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1、FET特性與應用電路,NMOS-FET(enhancement),Drift current by S/D electrical fieldUni-carrier transportationAmplifier at saturation region,ID-VG,ID&VGS,ID=K2(VGS-Vt)VDS-VDS2,ID&VG,ID&VG,Id-Vg&Id-Vd,MOSFET的特性,四個端點:閘極（Gate；G極）、源極（Source；S極）、汲極（Drain；D極）、基板（Body；B極）PMOS和NMOS原理亦同，只是操作極性相反。可分為兩種:空乏型（Depletion MOS:no
2、rmal-on），另一種為增強型（Enhancement MOS:normal-off）,NMOS-FET(depletion),植入通道,MOSFET特性,截止區（Cut-off Region）：VGSVt,ID受到VGS影響,也隨VDS的大小而改變，VDS愈大ID愈大。ID=K2(VGS-Vt)VDS-VDS2飽和區或夾止區（Saturation or Pinch-off Region）：Vt VDS-VGS FET像個定電流源，由VGS控制電流的大小，ID不受VDS大小的影響(理想上)。這個區域也是一般放大電路經常使用的區域。ID=K(VGS-Vt)2,MOSFET的特性,N-Chann
3、el 增強型 特性曲線,MOSFET的特性,N-Channel 空乏型 特性曲線,型號及腳位,LAB 1,1.Vt(3SK81 N-channel Depletion MOS)：如(a)接線，其中的DVM為電表電壓檔如(b)接線，求出VT(看RD的跨壓)2.Vt(IRF630 N-channel Enhancement MOS)：如(c)接線如(b)接線，求出VT(看RD的跨壓)3.IDSS：如(b)接線，當VGS=0時(VGG=0)，此時的ID即為IDSS，求MOSFET的 IDSS(看RD的跨壓),VDD=10V RD=1K RG=1M,LAB 1,4.Curve Tracer(2 pic
4、s)(3SK81,IRF630)5.如右圖接線，VDD=5V，RD=10K，輸入改成100Hz、波谷0V、波峰5V的弦波。分別觀察A、C兩點波形並畫下。(一個圖)使用X-Y mode觀察A-C的波形(VA為X軸、VC為Y軸)。(一個圖)(請記得XY要使用DC,歸零),LAB 2 偏壓電路,VDD=5V,RG=1MRD=1K 1.如(a)接線，調整VGG使VD=2.5V，量出VD、VS、VG及ID。2.換入另一個同樣的FET，量出VD、VS、VG及ID，計算ID偏移量。3.如(d)，其中R1=1K、R2=3K，調整RS到ID為步驟(1)的ID值，量出VD、VS、VG及ID，重複步驟(2)。(Hi
5、nt:VD=2.5V)4.如(e)，其中RD為200串1K可變電阻，調整RD到ID為步驟(1)的ID值，量出VD、VS、VG及ID，重複步驟(2)。,LAB 3,LAB 3,VDD=10VR11=1K,R2=10KR12選用可變電阻100K2.調整R12使VDS=5V:輸入100mV、10KHz的弦波，用DC檔觀察輸出波形，計算相位差與電壓增益。作出此電路的頻率響應。（2 pics）拿掉Cs，重複上述步驟記錄在第6步驟.（2 pics）3.調整輸入到”最大而不失真”的狀態，記錄Vi跟Vo的振幅大小。4.調整R12使VDS 6V:以步驟(3)所得訊號輸入，此時放大器的輸出訊號是否失真？(1 pic)5.調整R12使VDS=3V:以步驟(3)所得訊號輸入，此時放大器的輸出訊號是否失真？(1 pic),值日組,4,5,7,8,
