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1、1,2.2.1 光敏二极管工作原理和结构,光生伏特效应(产生一定方向电动势)制成的光电元件。光敏二极管的结构与普通半导体二极管一样,都有一个PN结,两根电极引线,而且都是非线性器件,具有单向导电性能。不同之处在于光敏二极管的PN结装在管壳的顶部,可以直接受到光的照射。,2,半导体材料吸收光子能量使电子激发。若能量大于禁带宽度的光子照射在PN结空间电荷区附近,在结两边产生电子一空穴对。这些光生载流子在PN结内建电场作用下,各自向相反方向运动,即P区的电子穿过PN结进入N区,N区的空穴进入P区,形成自N区向P区的光生电流。这样的载流子运动,由于中和部分空间电荷,使内电场势垒降低,从而使正向电流增大
2、。当光生电流和正向电流相等时,PN结两端建立起稳定的电势差(P区相对于N区是正的),这就是光生电压。当入射光的强度发生变化,光生载流子的多少也相应发生变化,因而通过光敏二极管的电流也随之变化,于是在光敏二极管两端的电压也发生变化,光敏二极管就这样将光信号变为电信号。,3,图2.1 光敏二极管,处于反向偏置状态,无光照,其反向电阻很大,反向电流(暗电流)很小。有光照,PN结电子-空穴对,参与导电(反向电压作用),大得多的反向电流(光电流)。光电流与光照强度成正比。外电路接上负载,便可获得随光照强弱变化的电信号。,4,2.2.2 光敏二极管的基本特性,光谱特性伏安特性光照特性温度特性响应特性,5,
3、1.光谱特性图2.2,材料不同,其光谱响应峰值波长也不同。硅管1.1m左右,锗管1.8m,由于锗管的暗电流比硅管大,因此锗管性能较差。故在探测可见光或赤热物体时,都用硅管;但对红外光进行探测时,采用锗管较为合适。,入射光波长长时:光子能量太小,不足以激发电子-空穴对,入射光波长短时,光波穿透能力下降,在表面激发电子-空穴对,入射光射度不变;输出的光电流(或相对灵敏度)随光波波长的变化而变化。,6,2.伏安特性图2.3,光敏二极管的伏安特性的环境条件:环境照度不变。在无偏压时,光敏二极管仍有光电流输出。(光电效应性质)。,7,3.光照特性图2.4,光敏二极管的光照特性如左图所示,它描述了光敏二极
4、管的光电流与照度的关系。光敏二极管光照特性的线性好。,8,4.温度特性图2.5,温度变化对光敏二极管输出电流的影响较小,但是对暗电流的影响却十分显著,如上图所示。光敏二极管在高照度下工作时,由于亮电流比暗电流大得多,温度影响相对来说比较小。但在低照度下工作时,因为亮电流较小,暗电流随温度的变化就会严重影响输出信号的温度稳定性,因此可作如下几点考虑:选用硅光敏二极管,这是因为硅管的暗电流要比锗管小几个数量级;在电路中采取适当的温度补偿措施;将光信号进行调制,对输出的电信号采用交流放大,利用电路中隔直电容的作用,隔断暗电流。,9,5.响应特性,硅光敏二极管的上升时间tr5ns,响应速度很快,因此,
5、硅光敏二极管适合于要求快速响应或入射光调制频率较高的场合。,10,2.2.3 光敏二极管的型号参数,工作电压:无光照的条件下,暗电流不大于0.1A时所能承受的最高反向电压值。暗电流:无光照及最高反向工作电压。暗电流越小,光敏二极管的性能越稳定,检测弱光的能力越强。光电流:一定光照,最高反向工作电压。其测量的一般条件是:2856K钨丝光源,照度为10001x。光电灵敏度:对光敏感的程度,用在每微瓦的入射光能量下所产生的光电流。响应时间:光信号转化为电信号所需要的时间。响应时间越短,二极管的工作频率越高。结电容Cj:指光敏二极管PN结的电容。Cj是影响光电响应速度的主要因索。结面积越小,结电容Cj
6、也就越小,则工作频率越高。,11,表2.2 2DU型光敏二极管的型号参数,正向压降:一定的正向电流时,它两端产生的压降。表中的光敏二极管主要用于可见光和近红外光探测器,以及光电转换的自动控制仪器、触发器、光电耦合、编码器、特性识别、过程控制和激光接收等方面。,12,2.2.4 光敏二极管的应用,1.光电路灯控制电路2.光强测量电路3.照度计,13,1.光电路灯控制电路-图2.6,从图可知,在无光射时,光敏二极管(反向)截止,电阻R1上的压降VA很小,则晶体管T1截止,T2截止,继电器J不动作,路灯保持亮。有光照射时,光敏管产生光电流IL,R1电压下降,VA上升,光强达到某一值时T1导通,T2导
7、通,J动作常闭端打开,使路灯灭。即白天灯灭,晚上灯亮,起到了自动控制的作用。,14,2.光强测量电路-图2.7,图由稳压管、光敏二极管和电桥组成的测量电路。无光照时,VA很大,FET导通,调整RW,使电桥平衡,即指针为0。有光照时,光敏管产生IL,A点电位VA下降,R2上电流下降,VB减小;光照不同,IL不同,VA不同,R2上压降不同,光强可以通过电流计读数显示出来。,15,3.照度计-图2.8便携式照度计电路,便携式照度计电路如图2.8所示。其中,光电传感器TFA1001W是将光敏二极管与放大器Rf集成在一起,使输出为线性,灵敏度为5A/lx。此电路采用9V电池供电,接200负载电阻,可获得的输出电压为15,S1TFA1001W光电集成传感器灵敏度;光照灵敏度。,