光电阴极与光电倍增管

1、光电检测技术,Ch4光电检测中常用的光电探测器光电子发射器件,吕勇lvyong222yahoo,光电检测技术Ch4光电检测中常用的光电探测器吕勇,光电子发射探测器,光电子发射探测器,光电发射效应,光电子发射材料,光电管,光电倍增管,微通道板。

2、第4章光电发射器件,光电发射器件,真空光电器件,是基于外光电效应的器件,外光电效应,光电发射效应,当物质中的电子吸收足够高的光子能量,电子将逸出物质表面成为真空中的自由电子,这种现象称为光电发射效应或外光电效应,光电发射效应中光电能量转换的。

3、第三章光电子发射探测器,光电子技术,3,1光电子发射效应,外光电效应光电子发射效应photoemission,PE,金属或半导体受光照时,如果入射的光子能量hn足够大,它和物质中的电子相互作用,使电子从材料表面逸出的现象,也称为外光电效应。

4、第五章真空光电器件,5,1光电阴极,工作基础,基于外光电效应的光电探测器件结构特点,有一个真空管,其它元件都放在真空管中分类,光电管和光电倍增管,入射光辐射的光子能量足够大时,它和金属或半导体材料中的电子相互作用的结果使电子从物质表面逸出。

5、第4章光电发射器件,4,1光电发射阴极4,2真空光电管和光电倍增管的原理4,3光电倍增管的基本特性4,4光电倍增管的供电电路4,5光电倍增管的典型应用,4,1光电发射阴极,真空光电发射器件具有,极高的灵敏度,快速响应,在微弱辐射的探测和快速。

6、光子探测器,光电增益,输出光电流,光电导探测器,可以大于,光电三极管,雪崩光电二极管,第章光电子发射探测器,第章光电子发射探测器,简称探测器,也称为真空光电器件,光电发射器件是基于外光电效应的器件,它包括真空光电二极管,光电倍增管,变像管。

7、第4章光电发射器件,第4章光电发射器件,光电发射器件,真空光电器件,是基于外光电效应的器件,外光电效应,光电发射效应,当物质中的电子吸收足够高的光子能量,电子将逸出物质表面成为真空中的自由电子,这种现象称为光电发射效应或外光电效应,光电发射。

8、光电探测技术第四章,李静,真空光电器件,真空光电发射器件是基于外光电效应的光电探测器,包括光电管和光电倍增管两类,具有极高的灵敏度,快速响应等特点,它在探测微弱光信号及快速脉冲弱光信号等方面仍然是一个重要的探测器件,因此广泛应用于航天,材料。

9、光子探测器,光电增益,输出光电流,光电导探测器,可以大于,光电三极管,雪崩光电二极管,第章光电子发射探测器,第章光电子发射探测器,简称探测器,也称为真空光电器件,光电发射器件是基于外光电效应的器件,它包括真空光电二极管,光电倍增管,变像管。

10、第5章真空光电器件,了解,光电阴极的定义和真空光电器件的定义,分类,结构,理解,常用光电阴极的材料,Ag,O,Cs,单碱锑化合物,PEA,多碱锑化合物,PEA,负电子亲合势材料,NEA,和紫外光电阴极材料,理解,负电子亲和势材料的光电阴极具。

11、光电传感与检测技术,第3章半导体光电检测器件及应用,第3章半导体光电检测器件及应用,主要内容,3,1真空光电器件光电阴极,光电管,光电倍增管,微通道板光电倍增管3,2光电导器件光敏电阻3,3结型光电器件光电池,光敏二极管,三极管,光电耦合器。

12、第三章 光电子发射探测器,表1：探测器件分类,表2 光子效应分类,光电效应,定义：物质在光的作用下，不经升温而直接引起物质中电子运动状态发生变化；因此，把由光照而引起物体电学特性的改变统称为光电效应。,1. 原因：是辐射，而不是升温；2. 。

13、光子探测器,光电增益,输出光电流,光电导探测器,可以大于,光电三极管,雪崩光电二极管,第章光电子发射探测器,简称探测器,光电管,光电倍增管,被半导体光电器件取代,极高灵敏度快速响应,应用,微弱光信号,快速脉冲弱光信号,也称为真空光电器件,第。

14、光子探测器,光电增益,输出光电流,光电导探测器,可以大于,光电三极管,雪崩光电二极管,第章光电子发射探测器,简称探测器,光电管,光电倍增管,被半导体光电器件取代,极高灵敏度快速响应,应用,微弱光信号,快速脉冲弱光信号,也称为真空光电器件,第。

15、光子探测器,光电增益,输出光电流,光电导探测器,可以大于,光电三极管,雪崩光电二极管,第章光电子发射探测器,简称探测器,光电管,光电倍增管,被半导体光电器件取代,极高灵敏度快速响应,应用,微弱光信号,快速脉冲弱光信号,也称为真空光电器件,第。

16、,光子探测器,M光电增益,输出光电流,光电导探测器：M可以大于1,光电三极管： M102,雪崩光电二极管：M103, M106,第5章 光电子发射探测器,第5章 光电子发射探测器,Photoemissive detector,简称PE探测器。

17、光子探测器,光电增益,输出光电流,光电导探测器,可以大于,光电三极管,雪崩光电二极管,第章光电子发射探测器,第章光电子发射探测器,简称探测器,也称为真空光电器件,光电发射器件是基于外光电效应的器件,它包括真空光电二极管,光电倍增管,变像管。

18、,光子探测器,M光电增益,输出光电流,光电导探测器：M可以大于1,光电三极管： M102,雪崩光电二极管：M103, M106,第5章 光电子发射探测器,第5章 光电子发射探测器,Photoemissive detector,简称PE探测器。

19、第二章光辐射探测器,2,2真空光电探测器,2,2,1光电子发射与光电阴极,2,2,2光电倍增管原理及结构,2,2,3光电倍增管的基本特性,2,2,4光电倍增管的使用,2,2,1光电子发射与光电阴极,基本规律,1,斯托列托夫定律,光电发射第定。

20、第五章真空光电器件,5,1光电阴极,工作基础,基于外光电效应的光电探测器件结构特点,有一个真空管,其它元件都放在真空管中分类,光电管和光电倍增管,入射光辐射的光子能量足够大时,它和金属或半导体材料中的电子相互作用的结果使电子从物质表面逸出。