微电子器件与

1、微电子器件的可靠性,复旦大学材料科学系,微电子器件的可靠性,第五章热载流子效应,微电子器件的可靠性,复旦大学材料科学系,热载流子效应,当电场超过时,载流子从电场中获得更多的能量,载流子的能量和晶格不再保持热平衡,称这种载流子为热载流子,当载。

2、非平衡载流子注入探针注入小注入,大注入非平衡载流子浓度非平衡载流子寿命,少子寿命,寿命,准费米能级,电子准费米能级,空穴准费米能级,直接复合间接复合表面复合俄歇复合最有效复合中心陷阱效应载流子扩散连续性方程,一概念,第五章非平衡载流子,非平。

3、课后习题答案1.1 为什么经典物理无法准确描述电子的状态在量子力学中又是用什么方法来描述的解：在经典物理中,粒子和波是被区分的。然而,电子和光子是微观粒子,具有波粒二象性。因此,经典物理无法准确描述电子的状态。在量子力学中,粒子具有波粒二象。

4、目录一课程设计目的与任务1二设计的内容1三设计的要求与数据1四物理参数设计24,1各区掺杂浓度及相关参数的计算24,1,1各区掺杂浓度44,1,2迁移率44,1,3扩散系数与电阻率54,1,4少子寿命和扩散长度54,2集电区厚度Wc的选择6。

5、电子封装材料20092010学年 第二学期,封装的热控制,一电子器件热控制的重要性二热控制计算基础1一维传导 2固体界面的热流通3对流 4整体负载的加热和冷却热阻 串联的热阻并联的热阻和封装的热控制自然通风的印刷电路板单一印刷电路板强制对流。

6、微电子器件与电路实验报告姓名学号合作人实验时间,实验成绩教师签名实验名称实验四电学特性测试实验设备,计算机,实验目的,特性测试以及温度对特性的影响,线性区,和,饱和区,随栅源电压变化特性曲线,测试,栅电容特性测试实验内容,特性测试,分析仪。

7、部分习题解答,部分物理常数,第章,在区耗尽区中,高斯定理为,取一个圆柱形体积,底面在结的冶金结面,即原点,处,面积为一个单位面积,顶面位于,处,则由高斯定理可得,当,时,因此,于是得,结的正向扩散电流为,式中的因含而与温度关系密切,因此正向。

8、微电子器件基础实验报告指导老师,曾荣周姓名,郭衡班级,电科1704学号,17419002064湖南工业大学交通工程学院2019年9月实验一SilvacoTCAD软件的基本使用方法和PN结的工作原理及特性仿真与分析一,实验目的与任务1,实验目。

9、某硅突变结的,试求室温下,平衡时的,和,外加,正向电压时的,和,内建电势,测验一,测验二,一,写出结正向扩散电流密度,的表达式,当时,与中以哪种电流密度为主,二,某突变结的雪崩击穿临界电场为,雪崩击穿电压为,试求发生击穿时的耗尽区宽度,答案。

10、中华人民共和国国家军用标准微电子器件试验方法和程序,代替,范围主题内容本标准规定了微电子器件统一的试验方法控制和程序包括为确定对军用及空间应用的自然因素和条件的抗损坏能力而进行的基本环境试验物理和电试验设计封装和材料的限制标志的一般要求工作。

11、欢诙北京疫工大擘H顷普,那油血f寸血如心喝F本科实验报告实验名称,微电子器件实验课程名称,微电子器件实验时间,任课教师,实验地点,实验教师,实验类型,原理验证综合设计自主创新学生姓名,学与班级,组号,学院,信息与电子学院同组搭档,专业,电子。

12、第二章 PN结填空题1假如某突变PN结的P型区的掺杂浓度为NA1.51016cm3，如此室温下该区的平衡多子浓度pp0与平衡少子浓度np0分别为 和 。2在PN结的空间电荷区中，P区一侧带 电荷，N区一侧带 电荷。建电场的方向是从 区指向 。

13、第三章双极型晶体管的直流特性,内容,3,1双极晶体管基础,3,2均匀基区晶体管的电流放大系数,3,3缓变基区晶体管的电流放大系数,3,4双极晶体管的直流电流电压方程,3,5双极晶体管的反向特性,3,6基极电阻,3,1双极晶体管的基础,由两个。

14、部分习题解答,部分物理常数,第章,在区耗尽区中,高斯定理为,取一个圆柱形体积,底面在结的冶金结面,即原点,处,面积为一个单位面积,顶面位于,处,则由高斯定理可得,当,时,因此,于是得,结的正向扩散电流为,式中的因含而与温度关系密切,因此正向。

15、微电子器件的可靠性,复旦大学材料科学系,1,微电子器件的可靠性Microelectronics Reliability,第五章 热载流子效应,热载流子效应,当电场超过100 KVcm时, 载流子从电场中获 得更多的能量, 载流子的能量和晶格。

16、微连接技术,序言,随着微电子技术的发展而逐渐形成的新兴的焊接技术,与微电子器件和微电子组装技术的发展有着密切的联系,1,定义和分类,1,1由于连接对象尺寸的微小精细,在传统焊接技术中可以忽略的因素,如溶解量,扩散层厚度,表面张力,应变量等将。

17、微电子器件,电子科技大学微电子与固体电子学院张庆中,总学时数,学时其中课堂讲授,学时,实验,学时成绩构成,期末考试,分,平时,分,实验,分,电子器件发展简史,年,真空二极管年,真空三极管,电子管,年,双极型晶体管年,实用的场效应管,固体器件。

18、微电子器件,电子科技大学微电子与固体电子学院,授课教师,张建国办公室,计算机学院房间电话,总学时数,学时其中课堂讲授,学时,实验,学时成绩构成,期末考试,分,期中考试,分,平时成绩,分,实验成绩,分,上课安排,第周第周,共课时每周学时周三。

19、上海新侨职业技术学院毕业综合训练,报告,设计说明书,专业班级,微电J081课题名称,微电子器件的热设计指导教师,学生姓名,完成日期,2011年5月31日目录摘要1前言2第一章热效应引起的失效3第一节高温引起的失效3第二节温度剧烈变化引起的失。

20、微电子器件的可靠性,复旦大学材料科学系,微电子器件的可靠性,第五章热载流子效应,微电子器件的可靠性,复旦大学材料科学系,热载流子效应,当电场超过时,载流子从电场中获得更多的能量,载流子的能量和晶格不再保持热平衡,称这种载流子为热载流子,当载。