烧结基础知识.ppt

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1、1,第九章 烧 结,2,主要内容 1、烧结推动力及模型 2、固相烧结和液相烧结过程中的四种基本传质 产生的原因、条件、特点和动力学方程。3、烧结过程中晶粒生长与二次再结晶的控制。4、影响烧结的因素。,3,第一节 概述 烧结过程是一门古老的工艺。现在，烧结过程在许多工业部门得到广泛应用，如陶瓷、耐火材料、粉末冶金、超高温材料等生产过程中都含有烧结过程。烧结的目的是把粉状材料转变为致密体。研究物质在烧结过程中的各种物理化学变化。对指导生产、控制产品质量，研制新型材料显得特别重要。,4,一、烧结的定义及指标,定义1:压制成型后的粉状物料在低于熔点的高温作用下、通过坯体间颗粒相互粘结和物质传递，气孔排

2、除，体积收缩，强度提高、逐渐变成具有一定的几何形状和坚固整体的致密化过程。,物理性质变化：V、气孔率、强度、致密度 缺点：只描述宏观变化，未揭示本质。,5,定义2:在表面张力作用下的扩散蠕变。,优点：揭示了本质。缺点：未描述宏观物理性质变化。,6,烧结的指标,烧结收缩率强度实际密度/理论密度吸水率气孔率等,7,二、烧结分类,按照烧结时是否出现液相，可将烧结分为两类：,固相烧结,液相烧结,烧结温度下基本上无液相出现的烧结，如高纯氧化物之间的烧结过程。,有液相参与下的烧结，如多组分物系在烧结温度下常有液相出现。,近年来，在研制特种结构材料和功能材料的同时，产生了一些新型烧结方法。如热压烧结，放电等

3、离子体烧结，微波烧结等。,8,图1 热压炉,9,图2 放电等离子体烧结炉（SPS）,10,图3 气压烧结炉（GPS）,11,图4 微波烧结炉,12,烧结,材料性质 结构,晶粒尺寸分布气孔尺寸分布晶界体积分数,陶瓷、耐火材料、粉沫冶金、超高温材料现代无机材料 如：功能瓷：热、声、光、电、磁、生物特性。结构瓷：耐磨、弯曲、湿度、韧性,应用,13,如何改变材料性质：1、,G 强度,2、气孔 强度(应力集中点)；透明度(散射)；铁电性和磁性。,14,说明：a:颗粒聚焦b:开口堆积体中颗 粒中心逼近c:封闭堆积体中颗 粒中心逼近,烧结现象示意图,烧结现象,15,烧结过程中性质的变化,16,三、烧结过程推

4、动力 粉状物料的表面自由焓 多晶烧结体的晶界自由焓,粉体颗料尺寸很小，比表面积大，具有较高的表面能，即使在加压成型体中，颗料间接面积也很小，总表面积很大而处于较高能量状态。根据最低能量原理，它将自发地向最低能量状态变化，使系统的表面能减少。,烧结是一个自发的不可逆过程，系统表面能降低是推动烧结进行的基本动力。,17,结论：由于烧结推动力与相变和化学反应的能量相比，很小，因而不能自发进行，必须加热!,*烧结能否自发进行？,18,例：Al2O3:两者差别较大，易烧结；共价化合物如Si3N4、SiC、AlN 难烧结。,*烧结难易程度的判断：,愈小愈易烧结，反之难烧 结。,19,*推动力与颗粒细度的关

5、系：颗粒堆积后，有很多细小气孔弯曲表面由于表面张力而产生压力差，,结论：粉料愈细，由曲率而引起的烧结推动力愈大!,20,四、烧结模型 1945年以前：粉体压块 1945年后，G.C.Kuczynski(库津斯基)提出：双球模型,21,对 象：单一粉体的烧结。,主要传质方式：,气相传质（蒸发凝聚）扩散传质流动传质溶解和沉淀,第二节 烧结机理,22,由于颗粒表面各处的曲率不同，按开尔文公式可知，各处相应的蒸气压大小也不同。故质点容易从高能阶的凸处（如表面）蒸发，然后通过气相传递到低能阶的凹处(如颈部）凝结，使颗粒的接触面增大，颗粒和空隙形状改变而使成型体变成具有一定几何形状和性能的烧结体。这一过程

6、也称蒸发-冷凝。,（一）气相传质（蒸发凝聚传质）,23,存在范围：在高温下蒸汽压较大的系统。硅酸盐材料不多见。,根据开尔文公式：,传质原因：曲率差别产生P条件：液相易挥发，颗粒足够小，r 10m定量关系：P,表面张力能使凹、凸表面处的蒸气压P分别低于和高于平面表面处的蒸气压Po，,表面凹凸不平的固体颗粒，其凸处呈正压，凹处呈负压，故存在着使物质自凸处向凹处迁移。,24,（二）扩散传质 扩散传质是指质点(或空位)借助于浓度梯度推动而迁移的传质过程。对象：多数固体材料，液相不易挥发，其蒸汽压低。*表面张力是如何成为这种扩散的动力？1、表面张力引起应力分布的不均匀 由于颈部有一个曲率为的凹形曲面，就

7、使得颈部在张力的作用下并使在该曲面之内有一个负的附加压强（为张应力）。这必然引起两颗粒接触处有一个压应力（x）。分别表示为 和。,25,为了定量分析应力，将颈部单独取出放大，颈部应力模型见下图。(见书图3-3-5),26,说明：颈部应力主要由,(张应力),实际状况,颗粒尺寸、形状、堆积方式不同，颈部形状不规则接触点局部产生剪应力晶界滑移，颗粒重排 密度，气孔率(但颗粒形状不变，气孔不可能完全消除。),颈部应力,27,有应力存在时空位形成所需的附加功,(有张应力时),(有压应力时),空位形成能：无应力时：EV,结论：张应力区空位形成能无应力区压应力区，因而有浓度差异。,引起浓度差异的原因,2、应

8、力分布不均匀必造成空位浓度梯度,28,设C0为一个不受应力的晶体的空位浓度：,（2）应力造成的空位浓度变化,晶体受压时，形成一个空位需要的能量增加，即相同温度条件下的空位浓度将减少。设受压应力时的空位浓度为C2：,晶体受张时，形成一个空位需要的能量减少，即相同温度条件下的空位浓度将增加。设受张应力时的空位浓度为C1：,表示一个原子的直径。,29,显然C1C0C2过剩空位浓度为：,；,；,结论：由于应力的分布不均匀造成空位浓度梯度，空位将主要从颈部表面扩散到颈部中心两颗粒接触处；空位也从颈部表面扩散到颗粒内无应力区，但其量比前一种扩散量少一半；空位扩散即原子或离子的反向扩散。这就造成了物质的迁移

9、。而随着这种物质迁移，空隙被填充，致密度提高。与此同时，颗粒间的接触界面增加，机械强度增加。,自颈部到接触点浓度差,自颈部到内部浓度差,30,扩散途径,(结论：C1C0C2 1C 2C),空位扩散：优先由颈表面接触点；其次由颈表面内部扩散原子扩散：与空位扩散方向相反，扩散终点：颈部。扩散途径：(参见图3-3-6)表面扩散：沿着颗粒表面进行；界面扩散：沿着两颗粒之间的界面进行；体积扩散：在晶格内部进行。不管扩散途径如何，扩散终点一致，即颈部是空位浓度最多的部位。因此随着烧结的进行，颈部加粗，两颗粒之间的中心距逐渐缩短，陶瓷坯体同时在收缩。,31,（三）流动传质 这是指在表面张力作用下通过变形、流

10、动引起的物质迁移。属于这类机理的有粘性流动和塑性流动。*粘性流动传质：在高温下有固体物质在表面张力的作用下发生类似液态物质的粘性流动。这种粘性流动服从牛顿型粘性流动液体的一般关系式（3-3-8）,32,*塑性流动传质：如果表面张力足以使晶体产生位错，这时质点通过整排原子的运动或晶面的滑移来实现物质传递，这种过程称塑性流动。可见塑性流动是位错运动的结果。与粘性流动不同，塑性流动只有当作用力超过固体屈服点时才能产生，其流动服从宾汉(Bingham)型物体的流动规律即，式中，是被烧结晶体的极限剪切力。,（3-3-9）,33,机理：在有液相参与的烧结中，两颗粒间的液相利用表面张力把它们拉近拉紧，于是在

11、两颗粒接触处受到很大的压力，从而显著提高这部分固体在液相中的溶解度。受压部分在液相中溶解使液相变得饱和，然后在非受压部位沉淀下来，直至晶体长大和获得致密的烧结体，即“溶解-沉淀”过程。,（四）溶解和沉淀,34,2、推动力：表面能 颗粒之间形成的毛细管力。,实验结果：0.11m的颗粒中间充满硅酸盐液相，其P=1.2312.3MPa。毛细管力造成的烧结推动力很大!,1、条件：,35,第三节烧结过程动力学一、烧结初期的动力学研究1、烧结模型：相接触的等径双球（1）中心距不变的双球模型 颈部体积（2）中心距缩小的双球模型 颈部体积注意：,对于中心距缩短的双球模型，中间的两球交叉部分发球颈部，这是和中心

12、距不变模型区别之处。,36,球形颗粒接触面积颈部生长速率（颈部增长率关系式,讨论：1、x/r t1/3，证明初期x/r 增大很快，但时间延长，很快停止。说明：此类传质不能靠延长时间达到烧结。,2、温度 T 增加，有利于烧结。3、颗粒粒度，愈小烧结速率愈大。4、特点：烧结时颈部扩大，气孔形状改变，但双球之间中心距不变，因此坯体不发生收缩，密度不变。,2、各种传质机理的烧结初期动力学公式（1）气相传质-蒸发凝聚的动力学公式,根据烧结的模型(双球模型中心距不变)蒸发凝聚机理(凝聚速率颈部体积增加),37,（2）扩散传质的动力学公式初期：表面扩散显著。(因为表面扩散温度体积扩散温度)例：Al2O3 T

13、体积900；T表面330 特点：气孔率大，收缩约1。原因：表面扩散对空隙的消失和烧结体收缩 无明显影响。根据从 颈部晶粒内部的空位扩散速度 颈部V增长的速度,38,和,（3-3-22）,39,换成体积收缩或线收缩：(中心距逼近速率),讨论：,原因：,措施：保温，但时间不宜过长。,（3-3-23）,40,（3）流动传质的动力学公式,颈部增长公式：,由颗粒中心距逼近而引起的收缩：,适用初期,（3-3-27）,（3-3-28）,41,（4）具有活泼液相烧结的动力学研究 情况比单纯的固相烧结复杂得多。可有四种情况发生：液相出现后，在表面张力的作用下，使颗粒重新排列，出现更有效的堆积，这本身就是致密化过

14、程。两颗粒之间的接触点有高的局部应力，导致颗粒变形和蠕变，也可引起颗粒的重新排列。小颗粒的溶解和大颗粒的生长，即所谓的重结晶过程。溶体充填在两颗粒之间，由于表面张力的作用，使得接触点处的压力增加，从而增加了该处的溶解度，使物质在该处溶解，而在平坦处沉淀。、情况统称为颗粒重排；、虽都为溶解沉淀，但机理不同，公式也不同，其中情况较少出现。,42,第一，关于颗粒重排的动力学 可以粗略认为致密化速度是与粘滞流动机理相应。,1+x：约大于1，因为烧结进 行时，被包裹的小尺寸 气孔减小，毛细管力。,液相数量直接决定重排对密度的影响。L少：颗粒重排但不足以消除气孔；L多：颗粒重排并明显降低气孔率。,其它影响

15、因素：固-液二面角 固-液润湿性,润湿性愈差，对致密化愈不利。,线性收缩关系式：,43,第二，关于溶解-沉淀动力学,根据液相数量多少,Kingery模型：颗粒在接触点溶解到自由 表面沉积。L S W 模型：小晶粒溶解到大晶粒处沉淀。,原理：,接触点处和小晶粒的溶解度 自由表面或大颗粒 两个部位产生化学位梯度 物质迁移。,Kingery模型：,当T、r一定：,式中：h：中心距收缩距离；：液气相表面张力；D：被溶解物质在液相中的扩散系数；b：颗粒间的液膜厚度；C0：平表面晶体在液相中的溶解度；V0：液相的摩尔体积；r：颗粒起始半径；t：烧结时间,（3-3-43）,（3-3-42）,44,由以上分析

16、可知：颗粒重排阶段的相对收缩与时间1次方近似成比例，而溶解-沉淀阶段则相对收缩与时间的1/3次方成比例。一般在烧结过程中先进行颗粒重排，溶解-沉淀阶段稍后，之后至达烧结中期，在溶解-沉淀阶段结束后，进入烧结末期。此时形成了一个含有许多闭口气孔的烧结体。若要继续致密化，则要依靠扩散传质充填气孔。,45,2、烧结中、后期的动力学研究（1）烧结各阶段的特征 在烧结过程中，细小的颗粒之间首先形成晶界。在表面自由焓的驱动下，物质通过不同的扩散途径和机理向气孔部位充填，逐步减少气孔所占的体积，扩大晶界的面积，使材料致密化。期间，连通的气孔不断缩小，两颗粒之间的晶界与相邻的晶界相遇，形成晶界网络，晶界移动，

17、晶粒逐步长大。其结果是气孔缩小，直至气孔成为孤立气孔（分布于晶粒相交的晶界上）。在烧结末期，晶粒继续均匀长大，若气孔能随着晶界一起移动，则气孔有可能完全排除，得到完全致密的多晶材料。此后，继续在高温下烧结，就是单纯的晶界移动，晶粒长大的过程了。注意，在烧结末期也可能出现气孔迁移速率明显低于晶界迁移速率的情况，这时气孔脱离晶界，被包到晶粒中去。这是不希望出现的不正常晶粒长大现象。,46,烧结过程的三个阶段,烧结初期,烧结中期,烧结后期,坯体中颗粒重排，接触处产生键合，空隙变形、缩小（即大气孔消失）。不同颗粒间形成的颈部相互分开，晶粒一般没有长大趋势。固-气总表面积没有变化。,时间较长。传质开始，

18、粒界增大，此时颗粒的晶界已相互交接，成为晶界的网络；空隙进一步变形、缩小，但仍然连通，形如隧道，且一般处于晶界上。,传质继续进行，粒子长大，气孔变成孤立闭气孔，彼此不连通，密度达到90%或95以上，制品强度提高。,47,（1）以扩散为机理的烧结过程动力学模型 此时颗粒不再是球形，而成多面体形，空隙也成有规律的形状。Coble 的多面体模型(十四面体)，就是截角八面体。堆积方式顶点：四个晶粒交汇边：三个晶粒交界线，相当于圆柱形气孔通道，成为空位源扩散方式：,48,以扩散为机理的烧结中期动力学特点：气孔率降为5，收缩率达8090。原因：颗粒粘结，颈部扩大，气孔形状由不规则 圆柱形管道，且相互连通；

19、晶界开始移动；晶粒正常生长。,49,根据建立的模型，烧结中期气孔是圆柱形孔道，并处于三个晶粒相交的晶界线上。可把圆柱形孔道作为空位源。空位从这里向晶粒界面中心迁移，质点则反向扩散使坯体进一步致密化。设，空位从圆柱形空隙向晶粒界面扩散是放射状的。,（3-3-49）,式中tf是为空隙完全消失所需的时间，t是变量。当烧结时间t愈长，愈tf，则tft之差愈小，气孔率Pc也愈小，制品愈致密。注意：有不正常晶粒生长发生、气孔完全孤立或存在界面扩散机制时，上式不适用。,50,特点：气孔完全孤立，位于顶点，晶粒已明显长大，坯体收缩率达90100。,结论：中期和后期烧结过程无明显差异。当温度和颗粒尺寸不变时，气

20、孔率与时间均呈线性关系。,以扩散为机理的烧结末期动力学,（3-3-50）,51,以粘滞流动为机理的烧结后期动力学 以粘滞流动为机理的烧结系统，经过一段时间烧结后形成了上个含有许多闭口气孔的烧结体，这标志着已进入了烧结后期。,麦肯基粘性流动坯体内的收缩方程：(近似法),总结：影响粘性流动传质的三参数,式中：d：相对密度；r:起始颗粒半径上式表明：粘度越小，物料粒度越细，烧结得越快。,52,结果与讨论,烧结的机理是复杂和多样的，但都是以表面张力为动力的。应该指出，对于不同物料和烧结条件，这些过程并不是并重的，往往是某一种或几种机理起主导作用。当条件改变时可能取决于另一种机理。,53,第三节烧结与陶

21、瓷显微结构的形成,从晶粒长大、气孔和晶界三个方面讨论：（一）晶粒长大定义：材料热处理时，无应变或几乎无应变的材料中平均晶粒连续增长的过程。推动力：基质塑性变形所增加的能量提供了使晶界移动和晶粒长大的足够能量。晶粒长大不是小晶粒相互粘结，而是晶界移动的结果；晶粒生长取决于晶界移动的速率。,54,1、单相体系 原子从晶界的一边扩散到晶界的另一边，使部分晶粒缩小，另一部分晶粒长大，晶粒数逐步减少，平均晶粒尺寸不断增加。,动力：晶界曲面两边的压强差。G差别使晶界向曲率中心移动；同时小晶粒长大，界面能,晶界结构(A)及原子跃迁的能量变化（B）,55,晶界移动速率：,（3-3-56）,说明晶粒长大速率随温

22、度呈指数规律增加，因此温度控制很重要。为了获得细晶粒，不能随便提高烧成温度。,56,2、单相固溶体系 当添加杂质于基质中形成单相固溶体系时，由于溶质离子在尺寸或电价上的差异，它更倾向于在晶界有较高的浓度。这种固溶杂质在晶界富集的现象（晶界偏析）对晶界的确运动产生一定的牵制作用杂质牵制效应。3、存在有二相物质的晶界体系 当晶界上有第二相包裹物存在时。它们对晶界的移动产生钉扎作用。原因：晶界移动遇到包裹物时，为了通过它，界面能就降低，降低的量正比于包裹物的横截面积。通过障碍后，弥补界面又要付出能量，结果使界面继续前进能力减弱，界面变得平直。当晶界前进的驱动力和第二相物质造成的阻力相当时，晶界移动即

23、停止。坯体的晶粒尺寸达到一种稳定状态。,57,界面通过夹杂物时形状变化,58,4、存在可移动的二相质点的晶界体系 晶界上有气孔存在的体系。气孔和晶界可以相互作用，可以移动；有时晶界移动速率受气孔移动速率控制。设晶界移动速率为vb，气孔移动速率为vp，界面的迁移率为Bp，数量为N，晶界移动的驱动力Fb。烧结中期：气孔较多，牵制晶界移动，此时：vb=FbBp/N（3-3-57）烧结后期：当温度控制适当，vb=vp时，晶界带动气孔以正常移动，使气孔一起保持在晶界上，气孔可以利用晶界作为空位传递的快速通道逐步减少以至消失。若温度控制不当，由于晶界移动速度随温度呈指数增加，导致vb大于vp，晶界越过气孔

24、，气孔包入晶粒内部，使排除困难。,59,气孔向前运动的方式有：,依赖于表面扩散把前表面的物质迁移到后表面；依赖于物质通过晶格的扩散；依赖于物质的气相传递。,60,5、含有连续第二相的体系 连续第二相的体系：当烧结时出现液相，它和固相的润湿性很好，在高温下形成复盖于晶粒上的液膜，在晶界上出现一个连续的第二相薄膜网络。在有连续液相存在条件下的晶粒长大，其驱动力来源于液相两边晶界曲率不同所造成的化学位梯度，小晶粒表面的原子通过液相扩散到大晶粒上使之长大。对于总液相量恒定的情况，晶粒长大规律和单相固溶体的情况相似。,61,（二）气孔气孔是陶瓷显微结构的重要组成部分。有些陶瓷要求存在气孔，但对气孔尺寸和

25、分布都有较严格的要求；而另一些陶瓷材料则要求气孔越少越好。如何控制？主要有：1、减少原始气孔率，加速烧结过程中气孔的填充速率。加速晶格扩散和晶界扩散是提高对气孔填充速率的关键。如提高升温速率。2、减缓晶界迁移速率vb，保持vb=vp，即晶界和气孔不分离。如加添加剂。3、防止不正常晶粒长大（又称二次再结晶）。,62,二次再结晶,概念：当正常晶粒生长由于气孔等阻碍而停止时，在均匀基相中少数大晶粒在界面能作用下向邻近小晶粒曲率中心推进，而使大晶粒成为二次再结晶的核心，晶 粒迅速长大。推动力：大、小晶粒表面能的不同。,63,晶粒异常长大的根源：,控制温度(抑制晶界移动速率)；起始粉料粒度细而均匀；加入

26、少量晶界移动抑制剂。,起始颗粒大小；起始粒度不均匀；烧结温度偏高；烧结速率太快；成型压力不均匀；有局部不均匀液相。,采取措施：,4、采用热压烧成方法 热压烧成：在烧结过程中加上一定的外加压力。热压烧成由于施加了外力，致密化的驱动力加大，可完全排除气孔，得到具有理论密度的陶瓷制品。,64,（三）晶界 晶界的性质及对材料性能的影响。晶界本身就是陶瓷显微结构的组成部分，常常对材料性能起关键作用。晶界在烧结中的应用：,65,第五节 影响烧结的因素,影 响 因 素,烧结温度和烧结时间,物料影响,其它因素的影响,66,一、烧结温度和保温时间,结论：高温短时间烧结是制造致密陶瓷材料的好方法。但烧 成制度的确

27、定必须综合考虑。,67,烧结温度和熔点的关系,泰曼指出，纯物质的烧结温度Ts与其溶点Tm有如下近似关系：金属粉末Ts（0.30.4）Tm无机盐类Ts0.57Tm硅酸盐类Ts（0.80.9）Tm实验表明，物料开始烧结温度常与其质点开始明显迁移的温度一致。,68,延长烧结时间一般都会不同程度地促使烧结完成，但对粘性流动机理的烧结较为明显，而对体积扩散和表面扩散机理影响较小。然而在烧结后期，不合理地延长烧结时间，有时会加剧二次再结晶作用，反而得不到充分致密的制品。减少物料颗粒度则总表面能增大因而会有效加速烧结，这对于扩散和蒸发一冷凝机理更为突出。,69,但是，在实际烧结过程中，除了上述这些直接因素外

28、，尚有许多间接的因素，例如通过控制物料的晶体结构、晶界、粒界、颗粒堆积状况和烧结气氛以及引入微量添加物等，以改变烧结条件和物料活性，同样可以有效地影响烧结速度。,70,（二）物料活性的影响,烧结是基于在表面张力作用下的物质迁移而实现的。因此可以通过降低物料粒度来提高活性，但单纯依靠机械粉碎来提物料分散度是有限度的，并且能量消耗也多。于是开始发展用化学方法来提高物料活性和加速烧结的工艺，即活性烧结。,二、物料影响,（一）原始粉料粒度(细而均匀),71,活性氧化物通常是用其相应的盐类热分解制成的。实践表明，采用不同形式的母盐以及热分解条件，对所得氧化物活性有着重影响。,72,因此，合理选择分解温度

29、很重要，一般说来对于给定的物料有着一个最适宜的热分解温度。温度过高会使结晶度增高、粒径变大、比表面活性下降；温度过低则可能因残留有未分解的母盐而妨碍颗粒的紧密充填和烧结。,73,（三）添加物的影响 实践证明，少量添加物常会明显地改变烧结速度，但对其作用机理的了解还是不充分的。许多试验表明，以下的作用是可能的。(1)与烧结物形成固溶体两者离子产生的晶格畸变程度越大，越有利于烧结。例：Al2O3中加入3Cr2O3可在1860烧结；当加入12TiO2只需在约1600就能致密化。当添加物能与烧结物形成固溶体时，将使晶格畸变而得到活化。故可降低烧结温度，使扩散和烧结速度增大，这对于形成缺位型或间隙型固溶

30、体尤为强烈。,74,例如在Al2O3烧结中，通常加入少量Cr2O3或TiO2促进烧结，就是因为Cr2O3与Al2O3中正离子半径相近，能形成连续固溶体之故。当加入TiO2时促进烧结温度可以更低，因为除了Ti4+离子与Cr3+大小相同，能与Al2O3固溶外，还由于Ti4+离子与Al3+电价不同，置换后将伴随有正离子空位产生，而且在高温下Ti4+可能转变成半径较大的Ti3+从而加剧晶格畸变，使活性更高；故能更有效地促进烧结。,75,图15 添加TiO2对Al2O3烧结时的扩散系数的影响,相对烧结过程的扩散系数,76,(2)阻止晶型转变 有些氧化物在烧结时发生晶型转变并伴有较大体积效应，这就会使烧结

31、致密化发生困难，并容易引起坯体开裂；这肘若能选用适宜的掭加物加以抑制，即可促进烧结。例：ZrO2中加入5CaO。,77,(3)抑制晶粒长大 由于烧结后期晶粒长大，对烧结致密化有重要柞用；但若二次再结晶或间断性晶粒长大过快，又会因晶粒变粗、晶界变宽而出现反致密化现象并影响制品的显微结构。这时，可通过加入能抑制晶粒异常长为的添加物来促进致密化进程。但应指出，由于晶粒成长与烧结的关系较为复杂，正常的晶粒长大是有益的，要抑制的只是二次再结晶引起的异常晶粒长大；因此并不是能抑制晶粒长大的添加物都会有助于烧结。,78,(4)产生液相 在液相中扩散传质阻力小，流动传质速度快，降低了烧结温度和提高了坯体的致密

32、度。例：制95Al2O3材料，加入CaO、SiO2，当CaO:SiO2=1时，产生液相在1540即可烧结。已经指出，烧结时若有适当的液相，往往会大大促进颗粒重排和传质过程。添加物的另一作用机理，就在于能在较低温度下产生液相以促进烧结。液相的出现，可能是添加物本身熔点较低；也可能与烧结物形成多元低共熔物。,79,但值得指出；能促进产生液相的添加物。并不都会促进烧结。例如对Al2O3，即使是少量碱金属氧化物也会严重阻碍其烧结。这方面的机理尚不清楚。此外，尚应考虑到液相对制品的显微结构及性能的可能影响。因此，合理选样添加物常是个重要的课题。（5）、外加剂(适量)起扩大烧结范围的作用 例：在锆钛酸铅材

33、料中加入适量La2O3和Nb2O5，可使烧结范围由2040 增加到80。（6）外加剂与烧结主体形成化合物 抑制晶界移动。例：烧结透明Al2O3时，加入MgO或MgF2,形成MgAl2O4。,80,（一）气氛的影响(扩散控制因素、气孔内气体的扩散和溶解能力)氧化气氛：阳离子扩散 还原气氛：阴离子扩散 中性气氛 实际生产中常可以现，有些物料的烧结过程对气体介质十分敏感。气氛不仅影响物料本身的烧结,也会影响各添加物的效果。为此常需进行相应的气氛控制。气氛对烧结的影响是复杂的。同一种气体介质对于不同物料的烧结，往往表现出不同的甚至相反的效果，然而就作用机理而言，不外乎是物理的和化学的两方面的作用。,三

34、、其它因素的影响,81,(一)物理作用 在烧结后期，坯体中孤立闭气孔逐渐缩小，压力增大，逐步抵消了作为烧结推动力的表而张力作用，烧结趋于缓慢，使得在通常条件下难于达到完全烧结。这时继续致密比除了由气孔表面过剩空位的扩散外，闭气孔中的气体在固体中的溶解和扩散等过程起着重要怍用。,82,(二)化学作用 主要表现在气体介质与烧结物之间的化学反应。在氧气气氛中，由于氧被烧结物表面吸附或发生化学作用，使晶体表面形成正离子缺位型的非化学计量化合物，正离子空位增加，扩散和烧结被加速，同时使闭气孔中的氧可能直接进入晶格，并和O2空位一样沿表面进行扩散。故凡是正离子扩散起控制作用的烧结过程，氧气氛和氧分压较高是

35、有利的。,83,值得指出，有关氧化、还原气氛对烧结影响的实验资料，常会出现差异和矛盾。这通常是因为实验条件不同，控制烧结速度的扩散质点种类不同所引起。当烧结由正离子扩散控制时，氧化气氛有利于正离子空位形成；对负离子扩散控制时，还原气氛或较低的氧分压将导致O2离子空位产生并促进烧结。但是气氛的作用有时综合而更为复杂的。,84,对于BeO情况正好相反，水蒸气对BeO烧结是十分有害的。因为BeO烧结主要按蒸发-冷凝机理进行的，水蒸气的存在会抑制BeO的升华作用BeO(s)+H2O(g)Be(OH)2(g)，后者较为稳定。此外，工艺上为了兼顾烧结性和制品性能，有时尚需在不同烧结阶段控制不同气氛。,85,（二）压力的影响 外压对烧结的影响主要表现在两个方面：生坯成型压力和烧结时的外加压力(热压)。从烧结和固相反应机理容易理解，成形压力增大，坯体中颗粒堆积就较紧密、接触面积增大，烧结被加速。与此相比，热压的作用是更为重要的。如表1所示。,86,表1 不同烧结条件下MgO的烧结致密度表,87,（三）盐类的选择及其煅烧条件 1、煅烧条件,结论：煅烧温度愈高，烧结活性愈低的原因是 由于MgO的结晶良好，活化能增高所造成的。,88,2、盐类的选择,结论：用能够生成粒度小、晶格常数较大、微晶较 小、结构松弛的MgO的原料盐来获得活性 MgO，其烧结活性良好。,