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1、第三节 晶体结构与性质,考点2 四类晶体的组成和性质,高三化学组 胡利珍,选修3,一、考纲要求,近十年全国卷高考热点统计,二、高考考查形式,1.选择题2.填空题,范德华力,三、考点精讲：四种晶体的比较,分子,原子,金属阳离子、自由电子,阴、阳离子,共价键,金属键,离子键,某些含氢键,四、规律方法,“五依据”突破晶体类型判断“两角度”比较晶体熔、沸点高低,“五依据”突破晶体类型判断,1依据组成晶体的粒子和粒子间的作用判断,2依据物质的分类判断,3依据晶体的熔点判断离子晶体的熔点较高，常在数百至1000余度。原子晶体熔点高，常在1000度至几千度。分子晶体熔点低，常在数百度以下至很低温度。金属晶体
2、多数熔点高，但也有相当低的。,4依据导电性判断离子晶体水溶液及熔化时能导电。原子晶体一般为非导体。分子晶体为非导体，而分子晶体中的电解质（主要是酸和非金属氢化物）溶于水，使分子内的化学键断裂形成自由离子也能导电。金属晶体是电的良导体。,5.依据硬度和机械性能判断离子晶体硬度较大或硬而脆。原子晶体硬度大。分子晶体硬度小且较脆。金属晶体多数硬度大，但也有较低的，且具有延展性。,真题演练,1.(2015全国卷I,T37)(4)CO能与金属Fe形成Fe(CO)5，该化合物熔点为253K，沸点为376K，其固体属 晶体。,离子,1不同类型晶体熔、沸点的比较(1)不同类型晶体的熔、沸点高低一般规律：原子晶
3、体 离子晶体 分子晶体。(2)金属晶体的熔、沸点差别很大，如钨、铂等熔、沸点很高，汞、铯等熔、沸点很低。,“两角度”比较晶体熔、沸点的高低,2.同种晶体类型熔、沸点的比较（1）离子晶体一般地说，阴阳离子的电荷数越多，离子半径越小，则离子间的作用力就越强，其离子晶体的熔、沸点就越高，如熔点：MgOMgCl2NaClCsCl。衡量离子晶体稳定性的物理量是晶格能。,晶格能越大，形成的离子晶体越稳定，熔点越高，硬度越大。,（2）分子晶体：分子间作用力越大，物质的熔、沸点越高；具有氢键的分子晶体熔、沸点反常的高。如H2OH2TeH2SeH2S。组成和结构相似的分子晶体，相对分子质量越大，熔、沸点越高，如
4、SnH4GeH4SiH4CH4。组成和结构不相似的物质(相对分子质量接近)，分子的极性越大，其熔、沸点越高，如CON2，CH3OHCH3CH3。,（3）原子晶体如熔点：金刚石碳化硅硅。（4）金属晶体金属离子半径越小，离子电荷数越多，其金属键越强，金属熔、沸点就越高，如熔、沸点：NaMgAl。,注意：金属晶体的熔点不一定比分子晶体的熔点高，如金属晶体Na晶体的熔点（98）小于分子晶体AlCl3晶体的熔点（190）。,2.（2016全国卷,T37）（3）比较下列锗卤化物的熔点和沸点，分析其变化规律及原因_。,GeCl4、GeBr4、GeI4的熔沸点依次上升。因为上述锗卤化物均为分子晶体且分子间不存
5、在氢键，故随其相对分子质量的增大，范德华力增大，熔沸点上升。,五、真题演练,3.（2014新课标I,T10）X、Y、Z均为短周期元素，X、Y处于同一周期，X、Z的的最低价离子分别为X2-和Z-，Y+和Z-具有相同的电子层结构。下列说法正确的是（）A原子的最外层电子数：XYZ B单质沸点：XYZ C离子半径：X2-Y+Z-D原子序数：XYZ,D,五、真题演练,六、题组巩固,P250-251题组巩固：1.2.3.4.5.6.7.8,1.定义：气态离子形成 1mol 离子晶体释放的能量，通常取正值，单位：KJ/mol。2.影响因素：离子所带电荷数：离子所带电荷数越多，晶格能越大。离子的半径：离子的半
6、径越小，晶格能越大。3.与离子晶体性质的关系：,晶格能,晶格能越大，形成的离子晶体越稳定，且熔点越高，硬度越大。,1（2015四川高考）X、Z、Q、R、T、U分别代表原子序数依次增大的短周期元素。X和R数同族元素；Z和U位于第VIIA族；X和Z可形成化合物XZ4；Q基态原子的s轨道和p轨道的电子总数相等；T的一种单质在空气中能够自燃。（3）Z和U的氢化物中沸点较高的是_(填化学式)；Q、R、U的单质形成的晶体，熔点由高到低的排列顺序是_(填化学式）,HF；SiMgCl2,真题演练：,2.(2015全国卷I,T12)W、X、Y、Z均为的短周期元素，原子序数依次增加，且原子核外L电子层的电子数分别为0、5、8、8，它们的最外层电子数之和为18。下列说法正确的是（）A.单质的沸点：WXB阴离子的还原性：AZC氧化物的水化物的酸性：YZDX与Y不能存在于同一离子化合物中,B,真题演练：,3（2014浙江理综化学卷）如表所示的五种元素中，W、X、Y、Z为短周期元素，这四种元素的原子最外层电子数之和为22。下列说法正确的是()AX、Y、Z三种元素最低价氢化物的沸点依次升高B由X、Y和氢三种元素形成的化合物中只有共价键C物质WY2、W3X4、WZ4均有熔点高、硬度大的特性DT元素的单质具有半导体的特性，T与Z元素可形成化合物TZ4,D,真题演练：,
