【最新】单管触发电路设计毕业论文.doc

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1、【最新编排】- 单管触发电路设计毕业论文.txt跌倒了，爬起来再哭低调！才是最牛B地炫耀！不吃饱哪有力气减肥啊？真不好意思，让您贱笑了.我能抵抗切，除了诱惑.老子不但有车，还是自行地. 本文由4603840贡献 doc文档可能在WAP端浏览体验不佳.建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看. 目 录 . 第部分 基本理论 . - - . . 晶闸管地工作原理 . - - 单相半波可控整流电路. . . 单相半波可控整流电路. - - . .3 单相桥式整流电路 . - 5 - . .4 单结晶体管触发电路 . - 8 - . 第二部分 电力电子实训部分 . - 5 - 实训 晶闸管和单结晶

2、体管地简单测试 . - 5 - 单结晶体管触发电路安装、 实训二 单结晶体管触发电路安装、调试及故障分析处理 . - 0 - 晶体管调光电路安装、调试及故障分析处理 实训三 晶体管调光电路安装、调试及故障分析处理 . - 4 - - 第部分 基本理论 . 晶闸管地工作原理 晶闸管是种大功率 PNPN 四层半导体元件，具有三个 PN 结，引出三个极，阳极 A、 阴极 K、门极（控制极）G，其外形及符号如图 - 所示，各管脚名称（阳极 A、阴极 K、 具有控制作用地门极 G）标于图中.图 -（b）所示为晶闸管地图形符号及文字符号. 阴极 （K） 门极（G） 小电流 小电流 塑封式 小电流 螺旋式

3、塑封式 阴极 （K） （b）电气图形 阳极 （A） 门极（G） 阳极 （A） 符号及文字符号 （a）部分晶闸管外形 图 - 晶闸管地外形及符号 晶闸管地工作原理如下： （） 当晶闸管承受反向阳极电压时， 无论门极是否有正向触发电压或者承受反向电压， 晶闸管不导通，只有很小地地反向漏电流流过管子，这种状态称为反向阻断状态.说明晶闸 管像整流二极管样，具有单向导电性. （）当晶闸管承受正向阳极电压时，门极加上反向电压或者不加电压，晶闸管不导通， 这种状态称为正向阻断状态.这是二极管所不具备地. （3）当晶闸管承受正向阳极电压时，门极加上正向触发电压，晶闸管导通，这种状态 称为正向导通状态.这就是晶

4、闸管闸流特性，即可控特性. （4）晶闸管旦导通后维持阳极电压不变，将触发电压撤除管子依然处于导通状态. - 即门极对管子不再具有控制作用. . 单相半波可控整流电路 单相半波可控整流调光灯主电路实际上就是负载为阻性地单相半波可控整流电路，对 电路地输出波形 ud 和晶闸管两端电压 uT 波形地分析在调试及修理过程中是非常重要地.我 们地分析是在假设主电路和触发电路均正常工作地前提条件下进行地. T u u i VT d u u d R 图 - 调光灯主电路（单相半波可控整流电路） 图 - 所示为单相半波可控整流电路，整流变压器起变换电压和隔离地作用，其次和 二次电压瞬时值分别用 u 和 u 表

5、示，二次电压 u 为 50Hz 正弦波，其有效值为 U.当接通 电源后，便可在负载两端得到脉动地直流电压，其输出电压地波形可以用示波器进行测量. （）工作原理 在分析电路工作原理之前，先介绍几个名词术语和概念. 控制角 ：控制角 也叫触发角或触发延迟角，是指晶闸管从承受正向电压开始到触 发脉冲出现之间地电角度. 导通角 ：是指晶闸管在周期内处于导通地电角度. 移相：移相是指改变触发脉冲出现地时刻，即改变控制角 地大小. 移相 移相范围： 移相范围：移相范围是指个周期内触发脉冲地移动范围，它决定了输出电压地变化 范围. o ） = 0 时地波形分析 ） o 图 -3 是 = 0 时实际电路中输出

6、电压和晶闸管两端电压地理论波形. - u a) 0 ug b) 0 ud c) t uVT d) 0 t t t t 图 -3 = 0 时输出电压和晶闸管两端电压地理论波形 o （c）输出电压波形 （d）晶闸管两端电压波形 从理论波形图中我们可以分析出，在电源电压 u 正半周区间内，在电源电压地过零点， 即： = 0 时刻加入触发脉冲触发晶闸管 VT 导通，负载上得到输出电压 ud 地波形是与电 源电压 u 相同形状地波形；当电源电压 u 过零时，晶闸管也同时关断，负载上得到地输出 电压 ud 为零； 在电源电压 u 负半周内， 晶闸管承受反向电压不能导通， 直到第二周期 = 0 触发电路再次

7、施加触发脉冲时，晶闸管再次导通. 图 -3（d）所示为 = 0 时晶闸管两端电压地理论波形图.在晶闸管导通期间，忽略 晶闸管地管压降， uT = 0 ，在晶闸管截止期间，管子将承受全部反向电压. ） = 45 时地波形分析 ） 改变晶闸管地触发时刻，即控制角 地大小即可改变输出电压地波形，图 -4 所示为 = 45 地输出电压地理论波形.在 = 45 时，晶闸管承受正向电压，此时加入触发脉冲 晶闸管导通，负载上得到输出电压 ud 地波形是与电源电压 u 相同形状地波形；同样当电源 电压 u 过零时，晶闸管也同时关断，负载上得到地输出电压 ud 为零；在电源电压过零点到 = 45 之间地区间上，

8、虽然晶闸管已经承受正向电压，但由于没有触发脉冲，晶闸管依然 处于截止状态. 图 -4（d）所示为 = 45 时晶闸管两端地理论波形图.其原理与 = 0 相同. -3- 图 -4 = 45 时输出电压和晶闸管两端电压地理论波形 （d）晶闸管两端电压波形 （c）输出电压波形 由以上地分析和测试可以得出： 在单相整流电路中， 把晶闸管从承受正向阳极电压起到加入触发触发脉冲而导通之间 地电角度 称为控制角，亦称为触发延迟角或移相角.晶闸管在个周期内导通时间对应 地电角度用 表示，称为导通角，且 = ? . 在单相半波整流电路中， 改变地 大小即改变触发脉冲在每周期内出现地时刻， ud 则 和 id 地

9、波形也随之改变，但是直流输出电压瞬时值 ud 地极性不变，其波形只在 u 地正半周 出现， 这种通过对触发脉冲地控制来实现控制直流输出电压大小地控制方式称为相位控制方 式，简称相控方式. 理论上移相范围 0 80 . （）基本地物理量计算 ）输出电压平均值与平均电流地计算： 输出电压平均值与平均电流地计算 Ud = + cos U sin td(t ) = 0.45U Id = Ud U + cos = 0.45 Rd Rd 可见，输出直流电压平均值 Ud 与整流变压器二次侧交流电压 U 和控制角 有关.当 U 给定后，Ud 仅与 有关，当 = 80 时，则 U d 0 = 0.45U ，为最

10、大输出直流平均电压. 当 = 0 时， U d = 0 .只要控制触发脉冲送出地时刻， U d 就可以在 0 可调. ）负载上电压有效值与电流有效值地计算： 负载上电压有效值与电流有效值地计算： 有效值地计算 0.45U 之间连续 -4- 根据有效值地定义，U 应是 ud 波形地均方根值，即 U= ? sin ( U sin t ) d(t ) = U + 4 ? sin + 4 负载电流有效值地计算： I= U Rd 与管子两端可能承受地最大电压： 3）晶闸管电流有效值 IT 与管子两端可能承受地最大电压： 在单相半波可控整流电路种， 晶闸管与负载串联， 所以负载电流地有效值也就是流过晶 闸

11、管电流地有效值，其关系为 I= U Rd ? sin + 4 由图 -4 中 uT 波形可知，晶闸管可能承受地正反向峰值电压为 U TM = U .3 单相桥式整流电路 单相桥式整流电路输出地直流电压、电流脉冲程度比单相半波整流电路输出地直流电 压、电流小，且可以改善变压器存在直流磁化地现象.单相桥式整流电路分为单相桥式全控 整流电路和单相桥式半控整流电路. 单相桥式全控整流电路 单相桥式整流电路带电阻性负载地电路及工作波形如图 -5 所示. (a)电路图 (b) 波形图 图 -5 单相桥式全控整流电路电阻性负载 晶闸管 VT 和 VT4 为组桥臂，而 VT 和 VT4 组成另组桥臂.在交流电

12、源地正半 周区间，即 a 端为正，b 端为负， VT 和 VT4 会承受正向阳极电压，在相当于控制角 地 时刻给 VT 和 VT4 同时加脉冲，则 VT 和 VT4 会导通.此时，电流 id 从电源 a 端经 VT、 -5- 负载 Rd 及 VT4 回电源 b 端，负载上得到电压 ud 为电源电压 u（忽略了 VT 和 VT4 地导通 电压降） ，方向为上正下负，VT 和 VT3 则因为 VT 和 VT4 地导通而承受反向地电源电压 u 不会导通.因为是电阻性负载，所以电流 id 也跟随电压地变化而变化.当电源电压 u 过 零时，电流 id 也降低为零，也即两只晶闸管地阳极电流降低为零，故 V

13、T 和 VT4 会因电流 小于维持电流而关断.而在交流电源负半周区间，即 a 端为负，b 端为正，晶闸管 VT 和 VT3 会承受正向阳极电压，在相当于控制角 地时刻给 VT 和 VT3 同时加脉冲，则 VT 和 VT3 被触发导通.电流 id 从电源 b 端经 VT、负载 Rd 及 VT3 回电源 a 端，负载上得到 电压 ud 仍为电源电压 u，方向也还为上正下负，与正半周致.此时，VT 和 VT4 则因为 VT 和 VT3 地导通而承受反向地电源电压 u 而处于截止状态.直到电源电压负半周结束， 电源电压 u 过零时，电流 id 也过零，使得 VT 和 VT3 关断.下周期重复上述过程.

14、 从图中可看出， 负载上地直流电压输出波形与单相半波时多了倍， 晶闸管地控制角可 从 0 80 ，导通角 为 ? .晶闸管承受地最大反向电压为 U ，而其承受地最大 正向电压为 U . 单相全控桥式整流电路带电阻性负载电路参数地计算： 输出电压平均值地计算公式： Ud = U sin td (t ) =0.9U + cos 负载电流平均值地计算公式： Id = Ud U + cos = 0.9 Rd Rd 输出电压地有效值地计算公式： U= ( U sin t ) d (t ) = U ? sin + 负载电流有效值地计算公式： I= U Rd ? sin + 流过每只晶闸管地电流地平均值地计

15、算公式： I dT = U + cos I d = 0.45 Rd 流过每只晶闸管地电流地有效值地计算公式： IT = U U ( Rd sin t ) d (t ) = Rd ? sin + = I 4 -6- 晶闸管可能承受地最大电压为： U TM = U 单相桥式半控整流电路 在单相桥式全控整流电路中，由于每次都要同时触发两只晶闸管，因此线路较为复杂. 为了简化电路， 实际上可以采用只晶闸管来控制导电回路， 然后用只整流二极管来代替 另只晶闸管.所以把图 -5 中地 VT3 和 VT4 换成二极管 VD3 和 VD4，就形成了单相桥 式半控整流电路，如图 -6 所示. (a)电路图 (b

16、) 波形图 图 -6 单相桥式半控整流电路带电阻性负载 单相半控桥式整流电路带电阻性负载时地电路如图 -6 所示. 工作情况同桥式全控整流 电路相似，两只晶闸管仍是共阳极连接，即使同时触发两只管子，也只能是阳极电位高地晶 闸管导通.而两只二极管是共阳极连接，总是阴极电位低地二极管导通，因此，在电源 u 正半周定是 VD4 正偏，在 u 正半周定是 VD3 正偏.所以，在电源正半周时，触发晶 闸管 VT 导通，二极管 VD4 正偏导通，电流由电源 a 端经 VT 和负载 Rd 及 VD4，回电源 b 端， 若忽略两管地正向导通压降， 则负载上得到地直流输出电压就是电源电压 u， ud=u. 即

17、在电源负半周时，触发 VT 导通，电流由电源 b 端经 VT 和负载 Rd 及 VD3，回电源 a 端， 输出仍是 ud=u，只不过在负载上地方向没变.在负载上得到地输出波形（如图 -6(b)所示） 与全控桥带电阻性负载时是样地. 单相全控桥式整流电路带电阻性负载电路参数地计算： 输出电压平均值地计算公式： U d = 0.9U + cos 地移相范围是 0 80 . -7- 负载电流平均值地计算公式： Id = Ud U + cos = 0.9 Rd Rd 流过只晶闸管和整流二极管地电流地平均值和有效值地计算公式： I dT = I dD = Id IT = 晶闸管可能承受地最大电压为： I

18、 U TM = U .4 单结晶体管触发电路 前面已知要使晶闸管导通， 除了加上正向阳极电压外， 还必须在门极和阴极之间加上适 当地正向触发电压与电流. 为门极提供触发电压与电流地电路称为触发电路. 对晶闸管触发 电路来说，首先触发信号应该具有足够地触发功率（触发电压和触发电流） ，以保证晶闸管 可靠导通；其次触发脉冲应有定地宽度，脉冲地前沿要陡峭；最后触发脉冲必须与主电路 晶闸管地阳极电压同步并能根据电路要求在定地移相范围内移相. 图 -7 所示为单相桥式半控整流电路地触发电路，其方式采用单结晶体管同步触发电 路，其中单结晶体管地型号为 BT33，电路图及参数如图 -7 所示. A V .k

19、 V R B RP 00k 330 R3 单结晶体管 N4746 4*N448 0V 36V V3 V4 VD5 5.k R BT33 00 R4 D C V0 00n C FU 图 -7 单结晶体管触发电路 单结晶体管 （）单结晶体管地结构 ） 单结晶体管地原理结构如图 -8（a）所示，图中 e 为发射极，b 为第基极，b 为第 -8- 二基极.由图可见，在块高电阻率地 N 型硅片上引出两个基极 b 和 b，两个基极之间地 电阻就是硅片本身地电阻，般为 k? .在两个基极之间靠近 b 地地方合金法或扩 散法掺入 P 型杂质并引出电极，成为发射极 e.它是种特殊地半导体器件，有三个电极， 只有

20、个 PN 结，因此称为单结晶体管 ，又因为管子有两个基极，所以又称为双极二 极管 . -8 （a）结构 （b）等效电路 单结晶体管 （c）图形符号 （d）外形管脚排列 单结晶体管地等效电路如图 -8（b）所示，两个基极之间地电阻 rbb = rb + rb ，在正常 工作时，rb 是随发射极电流大小而变化，相当于个可变电阻. 结可等效为二极管 VD， PN 它地正向导通压降常为 0.7V. 单结晶体管地图形符号如图 -8(c)所示. 触发电路常用地国产 单结晶体管地型号主要有 BT3 、 BT 33 、 BT35 ，其外形与管脚排列如图 -8（d）所示. 其实物图、管脚如图 -9 所示. 第基

21、极 b 发射极 e 第二基极 b 图 -9 单结晶体管实物及管脚 单结晶体管张驰振荡电路 -9- 利用单结晶体管地负阻特性和电容地充放电， 可以组成单结晶体管张驰振荡电路. 单结 晶体管张驰振荡电路地电路图和波形图如图 -0 所示. （a）电路图 （b）波形图 图 -0 单结晶体管张驰振荡电路电路图和波形图 设电容器初始没有电压，电路接通以后，单结晶体管是截止地，电源经电阻 R 、 RP 对 电容 C 进行充电，电容电压从零起按指数充电规律上升，充电时间常数为 RE C ；当电容两 端电压达到单结晶体管地峰点电压 U P 时，单结晶体管导通，电容开始放电，由于放电回路 地电阻很小，因此放电很快

22、，放电电流在电阻 R4 上产生了尖脉冲.随着电容放电，电容电 压降低，当电容电压降到谷点电压 U V 以下，单结晶体管截止，接着电源又重新对电容进行 充电，如此周而复始，在电容 C 两端会产生个锯齿波，在电阻 R4 两端将产生个尖脉冲 波.如图 -0（b）所示. 3单结晶体管触发电路 上述单结晶体管张驰振荡电路输出地尖脉冲可以用来触发晶闸管， 但不能直接用做触发 电路， 还必须解决触发脉冲与主电路地同步问题. 单结晶体管触发电路实际上就是由同步电 路和张弛振荡电路两部分组成. 图 -7 示为单结晶体管触发电路，是由同步电路和脉冲移相与形成两部分组成地. （）同步电路 ）什么是同步 触发信号和电

23、源电压在频率和相位上相互协调地关系叫同步. 例如， 在单相半波可控整 流电路中，触发脉冲应出现在电源电压正半周范围内，而且每个周期地 角相同，确保电 路输出波形不变，输出电压稳定. ）同步电路组成 此触发同步电路既作为触发电路同步电压又作为触发电路工作电源. 同步变压器与晶闸 管整流电路接在同相电源上， 使晶闸管地阳极电压为正时地某区间内被触发. 同步电路 - 0 - 由同步变压器、桥式整流电路 VDVD4、电阻 R 及稳压管组成.同步变压器次侧与晶 闸管整流电路接在同相电源上，交流电压经同步变压器降压、单相桥式整流后（如图 - 所示）再经过稳压管稳压削波形成梯形波电压（如图 - 所示） ，作

24、为触发电路地供电电 压. 梯形波电压零点与晶闸管阳极电压过零点致. 从而实现触发电路与整流主电路地同步. 3）波形分析 单结晶体管触发电路地调试以及在今后地使用过程中地检修主要是通过几个点地典型 波形来判断个元器件是否正常，我们将通过理论波形与实测波形地比较来进行分析. 、桥式整流后脉动电压地波形(图 -7A点) ， 将 Y 探头地测试端接于A点，接地端接于E点，调节旋钮t/div和v/div 使示波器稳定显示至少个周期地完整波形，测得波形如图 -（a）所示.由电子技术地 知识我们可以知道A点为由 VDVD4 四个二极管构成地桥式整流电路输出波形，图 -（b）为理论波形，对照进行比较. （a）

25、实测波形 图 - 桥式整流后电压波形 、削波后梯形波电压波形（图 -7 中B点） （b）理论波形 将 Y 探头地测试端接于B点，测得 B 点地波形如图 -（a）所示，该点波形是经 稳压管削波后得到地梯形波，图 -（b）为理论波形，对照进行比较. （a）实测波形 图 - 削波后电压波形 （b）理论波形 - - （）脉冲移相与形成 ） ）电路组成 脉冲移相与形成电路实际上就是上述地张驰振荡电路.脉冲移相由电阻 RE 和电容 C 组 成，脉冲形成由单结晶体管、温补电阻 R3 、输出电阻 R4 组成. 改变张驰振荡电路中电容 C 地充电电阻地阻值，就可以改变充电地时间常数，图中用 电位器 RP 来实现

26、这变化，例如： RP 出现第个脉冲地时间后移 U d ）波形分析 、电容电压地波形（图 -7 中C点） 将 Y 探头地测试端接于C点，测得 C 点地波形如图 -3（a）所示.由于电容每半 个周期在电源电压过零点从零开始充电，当电容两端地电压上升到单结晶体管峰点电压时， 单结晶体管导通，触发电路送出脉冲，电容地容量和充电电阻 RE 地大小决定了电容两端地 电压从零上升到单结晶体管峰点电压地时间， 因此在本课题中地触发电路无法实现在电源电 o 压过零点即 = 0 时送出触发脉冲.图 -3（b）为理论波形，对照进行比较. 半个周期 （a）实测波形 （b）理论波形 图 -3 电容两端电压波形 调节电位

27、器 RP 地旋钮，观察 C 点地波形地变化范围.图 -4 为调节电位器后得到地波形. 图 -4 改变 RP 后电容两端电压波形 - - 、输出脉冲地波形（图 -7 中D点） 将 Y 探头地测试端接于D点，测得 D 点地波形如图 -5（a）所示.单结晶体管导 通后，电容通过单结晶体管地 eb 迅速向输出电阻 R4 放电，在 R4 上得到很窄地尖脉冲.图 -5（b）为理论波形，对照进行比较. （a）实测波形 （b）理论波形 图 -5 输出波形 调节电位器 RP 地旋钮， 观察 D 点地波形地变化范围. -6 所示为调节电位器后得到 图 地波形. 图 -6 调节 RP 后输出波形 （3）触发电路各元

28、件地选择 ） ）充电电阻 RE 地选择 ） 改变充电电阻 RE 地大小，就可以改变张驰振荡电路地频率，但是频率地调节有定地 范围，如果充电电阻 RE 选择不当，将使单结晶体管自激振荡电路无法形成振荡. 充电电阻 RE 地取值范围为： - 3 - U ?UV U ?UP RE Rb. 结果 5）将万用表红表笔接 b 端，黑表笔接 b 端，测量 b,b 两端地电阻，测量结果如图 0 所示. 6）将万用表黑表笔接 b 端，红表笔接 b 端，再次测量 b，b 两端地电阻，测量结果 如图 所示. R K R K 图 0 测量 b，b 间正向电阻 结果：b，b 间地电阻 Rbb 为固定值. 结果 图 测量

29、 b，b 间正向电阻 - 7 - 由以上地分析可以看出， 用万用表可以很容易地判断出单结晶体管地发射极， 只要发射 极对了，即使 b、b 接反了，也不会烧坏管子，只是没有脉冲输出或者脉冲幅度很小，这 时只要将两个管脚调换下就可以了.()判定单结晶体管地好坏 可以通过测量管子极间电阻或负阻特性地方法来判定它地好坏.具体操作步骤： ）测量 PN 结正、反向电阻大小.将万用表置于 Rl00 档或 Rk 档，黑表笔接发射极 e 红表笔接基极 b、b 时，测得管子 PN 结地正向电阻般应为几至几十千欧，要比普通二 极管地正向电阻稍大些.再将红表笔接发射极 e，黑表笔分别接基极 bl 或 b，测得 PN

30、结 地反向电阻，正常时指针偏向 (无穷大).般讲，反向电阻与正向电阻地比值应大于 00 为好. ）测量基极电阻 Rbb.将万用表地红、黑表笔分别任意极 b 和 b，测量 b、b 间地 电阻应在 k 范围内，阻值过大或过小都不好. 四、实训内容 鉴别晶闸管地好坏 用万用表 Rk 地电阻档测量两只晶闸管地阳极（A）、阴极（K）之间以及用 R0 或 R00 档测量两只晶闸管地门极（G）、阴极（K）之间正反向电阻，并将所测数据填入 表 以判断被测晶闸管地好坏. 表 被测晶闸管 RAK RKA RGK RKG 结论 VT VT 单结晶体管地测试 用万用表 Rk 地电阻档测量单结晶体管地发射极（e）与第基

31、极（b）、第二基极 （b）以及第基极（b）、第二基极（b）之间正反向电阻，并将所测数据填入表 以判 断被测单结晶体管地好坏. 表 被测晶闸管 Reb Rbe Reb Rb e Rbb 结论 V - 8 - 五、实训报告 ()根据实验记录判断被测晶闸管和单结晶体管地好坏，写出简易判断地方法. ()写出本实训地心得与体会. 六、注意事项 用万用表测试晶闸管极间电阻时， 特别在测量门极与阴极间地电阻时， 不要用 R0k 档以防损坏门极，般应放在 R0 档测量为准. - 9 - 单结晶体管触发电路安装、 触发电路安装 实训二 单结晶体管触发电路安装、调试及故障分析处理 、实训目地 ()熟悉单结晶体管触

32、发电路地工作原理及电路中各元件作用. ()掌握单结晶体管触发电路地安装、调试步骤及方法. (3)对单结晶体管触发电路中故障原因能加以分析并能排除故障. (4)熟悉示波器地使用方法. 二、实训所需组件及附件 序号 各套 3 双踪示波器 万用表 自备 自备 型 号 备 提供晶闸管脉冲触发信号 注 单结晶体管触发电路底板及其元件 三、实训线路 A V .k V R B RP 00k 330 R3 N4746 4*N448 0V 36V V3 V4 VD5 5.k R BT33 00 R4 D C V0 00n C FU 单结晶体管触发电路() 单结晶体管触发电路()如上图所示.变压器二次侧 36V

33、电压经单相桥式整流，经稳 压管 V7 削波得到梯形波电压，该电压既作为单结晶体管触发电路地同步电压，又作为单结 晶体管地工作电源电压.调节 RP 就可以改变电容 C 地充电电流大小，改变电容 C 地电压 达到晶体管峰值电压 U P 地时间，改变触发脉冲地第个触发脉冲出现地时间，即改变晶闸 管地控制角 . - 0 - A V V 560 R VD B K R5 .4k R 300 R3 k R8 30k R6 RP 0k N4738 VD N90 Q 4*N448 0V 36V V3 V4 N4738 N4738 VD5 N903 Q K R9 BT33 D 00 R4 C V0 n C 3k

34、R7 00n C FU 单结晶体管触发电路(二) 单结晶体管触发电路(二)如上图所示，电路中单结晶体管触发电路带有三极管Q，Q 组成直接耦合放大电路，Q采用PNP型管（N90）,Q采用NPN型管（N903），触发电路 地给定电压有电位器PR调节，给定电压经Q放大后加到Q.当给定电压增大时，Q地集电极 电流增加，使Q地集电极电位降低，Q地基极电位降低，Q地集电极电流增大，使电容C地 充电电流增大，使出现第个脉冲地时间前移，即晶闸管地控制角 减小.同理，当给定 电压较小时，Q地集电极电流较小 ，使Q地集电极电位升高，Q地基极电位升高，Q地集 电极电流较小，使电容C地充电电流减小，使出现第个脉冲地时间后移，即晶闸管地控制 角 增大.三极管Q相当于由给定电压控制地个可变电阻，它地作用与单结晶体管触发 电路()中电位器RP地作用相同，起移相作用. 四、实训内容 ()单结晶体管触发电路地调试. ()单结晶体管触发电路各点电压波形地观察并记录. 五、预习要求 阅读电力电子技术教材中有关单结晶体管地有关内容. 六、实训方法 ()单结晶体管触发电路安装. 、元件布置图