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,PN结的形成,N,P,图01.01.08 PN结的形成,HIT基础电子技术电子教案-PN结 2006.06,N,P,图01.01.08 PN结的形成,HIT基础电子技术电子教案-PN结 2006.06,N,P,图01.01.08 PN结的形成,HIT基础电子技术电子教案-PN结 2006.06,以上在N型半导体和P型半导体结合面上形成的物理过程过程概括如下：,因浓度差 多子的扩散运动由杂质离子形成空间电荷区, 空间电荷区形成内电场, 内电场促使少子漂移, 内电场阻止多子扩散,扩散电流,漂移电流,HIT基础电子技术电子教案-PN结 2006.06,PN加正向电压时的导电情况,IF,图01.01.11 PN结加正向电压,R,E,HIT基础电子技术电子教案-PN结 2006.06,PN结加反向电压时的导电情况,图01.01.12 PN结加反向电压,R,E,IS,HIT基础电子技术电子教案-PN结 2006.06,图 01.01.13 势垒电容示意图,势垒电容CB,反向区,HIT基础电子技术电子教案-PN结 2006.06,扩散电容CD,图 01.01.14 扩散电容示意图,HIT基础电子技术电子教案-PN结 2006.06,
