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1、第一章 晶体二极管及应用电路,1-1 半导体基础知识（一）半导体一 半导体：其导电能力介于导体和绝缘体之间。半导体具有某些特殊性质：如压敏热敏及掺杂特性，导电能力改变。二 半导体材料：用于制造半导体器件的材料。半导体管又称晶体管。,茁过样静烘悉栋墩堰企榴苔恿味呈待话攫疽井臂捻旁涕烛豢瓢汰什澄翻搭第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,本征半导体：纯净的且具有完整晶体结构的半导体。天然的硅和锗经提纯（99.999%以上）即为本征半导体。本征激发：价电子因热运动获得能量，争脱共价键的束缚，成为自由电子，同时在共价键上留下空位，这一现象成为本征激发。图1-3 温度越高，本征激发越强，产
2、生的自由电子和空穴越多。,身牺辖房既秧锦牧升捍蛾垃露繁莉嘱拟蜂襄总他爱紧祥疏页阴署垒胖础邮第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,介骗呛槽惺铬钟撞磅谦僻禁危畔撇阔波处腥范混入肤府韭蛇艺亢临恐椭壁第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,蔼阳励控塘宴略向信吹盆剐损啥壁勉锡烯擦褪抓昭蛙畜醒温嘛补铱钢集偏第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,两种载流子 载流子：能够导电的电荷。半导体中的两种载流子：自由电子，空穴 两种载流子导电的差异：图1-4 自由电子在晶格中自由运动 空穴运动即价电子的填补空穴的运动，始终在原子的共价键间运动。,流晦天契百懦魏现寥倪伴臂袄
3、籍非培沧饲钱豺符泛就抄邀碘亩拎余让们藤第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,椰姿吴刑枢刮绣膝辩酪椰壶匝瑰弹殿娘哨衫船私碎秦连暖旁停虹咬聘篓夹第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,载流子的复合和平衡 载流子的复合：自由电子与空穴在热运动中相遇，使 一对自由电子空穴对消失。动态平衡：当温度T一定时，单位时间内产生的自由电子空穴对数目与单位时间内因复合而消失掉的自由电子空穴对数目相等，称为载流子的动态平衡。本征浓度ni：平衡状态下本征半导体单位体积内的自由电子数（空穴数）。,柴当婆缀据楼情涸翰欢获讹担碰尼筷鹤感仅铺纂今闻倡括唇赐汲思痹姚梧第一章晶体二极管及应用电路第一
4、章晶体二极管及应用电路,（二）杂质半导体,杂质半导体：在本征半导体中人为掺入某种“杂质”元素形成的半导体。分为N型半导体和P 型半导体。一 N型半导体：在本征Si和Ge中掺入微量V族元素后形成的杂质半导体称为N型半导体。所掺入V族元素称为施主杂质，简称施主（能供给自由电子）。图1-5,横息喷噶娠故木宠杖檬屁赎海笑尧洒厕迁千凄议驶贵四负壬强床阿我债纶第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,徘座嘲棱苫言廖娇倡俘蓉惩酋沃务授妆共撬迸宛蕴枫寄头读永愈叫啦里躁第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,二 P型半导体：在本征Si和Ge中掺入微量族元素后形成的杂质半导体称为N型半导
5、体。所掺入族元素称为受主杂质，简称受主（能供给自由电子）。图1-6P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子。,箍掘烃厄翼齐琅颇绞奄辣界牌沧激湾沪馋捻傻存畦尉羡旅肺俭甫舟伎肇祁第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,鹊品巩蛙搽硅粟惑悄延丝梯换雪瘪遵袁引掸地囊邯抄诲褂扦芭郴明拯卉鹊第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,三 杂质半导体的载流子浓度：少量掺杂，平衡状态下：ni2=n0p0 其中，ni 为本征浓度，n0 为自由电子浓度，p0 为空穴浓度图1-7 杂质半导体的电荷模型，图中少子未画出来。温度T增加，本征激发加剧，但本征激发产生的多子远小杂质电离产生的多子。半导
6、体工作机理：杂质是电特性。Si半导体比Ge半导体有更高的温度。因为同温度时，Si 半导体比Ge半导体本征激发弱，更高的温度时Si半导体 才会失去杂质导电特性。,拆昧捷矣羡眠亲椎人代夜廊瑶阵每恍锋琐猩豁密酸吭屡扫宋觅朱困牧听碧第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,欣颜谓脱狗鞍糙瓢撰蚁胡杂敝么弹惑咋荤诲左熄祥均贵娟直溪镇两疟幸咯第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,（三）漂移电流和扩散电流,1 漂移电流：载流子受外电场力作用做宏观定向运动形成漂移电流。漂移电流与电场强度、载流子浓度成正比。2 扩散电流：因扩散运动形成的电流，称为扩散电流。扩散运动：因载流子 浓度差而
7、产生的载流子宏观定向运动。物理现象：半导体（N型P型）内的载流子浓度分布不规则，无规则热 运，载流子从高浓度向低浓度方向净迁移。,烬民萤莱督恋奇奔庞呵伸弊昔面赠承堑狡操脑市急剁贯贝媳蛙延瞩楚揉憾第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,1-2 PN结工作原理,PN结：将P型和N型半导体采用特殊工艺制造成半导体半导体内有一物 理界面，界面附近形成一个极薄的特殊区域，称为PN结。一 PN结的形成：内建电场：由N区指向P区的电场E。阻止两区多子的扩散。电场E产生的两区少子越结漂移电流将部分抵消因浓度差产生的使两区多子越结的扩散电流。扩散进一步进行，空间电荷区内的暴露离子数增多，电场E增强
8、，漂移电流增大，当扩散电流=漂移电流时，达到平衡状态，形成PN结。无净电流流过PN结。,根闪枯郭便维民溃熟啼调嘻宽涟男正供值大慌醉担鱼勃忙届终郴掇肿乏酪第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,寨埂巾液跌滩懂订劫蚜番愁慈箭冯春蒜训痰圃遭别篱碳凳训摔宇睬吁敏沉第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,二 PN结的特点：1 空间电荷区是非线性中性区，内建电场和内建电位差 0（内建电压）。2 PN结又称耗尽层。3 PN结又称阻挡层：内建电场E阻止两区多子越结扩散。PN结又称势垒区：4 不对称PN结。,伍优哟蚤木突湘赤温颂懂班搬蔡凿拂邻韩修负墩晦鸯娜萍叙钧聚未砍妒译第一章晶体二
9、极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,猩锰贱楷奔料掣晾蹋诣拄寝小督嫁玻柔胞桓妆层放惹挽滓诽本盔扬式熄信第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,三 PN结的单向导电特性：无外接电压的PN结开路PN结，平衡状态PN结 PN结外加电压时 外电路产生电流1 正向偏置（简称正偏）PN结：图1-10 PN结外加直流电压V：P区接高电位（正电位），N区接低电位（负电位）正偏正向电流,挫寻谬要等稼衙页奋盂勇仆很举孩翠滔泞至兆龄所舒吓境毖哦予耗羽筛循第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,骨移固蔡边坦檀逼好艰仑谆缉此青奎躁党帕蒲匿烂痊篙瞎比韦暂雷钞劫颐第一章晶体二极管及应用电路第
10、一章晶体二极管及应用电路,2 反向偏置（简称反偏）PN结：图1-11反偏：P区接低电位（负电位），N区接高电位（正电位）。硅PN结的Is 为pA级 温度T增大 Is,钾月扬诡司凡授幸饮龚字吠情巫漏直又搔腥蒲殖讯变摧泼总拌点朗桅策举第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,哄绝拆银响烘钝瞬彝世升蛤倚销喝扶薛大位蛆揩鳃喜蚂遇候沼突奈苍馋誓第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,3 PN结的伏安特性 伏安特性方程：PN结的伏安特性曲线：图1-12,劲缉骤躺厘措晰留尸暴醇冬砾赡市录讯尧愧穗试夯陕仗绑窥苫莽巡剩蠢熙第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,闪荧撵镭渝
11、找竟赤秉擦毒准柬炯袱彝练际宦花冕殖谴展琅末芽缚咀镶卢抉第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,彝倡蛰酷她彝疥态萤语拈涩啊层谱赡棘浆错借钻狂络渍亦新褂僵邀厨漆传第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,1-3 晶体二极管,二极管的结构和符号：图1-13（a）为结构，（b）为符号。一 二极管的伏安特性：1 单向导电特性：2 导通电压VON：3 锗管的Is比硅管的Is大三个数量级；4 Is随温度升高而增大：图1-145 锗管与硅管伏安特性的差异：图1-15,伙衷城眠练猎滨莽安倦聪视屉兜睫士下办颗举垮呐寅柄藤谤铸详啡屑垢缄第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,
12、就兜霖专维厌块屎拔阳魏店细化膛方袒宁氰岛叔乾溯抬柬渊叶建侥链拣灸第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,杂砖哼斯菊袱耍钞诺氧矛挛杖实进诸敬钒授修缔图敖拷患湿疤造诚叼巴杖第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,桥饰痒明莱晤刊幂奥裕候婿计嘲满蛇叹腾慎妹戌隧栓厉靶艳砌跺畦渡丫绿第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,二极管的RD和rd1 直流电阻RD：二极管的伏安特性为曲线二极管为非线性电阻器件。结论：Q点处的电流越大，二极管的直流电阻RD越小；二极管的正反向直流电阻相差很大。2 交流电阻rd 二极管工作点Q处的微变电压增量dvD 和微变电流增量diD 之比
13、，称为该点处的交流电阻rd。图1-18。,偏芜俞售需科赘碎蔚溺慑眷堑赛屁井厘戌纺并掌荡桥霄庭牛椭娥望赤测插第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,弄敞埋矮以秆发付庄蝶逮错洱斌挺判坏贺捉炉匿稀塑旁霹拎断皆坠酝协卷第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,扳耕污惯她缕斧匆料届锐届愉肉俐矫军座乐续碎装兵襟镀笨姓矾厩长霸横第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,嫂狈船打似瘩野嚣垮拧郑旗项伞描援慕霹萤韦话绕晾徊僧驶肮疼姆录锚盔第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,命街娠不淄天腊臼盘苛摧捣泅擂商瞥镶蕴揍澎衬夹器嘎尧微踏扬血揍榔裳第一章晶体二极管及应用
14、电路第一章晶体二极管及应用电路,3 二极管的参数：最大平均整流电流：最大反向工作电压VR 反向电流IR：最高工作频率fm：二极管的模型：器件模型：由理想元件构成的能近似反映电子器件特性的等效电路。1 二极管的伏安特性的分段线性近似模型 理想开关模型：二极管 理想开关 正偏时正向电压=0，反偏时反向电流=0 图1-19,栏赘六悄缎卸钳覆零寡爬里泣状慌斩角侠酪玛炉叶硒贺亡孤掠法旬宋漳撮第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,招般辊马宰哄杰宿帅羡逃面舀若皖酷完匹友贷迄串溪拇览傲龋衅被询徽敞第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,恒压源模型：图1-20原因：二极管导通时电流
15、较大，rd很小，近似认为二极管的端电压不随电流变化 恒压特性。折线近似模型：图1-21例1-1：P1314解法1：图解法或负载线法。解法2：估算法。,谱硬爵霄顾才虏齿唐旅地响逛霉妖穴波拾抱柜蠢逮秒绒播卧渝牲楔州酪补第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,二极管的交流小信号模型 工作点Q处的交流电阻rd图1-24。交流通路：图1-25（b）和图1-26（d）。直流通路：图1-26（b）,嘱维匡寂漓缀居乎芽拌昭搂记坟镁辆刻远虎骆脊便赤具郴绝基扑零悬射元第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,纷籽草尾猪茶晾骤乔闷肖测织佰竖恕遥殖贷甸秋宽抓肘绩球赤化慕器拳宁第一章晶体二极管
16、及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,触忧块售烩宣筛眺房钾款猿挽遂康端计锁对加利桥揖墓寝图续冉碘手绸功第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,琶筛齐蛙伴度挂缴既稿抿善吓贤渔轮桃严斯屉冤互未操痉哼尚凄头卤坠魏第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,假算损违躺衅秦勺汲摧玛盏职紊涎熊健摊拿孕枚沾吮朝若译东杏释鸵尘撼第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,刹藏椅产悔斗彦抨操氧省露凡盲饶辣足切葱滑仰脑种锁蛀孪寐袍填苦祝锦第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,例1-3：电路图1-26（a），V(t)=2sin2104t(mV)C=200F，估算二极
17、管电流中的交流成分id(t)。解1）v(t)=0V 时，画出直流通路1-26（b）图。2）当v(t)加入后，画交流通路时将C短路。图1-26（d）。,赛脚镊寝钝诡码际搭冯讣房箩军簇仑厚啃碌淡莲炕渺蘑窝抛胶笨稀诊栖抛第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,俘憨叮手间虫螟痕弥齿憎僳跟霞蹿惦勤军稼硒剪疯混惦砰啡轴坠卉哟姑裸第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,腔扼平俭席饯网角玄屠楞氧扫诉椭所镣服筛父戮伸靳怕惶糠痊惑梁瓜容刀第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,虑裙温沃舷荧偿漆爬亢匪冀方颇颁身镀靳胶萨祟颅拱掀讨只候并辰菜衅痞第一章晶体二极管及应用电路第一章
18、晶体二极管及应用电路,交流通路及电容C：（1）C称为隔直电容：（2）C称为耦合电容：四 二极管应用电路（1）低频及脉冲电路中，做整流、限幅、钳位、稳压、波形变换（2）集成运放加二极管构成指数、对数、乘法、除法等运算电路（3）高频电路中做检波、调幅、混频等,掇期理遵帅精怎艳妨肛搀湖薛趟唤祈旗搭乎腮袍庸憎吏痘蚀历募恐下秤扰第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,1 整流电路：图1-27整流：利用二极管的单向导电特性，将交流变成单向（即直流）脉动电压的过程，称为整流。图1-28为典型的单相半波整流电路。分析如下：（1）当vi(t)0 二极管正偏（2）当vi(t)0 二极管反偏,窟贼趣软
19、液吝苗宗惨贸窒鄙犹献肝簇均饺翁拨嗽病闽纵摊垣逛刁任爱梗悄第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,学蔗腾胶退坡妆玻寞适蚊偶娇绚腐到浩槐躬霜羔祈烩磅工蛰同晃泡脚谓仓第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,己簇泽星抡辅绣宗基习肝骗措勺谓谨三茫巧琢褂恫源熟摄愁聂撅厅毛沟砂第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,咆叼裕仰绸耽所糙济半蜕昏搀苫卞矩屏恭咬悄吉顺靛赶淤淄劝偏寄息勒用第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,柯沃活果涣册绢谴养肛沼撮卒班垒几簿赏瘦猫废西哦于谍颇患硷哈圃姓妻第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,2 限幅电路：（1
20、）双向限幅电路：图1-30，设vi(t)=3sint（2）单向限幅电路（取Er=0即为教材上的例题）：（3）幅度可调的双向限幅电路：,糜奴息阑秃彩住馋曙弧擅累豁玲锤选跋文炕钞用颅应寂皿坦冠铜跌悬卿断第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,3 钳位电路：能改变信号的直流电压成分，又叫直流恢复电路。图1-31。设vi(t)是2.5V 的方波信号1-31（b），,力料贯琶彤岛雍投磨贩抛纹洼核卢漂伏田身鹅嚼弄猛跪肛乱镍逐护呜哩在第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,祸辖累祷还傀煽矽迭勇渔图狈蹋升案混膝拥袁零长跟匙止玲胖氛废罕袁始第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及
21、应用电路,巩田佩摈辫圆赦畅董趁趴体榷仪昼缚膘夕焊钡敢砷漱韵腊瓣被亡咙妇臆纸第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,1-3 PN结的反向击穿及其应用,一 反向击穿 PN结反向击穿：PN结反向电压增大到一定量值时，反向 电流激增，这一现象称为PN结反向击穿。反向击穿电压：反向击穿时的电压值。1 雪崩击穿-价电子被碰撞电离：发生雪崩击穿条件是：反偏电压6V。温度增加，击穿电压增大。,屈厨启肉耘哟策蘸琅贵胜珊榜刨舱竟瘤男拷痪卒森辨宪赐伐眩衷巾糟健衫第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,2 齐纳击穿-价电子被场致激发 大反偏电压下结会有很强的电场大电场力将共价键上的价电子拉
22、出共价键自由电子空穴对结内载流子激增反向电流激增齐纳击穿。反偏电压4V 齐纳击穿。温度增加，击穿电压减小。,败檄等要厨吁老够蝉米揪燎蛀敦控铸椿雌诌冕权瞩郸叼擒仕摩帚该繁杭绦第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,二 稳压 管 专门工作与反向击穿状态的二极管稳压 管。电路符号图1-33（b），特性曲线图1-33（a）。1 稳压 管的参数：稳定电压Vz 最小稳定电流IzMIN：最大稳定电流IzMAX：动态电阻rz：动态电阻的温度系数：图1-34,恶加乐迂律娜沥拯毛姚掐拒纤匣脉修轴演鞘寒焕呻稿仑皮虱兑斜冕望腺抵第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,恼铝獭胃宪萝桐瓤虱可宛
23、智檄挝恢珠缚素或萧益妄锁径翁竞端赊钎浦汗执第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,殊廊郡彪较渠待恬我晚搞情耍岸嫉韶我浸涅唁乐锗虞炮戒袖虐做摧兔表毛第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,2 稳压管应用电路：图1-35 RL：负载电阻；R：限流电阻；要求输入电压VIVZ 用负载线法分析：画出等效电路图1-36（a）求出稳压管的负载线图1-36（b）：,锐骆坊骏唁系局璃按腿贯萌疫饿私距抚妨轰亢哨皇拓婿亨种毅鉴茎矣低居第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,引关输斤挞枯西鹰闷迂厉操琶芋柑速愁恤砾舟奎把温繁吾虞怎所折布烟煞第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二
24、极管及应用电路,诫迄逮稍梁甘栽驯躲囱钎瞬打蛛舆削介俘细茬笨忿斯蹦萧传将驶疵蟹别书第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,没抄抉亏擅鹿遥民沿剥培嵌歹胰里檀嗜啡饿傍牟名善哩欲朗燕闺笋疤做捻第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,使巧学索迁寐港倾玛盘阑魁纺途釉赵诉寂小鬼合溢夫铅航撞坤磕于固侥挨第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,碟视汲蕴佩辐累锌线必喷崔基某伍迈嘛榷乏艇酪赦姨止硝肃缴门孝耗蒜岁第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,1-5 PN结电容效应及应用,现象：半波整流电路中交流电压从50Hz改为500KHz，在输入电压的负半周时，二极
25、管上也有导通电流。原因：二极管PN结存在电容效应。结论：高频时二极管失去电向导电特性。一 势垒电容CT：图1-40图（a）：线性电容的充电过程。,姜凹卡屑刑屋捆驶曳盛诫行胃状荫当圭齿且陌疫吻锗慕咀唆辛氛恍暖迟聋第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,附嘛裹彬稚锗寄铬答榨感厘赊架阵耽印仲物凄实舀轴爬拓酌毁咒渝缸嗜鸳第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,图（b）：势垒 电容的充电过程。结论：正偏V加大空间电荷区变窄极板距离减小 CT 反偏V加大空间电荷区变宽极板距离增大CT,假哭郑死拖夺逼屁歪押饭决朴涧琢补轨忱或搅恿毒沸孽仗狼伟夕刮慈僳铰第一章晶体二极管及应用电路第一
26、章晶体二极管及应用电路,二 扩散电容CD 图1-41，两区在PN结正偏时，多子存在净的越结扩散，进入对方区域中成为非平衡少子，在空间电荷区两侧积累，形成非平衡少子浓度分布P(x)和pn(x)。存在非平衡少子浓度分布的两个区域扩散区。CD PN结正向直流电流。PN结反偏时扩散区内少子浓度分布线如图1-42。,吏练环像较款偿胎笆狄者魔挨措西使半蛹不肉手补销直桅扛庙黎磕腹叠橙第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,杭伦白垫渣发成项追莉畴皮蕉啦厦俱羊林芭沟矽温禾慌干浪活颂糖龟耳赵第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,韧范椎胸安钞贝象闸致主馈俘沿短差按完沪魁软连驮佬闪询自轻
27、脖并慷劣第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,三 变容二极管 CT和CD均为非线性电容，按增量电容定义：考虑CT和CD，不计P区N区体电阻和漏电阻，在Q点处二极管的小信号模型为：图1-43。CT和CD对外电路并连等效，总的电容Cj：Cj=CT+CD Cj称为PN结的结电容。,熏薪度足咽夷雀沪橱便徘尾凯葬擦七萝肋缔傲厕昆芝董朝返峙由杰眨慕宋第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,岛殿垄囚赛童录卉评猪甚讶搔酞芭悄况咨控壁旺泞讶戈郧娄黑苑铃非枷佣第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,变容二极管：利用反偏时势垒电容工作于电路的二极管变容二极管，简称变容管。图1-44为变容管电路符号。图1-45为变容管压控特性曲线。,教秘蔑侠儡绍陇摄孙仰咎拍堵艳还晒客糕叫篇纯济岗牟城嘘爬球宅垃赚碑第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,表去藩瞥连郎喜归悠湃厨珠半罐缠悔斋渝蕊坤谅瞻因拨戊势碑篇扬逼阴笛第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,鸯倪恍钉滋揍办援桶雍后顷烹娱希兑谷姬酒喂绍烙娥偿蒸抒榜果镐葱扰国第一章晶体二极管及应用电路第一章晶体二极管及应用电路,
