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1、第五节、电子的准经典运动,一、准经典近似和波包1、电子遵守测不准关系：xp，即xk1。电子的坐标与动量（波矢）不可能同时精确确定。2、在不违背测不准关系前提下，放宽对坐标及动量的精度的要求，就能同时指明电子的坐标与动量（波矢），从而用经典方法描述。电子如果被定域在一个元胞大小（晶格常数a）的范围内，则k1/a，即波矢的不准确度与布里渊区大小差不多，波矢完全不确定。当电子在外场作用下运动时，如果电子坐标的不准确度x比外场发生明显变化的空间尺度 小得多，又比元胞的尺度大得多，就可以满足测量的要求。ax,即k1/x1/a,这时波矢（动量）的不准确度比布里渊区的尺度小得多，从而波矢k的精度也得到满足从
2、宏观角度来说，满足上述关系的电子处在某一“点”，或者说电子是定域在这个点的。,3、波包波包（波群）：局限在空间一定范围之内的波。波包由一系列布洛赫波组成。只有在波包所在之处，波函数才不为零。波包中心位置就是电子所在位置。可用波包的运动代替电子的运动。从微观的角度看，电子不是定域的。4、准经典近似一般外加电磁场或温度梯度随位置变化缓慢，把电子看作经典粒子，即把外场按经典处理（宏观的）晶格周期势场的变化周期与元胞大小同一数量级，晶格周期势不按经典处理（微观的）。用部分的经典极限处理晶体中电子运动问题的方法称为准经典近似或半经典近似。,二、电子的速度按照准经典近似，电子的速度可用波包的运动速度（群速
3、度）表示 电子的群速度总是与k空间的等能面垂直三、外力作用下电子状态的变化加速度与有效质量1、准动量当有外加电磁场时，晶体电子受到外力的作用，能量发生变化：dE=Fvdt单位时间内能量增量dE/dt=Fv=F(1/)(dE/dK)又dE/dt=(dE/dK)（dK/dt)对比上面两式，得到：F=（dK/dt）=d(k)/dt此式与自由粒子的牛顿第二定律F=dP/dt形式上相当。,2、加速度晶体电子的加速度3、有效质量m*称为有效质量。在一维情况下它是标量倒有效质量张量在三维情况下，加速度与牛顿方程a=F/M比较，则,其分量表示为 这九个元素只有i=j的三个元素不为零，即有效质量m*与自由电子的
4、惯性质量m的区别（1）一般情况下有效质量是张量。当 时，有效质量是标量。晶体电子的加速度一般与外力方向不同。（2）有效质量不是一个常数，而是波矢k的函数。m*可以大于m，可以小于m，甚至可以是负值。能带底和能带顶为E（K）函数的极小和极大，分别具有正值和负值的二级微商。因此，在能带底附近，有效质量m*0；在能带顶附近，m*0。,产生上述区别的原因晶体中的电子不仅受到外力F的作用，而且受到晶格场力Fl的作用，电子的运动方程,第六节、导体、绝缘体和半导体,一、满带对电导无贡献1、满带如果一个能带内的全部状态均为电子所填充，则称之为满带；如果一个能带未被电子填满，则称之为不满的带。根据能带结构，并计
5、及电子的自旋，每个子能带内包含有2N个电子态。即每个子能带可填充2N个电子。硅的价带有2N4=8N个电子态，有8N个价电子，基态时正好填满价带，因而价带的四个子能带都是满带。2、满带电子对电流的贡献没有外电场时（1）能带具有反演对称性：E（K）=E（-K）一个完全填满电子的能带，电子在 k空间具有中心对称性。即一个电子处于k态，能量为E（K），则必有另一个与其能量相同的E（-K）=E（K）电子处于-k态。,（2）当不存在外电场时，尽管每一个电子都带有一定的电流-ev，但是k态和-k态的电子电流-ev（k）和-ev（-k）正好一对对相互抵消，所以没有宏观电流。电场不为零时（1）对于填满的能带 由
6、k(r)=k+Gh(r)知，从一端离开第一布里渊区的电子，相当于从另一端进入该区。从总的效果看，电子的分布没有发生变化，总电流为零（2）对于未填满的能带 在外场作用下，电子在布里渊区内不再是对称分布，因而产生净电流3、满带对电导没有贡献，只有未完全填满电子的能带才对电导有贡献。,二、空穴1、近满带近满带：只有能带顶附近少量的状态未被电子占据的能带。由于某种原因，满带中的一个电子激发到空带，满带成为近满带2、近满带电流近满带电流公式 Ke态上的一个电子对电流的贡献是-ev（ke）假设在空态Ke放上一个电子，使近满带成为满带，则总电流为零：状态Ke空着的近满带产生的电流等效于一个带正电荷e、速度与
7、Ke态电子速度相同的假想粒子产生的电流。,电磁场作用下的近满带电流近满带电流对时间求导：作用于ke态电子上 的力空状态往往在能带顶部附近，电子有效质量me*0，于是 在外加电磁场作用下，近满带电流随时间变化的规律，与带正电荷e、具有正有效质量mh*的粒子在外加电磁场中引起的电流变化规律相同。3、空穴：能代替整个近满带电子系统的假想粒子4、空穴的性质：具有正电荷+e、正有效质量mh*，速度与空状态电子速度相同5、载流子：电子和空穴,三、导体、绝缘体和半导体1、导体 在0k时，系统处于基态。电子按照能量由低到高的顺序填充能带中的状态。如果最后填充的能带是不满的，则它必然导电，因而是导体。碱金属 N
8、个原子组成的晶体，其S能带可容纳2N个电子。N个价电子填充了带的下半部，上半部N个状态是空的。碱土金属 N个原子组成的晶体，其S能带可容纳2N个电子，有2N个价电子。但S能带与其上方的P能带有交叠。,2、绝缘体和半导体价带、导带、禁带（1）对于绝缘体和半导体，电子填满一系列的能带，最上面的一个满带叫做价带。（2）价带上方的各能带全部空着。最靠近价带的空带称为导带。（3）在价带与导带之间存在禁带（能隙）Eg。因而在基态，绝缘体和半导体都不导电。只有初基元胞中含有偶数个电子的固体，能带才可能不是全满就是全空的，从而才可能是绝缘体或半导体。反过来不一定正确。即初基元胞含有偶数个电子的固体可能是导体。从能带论的角度看，绝缘体和半导体的差别仅在于禁带宽度Eg的大小不同，二者之间没有严格的界限。（1）绝缘体的禁带宽度较大，一般在3ev以下（2）半导体的禁带宽度较小，一般在2ev以下,3、半金属导带底与价带顶有少量交叠或者有相同的能量。在导带中存在一定数量的电子，在价带中存在一定数量的空穴4、导体、绝缘体、半导体及半金属的简化能带图,
