单晶硅制备-直拉法

第九章 单晶硅的制备,主要内容:结晶学基础区熔法晶体提拉法主要工艺和设备杂质的污染和分布磁拉法连续加料法。,9.1 单晶硅基础知识1晶体的熔化与凝固晶体在缓慢加热和冷却过程中,有个温度平台,有固定的结晶熔化温度,但非晶体没有。硅的熔点:14,摘要单晶硅可以用于二极管级,整流器件级,电路级以及太阳能电

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1、第九章 单晶硅的制备,主要内容:结晶学基础区熔法晶体提拉法主要工艺和设备杂质的污染和分布磁拉法连续加料法。,9.1 单晶硅基础知识1晶体的熔化与凝固晶体在缓慢加热和冷却过程中,有个温度平台,有固定的结晶熔化温度,但非晶体没有。硅的熔点:14。

2、摘要单晶硅可以用于二极管级,整流器件级,电路级以及太阳能电池级单晶产品的生产和深加工制造,其后续产品集成电路和半导体分离器件已广泛应用于各个领域,在军事电子设备中也占有重要地位,在光伏技术和微小型半导体逆变器技术飞速发展的今天,利用硅单晶所。

3、第4章 单晶硅材料,在纯净的半导体中适当地掺入一定种类的极微量的杂质,半导体的导电性能就会成百万倍的增加这是半导体最显著最突出的特性。,半导体特性,当环境温度升高一些时,半导体的导电能力就显著地增加;当环境温度下降一些时,半导体的导电能力就。

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5、直拉生长工艺,直拉法又称Cz法,目前,98,的电子元件都是用硅材料制作的,其中约85,是用直拉硅单晶制作的,直拉硅单晶由于具有较高的氧含量,机械强度比Fz硅单晶大,在制电子器件过程申不容易形变,由于它的生长是把硅熔融在石英坩埚中,而逐渐拉制。

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13、,1,第2章 半导体材料和晶圆制备,本章4学时目标:,1掺杂半导体的两种特性,2三种主要的半导体材料及其优缺点,3N型和P型半导体材料在组成电性能方面的不同,4多晶和单晶的不同,5两种重要的晶圆晶向示意图,6常见晶体生长的方法,7晶圆制备的。

14、第3章无机化合物的制备和表征,私肢亩恬寸荧劳深苹追储滔忆蛤充系掀鞋肾漆邵矫厕糕盟责生粪峭闺榜闻第3章无机化合物的制备和表征ppt课件第3章无机化合物的制备和表征ppt课件,3,1无机化合物的制备方法,无机化合物的制备不仅仅是烧杯反应,性能优。

15、第3章无机化合物的制备和表征,县恐暂凿哺翁约届畦蚤皱剁箍兽篱臀伯衫妙帚莽猿勤瑰畴窜钱咋凛截止技第3章无机化合物的制备和表征ppt课件第3章无机化合物的制备和表征ppt课件,3,1无机化合物的制备方法,无机化合物的制备不仅仅是烧杯反应,性能优。

16、摘要单晶硅可以用于二极管级,整流器件级,电路级以及太阳能电池级单晶产品的生产和深加工制造,其后续产品集成电路和半导体分离器件已广泛应用于各个领域,在军事电子设备中也占有重要地位,在光伏技术和微小型半导体逆变器技术飞速发展的今天,利用硅单晶所。

17、t课件PPT课件,1,第 十章 多晶硅薄膜,多晶硅薄膜材料:指在玻璃陶瓷廉价硅等低成本衬底上,通过化学气相沉积等技术,制备成一定厚度的多晶硅薄膜。根据多晶硅晶粒的大小,部分多晶硅薄膜又可称为微晶硅薄膜ucSi,其晶粒大小在1030nm左右或。

18、直拉生长工艺,直拉法又称Cz法,目前,98,的电子元件都是用硅材料制作的,其中约85,是用直拉硅单晶制作的,直拉硅单晶由于具有较高的氧含量,机械强度比Fz硅单晶大,在制电子器件过程申不容易形变,由于它的生长是把硅熔融在石英坩埚中,而逐渐拉制。

19、1,化学法制取单晶硅,2,化学法制取单晶硅,生产过程单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅,然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅,熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核,如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒,则这些。

20、第五章 结晶硅太阳能电池,1,本章主要内容与学习目标,本章首先介绍冶金级硅材料高纯度多晶硅单晶硅材料的制备技术,接着介绍典型晶体硅太阳能电池的结构及其制备技术。最后,将介绍晶体硅电池中采用的反射层及电极材料。通过学习本章,学生应了解以下内容。

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