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2、名称 配方 工作温度 作用 1 SPM清洗 H2SO4:H2O2=4:1 110C-130C 去除光阻、颗粒及金属离子 2 SC-1清洗 NH4OH:H2O2:H2O=1:1:5 70C-90C 去除有机污(APM)物、颗粒 及金属离子 3 SC-2清洗 HCL:H2O2:H2O=1:1:6 70C-90C 去除有机污染(HPM)物、颗粒及金属离子 4 DIO3清洗 O3:H2O 低温下 去除有机污染物、颗粒及 金属离子 5 DHF清洗 HF（1%）22 去除氧化物、金属以及深度腐蚀 6 SOM清洗 H2SO4:O3=4:1 110C-130C 去除光阻、颗粒及金属离子,硅片的腐蚀（蚀刻）,序
3、号 名称 工作温度 作用 1 BHF HF:NH4OH:H2O 22 二氧化硅蚀刻 2 BOE HF:NH4F:/1:200400 22 二氧化硅蚀刻 3 ACID Etch HNO3/CH3COOH/H2O(1:1:20)常温 铜（Cu）（用于 多晶硅的蚀刻）4 Organic acids NH4OH/H2O,H3PO4/H2O2 常温 GaAs蚀刻（用于 多晶硅的蚀刻）5 Organic acids H3PO4/HNO3/CH3COOH 160 Mo蚀刻（用于多 晶硅的蚀刻）6 Organic acids Ce(NH4)2(NO3)6/HNO3或HclO4 常温 Cr蚀刻（用于多晶 硅的蚀
4、刻）,影响清洗效果的因素,清洗液 洁净度/浓度/配比/温度 前道工序 设备材料/洁净度/环境洁净度/传递过程 其中刻蚀精度与控温精度及均匀性有关,完备的生产加工能力,钣金加工中心,机械加工中心,塑料加工中心,电器控制要求,电器元件与操作空间要隔离,不得与化学氛围相接触.且应充氮气以防腐蚀.在化学氛围中的控制需采用气动方式.在有易燃易爆化学品时,一定要选用防爆器件.,安全事项,电器部分自动控制中各功能的互锁性加热的温度保护材料的合理选择局部易燃区应用防火材料排风量的监测安全警示,生产环境要求,洁净厂房 包装运输 包装的洁净、可靠，运输平稳,化学操作台,设备型号：SDX-5825设备总体尺寸:190011001900,设备型号：SDX-5A25设备总体尺寸:270011001900,谢 谢,
