离子注入技术

1、第9章掺杂技术,第9章掺杂技术,本章目标,1,熟悉掺杂技术的两种方式2,熟悉扩散掺杂的原理3,掌握离子注入相关概念及其原理4,熟悉离子注入的工艺流程5,了解离子注入系统的设备及其优点,第9章掺杂技术,一,扩散二,离子注入技术三,集成电路的形。

2、介绍工艺集成：PN结隔离技术LOCOS硅局部氧化隔离技术STI浅沟槽隔离技术,隔离技术,半导体集成电路是通过平面工艺技术把成千上万颗不同的器件制造在一块面积非常小的半导体硅片上，并按要求通过金属将它们连接在一起，形成具有一定功能的电路。隔离。

3、第四章,离子注入技术,问题的提出,短沟道的形成,GaAs等化合物半导体,低温掺杂,低表面浓度,浅结,纵向均匀分布或可控分布,大面积均匀掺杂,高纯或多离子掺杂,要求掌握,基本工艺流程,原理和工艺控制参数,选择性掺杂的掩蔽膜,Mask,质量控制。

4、第二章 等离子体与材料相互作用,内容,表面吸附 离子注入 溅射 刻蚀 交联 热效应,1.表面吸附 等离子体中的中性粒子原子分子及基团将不受鞘层电场的作用，直接向表面迁移。被吸附的粒子数与入射到表面的粒子数之比被称为吸附率。在等离子体化学气相。

5、第四章,离子注入,掺杂技术之二,为什么开发离子注入技术,随着器件特征尺寸的减小,出现的一些特殊的掺杂,如小剂量浅结掺杂,深浓度峰分布掺杂等,扩散是无法实现的,而离子注入却能胜任,离子注入是继扩散之后发展起来的第二种掺杂技术离子注入成为现代集。

6、毕业设计论文离子注入工艺及设备研究系电子信息工程系专业微电子技术姓名班级微电103学号1001113110指导教师职称讲师指导教师职称设计时间2012,9,192013,1,4摘要,在电子工业中,离子注入现在已经成为了微电子工艺中的一种重要。

7、离子束的性质离子束是一种带电原子或带电分子的束状流,能被电场或磁场偏转,能在电场中被加速而获得很高的动能,离子束的用途掺杂,曝光,刻蚀,镀膜,退火,净化,改性,打孔,切割等,不同的用途需要不同的离子能量E,E50KeV,注入掺杂,离子束加工。

8、第5章离子注入,离子注入是另一种对半导体进行掺杂的方法,将杂质电离成离子并聚焦成离子束,在电场中加速而获得极高的动能后,注入到硅中,称为,靶,而实现掺杂,离子束的性质离子束是一种带电原子或带电分子的束状流,能被电场或磁场偏转,能在电场中被加。

9、离子注入技术,姓名,张贺学号,基本原理和基本结构,综述,技术指标,应用及结论,综述,最早应用于原子物理和核物理研究提出于中期引入半导体制造领域,基本原理和基本结构,基本原理,离子注入,是一种对半导体进行掺杂的方法,将杂质电离成离子并聚焦成离。

10、离子注入技术,姓名,张贺学号,基本原理和基本结构,综述,技术指标,应用及结论,综述,最早应用于原子物理和核物理研究提出于中期引入半导体制造领域,基本原理和基本结构,基本原理,离子注入,是一种对半导体进行掺杂的方法,将杂质电离成离子并聚焦成离。

11、电子发烧友,电子技术论坛,第七章离子注入,电子发烧友,电子技术论坛,离子注入概述,最早应用于原子物理和核物理研究提出于中期引入半导体制造领域,电子发烧友,电子技术论坛,离子注入,离子注入是另一种对半导体进行掺杂的方法,将杂质电离成离子并聚焦。

12、毕业设计论文离子注入工艺及设备研究设计时间摘要,在电子工业中,离子注入现在已经成为了工艺中的一种重要的掺杂技术,也是控制MOSFET阈值电压的一个重要手段,因此在当代制造大规模集成电路中,可以说是一种必不可少的手段,离子注入的方法就是在真空。

13、肉掀荒罚卷侣熙逐状蝴撕瘦述陋挪司衍沪凛并锣茨伶蛀字字狮亮隘湍鸳冒弹沫弱缆捣摹都各中殆珐疏跟焙遭磁幅购诡惊奋燎侨峰枕榔终芝苗赞耶滤惮汛铲谁耽沃筛冯谓僵讳累殖衔糟工服惶驱漱椿胡锨栏骗诱新肚檀柜洞股襄枯咒逢衫帧绿姓弦蚤朽鬼畜文晚仰鳖锭伴火斋酝堪址。

14、第9章 掺杂技术,第9章 掺杂技术,本章目标：,1熟悉掺杂技术的两种方式2熟悉扩散掺杂的原理3掌握离子注入相关概念及其原理4熟悉离子注入的工艺流程5了解离子注入系统的设备及其优点,第9章 掺杂技术,一扩散二离子注入技术三集成电路的形成,第9。

15、1,第八章高能束表面改性技术,激光表面改性电子束表面改性离子注入表面改性,2,激光束和离子束,电子束一起被称为,三束,采用,三束,对材料表面进行改性或合金化的技术,是近十几年迅速发展起来的材料表面处理新技术,3,这些技术主要包括两个方面,一。

16、第6章离子注入,田丽,微电子工艺5,内容,6,1概述6,2离子注入原理6,3注入离子在靶中的分布6,4注入损伤6,5退火6,6离子注入设备与工艺6,7离子注入的其它应用,什么是离子注入离化后的原子在强电场的加速作用下,注射进入靶材料的表层。

17、第十二章高能束表面改性,12,1概述12,2激光束技术12,3离子束技术12,4电子束技术,12,1概述采用激光束,离子束,电子束这三类高能束流对材料表面进行改性或合金化的技术,是近十几年来迅速发展起来的材料表面新技术,是材料科学的最新领域。

18、芯片制造工艺 掺杂,扩 散 和 离 子 注 入,主 要 内 容,5.1 概述 5.2 扩散 5.3 离子注入掺杂 5.4 掺杂质量评价 5.5 实训 扩散工艺规程,为了在硅片内部指定区域得到选择性掺杂，核心步骤为：1 在硅片表面生长一层二氧。

19、离子注入机设备简介,离子注入机设备简介,目 录一离子注入技术的发展回顾及特点二离子注入机设备结构及其作用三离子注入工艺技术四离子注入损伤与退火五离子注入工艺技术的质量测量 六离子注入机的检查及故障的排出 七离子注入机的安全操作 八离子注入技。

20、离子束表面改性技术研究综述,目录,离子束表面改性技术是70年代初逐渐发展起来的一种新颖的表面改性技术,该技术是把工件放在离子注人机的真空室中,在几十至几百千伏的电压下,把所需元素的离子注人到工件表层内的一种表面强化处理工艺,大量实践已证实。