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1、实验五 LN光轴特性实验一、实验目的验证LN晶体在自然状态下的单轴晶体特性和施加电压后晶体变为双轴晶体的情况一实验仪器、实验仪器如图所示，仪器由安装在光学导轨上的半导体激光器、起偏器、扩束镜、LN晶体、检偏器、白屏组成（使扩束镜紧靠LN晶体）也称线性电光效应或普一.实验原理某些晶体在外加电场中，随着电场强度E的改变，晶体的折射率会发生改变， 这种现象称为电光效应。通常将电场引起的折射率 的变化用下式表示：n = n + aE + bE 2 + （1）式中a和b为常数，n0为Eo = 0时的折射率。由一次项aE。引起折射率变化的效应，称为一次电光效应， 克尔电光效应（pokells）；由二次项引
2、起折射率变化的效应，称为二次电光效应， 也称平方电光效应或克尔效应（kerr）。由（1）式可知，一次电光效应只存在于不具有对称中心的晶体中，二次电光效应则可能存在于任何物质中，一次效应要比 二次效应显著。光在各向异性晶体中传播时，因光的传播方向不同或者是电矢量的振动方向 不同，光的折射率也不同。通常用折射率椭球来描述折射率与光的传播方向、振 动方向的关系，在主轴坐标中，折射率椭球方程为式中n，n , n为椭球三个主轴方向上的折射率，称为主折射率。如上图所示， 123当晶体上加上电场后，折射率椭球的形状、大小、方位都发生变化，椭球的方程变为：X 2V 2Z2222+yz +xz +xy = 1(
3、3)n 2n 2n 2nn 2n 2112233231312只考虑一次电光效应，上式与式(2)相应项的系数之差和电场强度的一次 方成正比。由于晶体的各向异性，电场在x、y、z各个方向上的分量对椭球方程 的各个系数的影响是不同的，我们用下列形式表示：-=Y 11 Ex +Y12 Ey +Y13 Ez11111-一 =y E +y E +y E22211广-=y E n 2n 2-3331广=y E n 241 x231广=y E n 251 x131广=y E n 261 x1231 x22 y 23 z+y 32 E +y_ E33 Z+ 丫 42E +y Ey 43 :+Y E +y E52
4、 y 53 z+y E +y E62 y 63 z上式是晶体一次电光效应的普遍表达式，式中 Y”叫做电光系数(i=1,2, 6;j=1,2,3)，共有18个，Ex、Ey、E乙是电场E在x、y、z方向上的分量。式(4) 可写成矩阵形式：n 2 n 2iii11n 2n 222211n 2n 23331n 2231Y11Y21Y31Y41Y51Y-61Y12Y22Y32Y42Y52Y61Y13Y23Y33Y43Y53Y63-1EXEyEZ(5)n 2131In122电光效应根据施加的电场方向与通光方向相对关系，可分为纵向电光效应和 横向电光效应。利用纵向电光效应的调制，叫做纵向电光调制；利用横向电
5、光效 应的调制，叫做横向电光调制。晶体的一次电光效应分为纵向电光效应和横向电 光效应两种。把加在晶体上的电场方向与光在晶体中的传播方向平行时产生的电 光效应，称为纵向电光效应，通常以KD*P类型晶体为代表。加在晶体上的电场 方向与光在晶体里传播方向垂直时产生的电光效应，称为横向电光效应 ，以 LiNbO 3晶体（简称LN晶体）为代表。在本实验中，我们只研究LN晶体的横向电光强度调制性质。我们采用对LN 晶体横向施加电场的方式来研究其电光效应。其中，晶体被加工成5X5X30mm3 的长条，光轴沿长轴通光方向，在两侧镀有导电电极，以便施加均匀的电场。通光面图2 LiNbo3晶体LN晶体是负单轴晶体
6、，即n x = ny = 0 ,广七式中n0和ne分别为晶体的寻 yze=7，e/常光和非寻常光的折射率。加上电场后折射率椭球发生畸变，对于3m类晶体，由于晶体的对称性，电光系数矩阵形式为当X轴方向加电场，光沿Z轴方向传播时，晶体由单轴晶体变为双轴晶体，0-y22y130yy221300y330-y510y5100-Y0022垂直于光轴Z方向折射率椭球截面由圆变为椭圆，此椭圆方程为:r i -.- 一 一-y Ex x2 + + y E y2 -2 E xy = 1222222 x进行主轴变换后得到:r1)-y Exx 2 + y En 22271 n 222 x7y 2 = 1考虑到n户22
7、Ex 1，经化简得到1n=n+ _n 3yx,0201n =nn 3yy，020n=nze22 x22 x当X轴方向加电场时，新折射率椭球绕Z轴转动45。图3为典型的利用LN晶体横向电光效应原理的激光强度调制器。人射光束（平行于X轴）输出光束四分之一波片“慢”轴平行于丁轴）快轴（平行于X轴）检偏器 （平行干法由）图3晶体横向电光效应原理图其中起偏器的偏振方向平行于电光晶体的X轴，检偏器的偏振方向平行于Y 轴。因此入射光经起偏器后变为振动方向平行于X轴的线偏振光，它在晶体的感应轴x和r，轴上的投影的振幅和位相均相等，设分别为exey=A cos t=A cos t0(10)或用复振幅的表示方法，
8、将位于晶体表面（z=0）的光波表示为E (0) = AxE (0) = Ay(11)所以,入射光的强度是=E ,(0)2 + E (0)2 = 2 A2(12)当光通过长为l的电光晶体后，X和Y两分量之间就产生位相差0，即(13)通过检偏器出射的光，是这两分量在Y轴上的投影之和E ) =土 (e/5 -1)y 0 V 时02 m 兀调制器的工作点虽然选定在线性工作区的中心，但不满足小信号调制的要求，(21)式不能写成公式(22)的形式，此时的透射率函数(21)应展开成贝赛尔函数，即由(21)式兀 1 + sin V sin otV mknvmVk Jsin ot 一 J3sin5st +(23
9、)由(23)式可以看出，输出的光束除包含交流的基波外，还含有奇次谐波。此时，调制信号的幅度较大奇次谐波不能忽略。因此，这时虽然工作点选定在线性区，输出波形仍然失真。把V = 0代入(15)式T = sin 2兀V sin otk 2Vm j兀E sin ot k V J一JG - cos 2ot)1 - cos1 nV W4k匕)Vk Vn Jsin2 血(24)即T x cos2ot。从(24)式可以看出，输出光是调制信号频率的二倍，即产生“倍、九B频”失真。若把V0 =匕代入(20)式，经类似的推导，可得G - cos2st)(25)Sv V即T x coso t 倍频”失真。这时看到的仍
10、是“倍频”失真的波形。5.直流偏压V0在零伏附近或在V兀附近变化时，由于工作点不在线性工作区，输出波形将分别出现上下失真。综上所述，电光调制是利用晶体的双折射现象，将入射的线偏振光分解成o 光和e光，利用晶体的电光效应有电信号改变晶体的折射率，从而控制两个振动 分量形成的像差8，在利用光的相干原理两束光叠加，从而实现光强度的调制。四.实验步骤1. LN光轴特性实验实验的第一步，我们先来验证LN晶体在自然状态下的单轴晶体特性和施加电压 后晶体变为双轴晶体的情况。为此，我们采用会聚偏振光的干涉图像来直观地对 其进行观察。实验步骤如下：一、将半导体激光器、起偏器、扩束镜、LN晶体、检偏器、白屏依次摆
11、放，使 扩束镜紧靠LN晶体二、分别接连好半导体激光器电源（在激光功率指示计后面板上）和晶体驱动电 源（千万不可插错位）将驱动电压旋钮逆时针旋至最低。三、打开激光功率指示计电源，激光器亮。调整激光器的方向和各附件的高低， 使各光学元件尽量同轴且与光束垂直，旋转起偏器，使透过起偏器的光尽量强一 些（因半导体激光器的输出光为部分偏振光）四、观察白屏上的图案并转动检偏器观察图案的变化，应可观察到由十字亮线或 暗线和环形线组成的图案。这种图案是典型的会聚偏振光穿过单轴晶体后形成的 干涉图案，如图6所示。五、旋转起偏器和检偏器，使其两个相互平行，此时所出现的单轴锥光图与偏振 片垂直时是互补的。如图7所示六、打开晶体驱动电源，将状态开关打在直流状态，顺时针旋转电压调整旋钮， 调高驱动电压，观察白屏上图案的变化。将会观察到图案由一个中心分裂为两个 心，这是典型的会聚偏振光经过双轴晶体时的干涉图案。如图8所示。图6图7图8在以上实验中，我们观察到了在电场作用下LN晶体由一个单轴晶体变化为 双轴晶体的过程。
