整机的功能电路集中制作在一个晶片或瓷片上，并封装在一个便于安装焊接的外壳中。特点：体积小、重量轻、成本低、耗电少、可靠性高和电气性能优良等优点。,一、集成电路分类,、按制造工艺和结构分,7、课后作业,1、教材中的内容熟悉，完成教材P60第10、11、12题目；2、图书馆查阅、网络检索相关资料；3、独立测试测评；4、个人总结；200字600字,