半导体湿法腐蚀学习总结.ppt

上传人:牧羊曲112 文档编号:6449028 上传时间:2023-11-01 格式:PPT 页数:12 大小:259.32KB
返回 下载 相关 举报
半导体湿法腐蚀学习总结.ppt_第1页
第1页 / 共12页
半导体湿法腐蚀学习总结.ppt_第2页
第2页 / 共12页
半导体湿法腐蚀学习总结.ppt_第3页
第3页 / 共12页
半导体湿法腐蚀学习总结.ppt_第4页
第4页 / 共12页
半导体湿法腐蚀学习总结.ppt_第5页
第5页 / 共12页
点击查看更多>>
资源描述

《半导体湿法腐蚀学习总结.ppt》由会员分享,可在线阅读,更多相关《半导体湿法腐蚀学习总结.ppt(12页珍藏版)》请在三一办公上搜索。

1、湿法腐蚀学习总结,主要内容,学习计划学习内容工艺原理及条件生产前准备生产时要求产品自检坚膜打胶小结,学习计划,学习时间:学习纲要:学习目标:全面了解湿法腐蚀相关规范及注意事项;全面了解湿法腐蚀常见异常及处理手法;提升和完善湿法腐蚀工艺稳定性;,学习内容,内容:半导体湿法腐蚀清洗工艺定义:通过化学溶液于被蚀刻物质之间的化学反应,来去除表面的原子。分类:湿法清洗、湿法刻蚀;湿法清洗:利用化学溶液结合物理方法对产品表面的杂质进行清除;湿法刻蚀:利用化学溶液的腐蚀机理对产品进行侵蚀硅片表面多余部分;基本流程:,工艺原理及条件,工艺条件及原理:,工艺原理及条件,工艺条件及原理:,生产前准备,生产前准备:

2、1.按无尘车间要求进行工作服穿戴,进入车间,并完成接班内容,穿戴好防酸手套、袖筒及防酸裙;2.使用无水乙醇清洁工作岗位台面,货架及机台表面;3.检查药槽及水槽液位是否达到要求,如不满需补满(药槽按初配比补加),检查水压是否达标,如有异常通知站长;4.配合QC完成机台Particle量测,量测合格开始准备生产;5.坚膜、打胶工序每日早班需量测打胶速率是否达标,如不达标则及时通知工艺;6.BOE、Al腐蚀及PAD腐蚀工序每周一、五需测量腐蚀速率是否达标,如有异常及时通知工艺;7.生产前需对产品进行试片,试片OK后方可生产;各项指标要求:Particle指标:0.3mPadic变化小于30;打胶速率

3、:使用512光刻胶,坚膜50min,打胶5min,胶厚变化50-120A/分钟;BOE腐蚀速率:105050A/分钟;钝化腐蚀速率:4800-6000A/分钟;,生产时要求,湿法腐蚀生产要求:1.做片前,需仔细查看流程单,按要求设定工艺条件,再次确认槽体液位及水槽是否满,待温度稳定后方可投片,坚膜超过8小时需重新坚膜打胶;2.金属前去胶工位每次生产需补加100mlH2O2,需在投片前量取好;3.BOE腐蚀工位,需先在水槽进行浸润,悬空2-3秒才可浸入药槽,以减少带入药槽的水;4.硅片浸入药槽时需DIP5-8次,DIP时不能提出液面,保证硅片与药液的完全接触后,开始计时;5.Al腐蚀工位生产时需

4、每隔15-20秒进行一次DIP,DIP要求每次需提出液面,减少硅片表面气泡粘附;6.钝化腐蚀及冲水时需将遮光帘放下,避免见光,每隔30秒缓慢DIP三次,其他工位生产时也需不时进行DIP三次,每次DIP不可露出液面;7.生产期间不可离开工位,关注计时表,计时完成前10秒需对硅片进行连续不露出液面DIP;8.计时完成后,将硅片提出液面,悬空2-3秒后,浸入水槽连续DIP5-8次,进行冲水,将提把取下浸入水槽清洗,关闭药槽槽盖,减少药液挥发;9.冲水期间关注水压情况,水压低于2kg/cm2时需及时通知站长及工艺;10.冲水完成后,将花篮拿出水槽,检查是否存在硅片插斜情况,如有需及时更正;11.硅片放

5、入旋干机时,需保证旋干机对称位置重量尽可能相近;12.生产期间需及时处理滴落在机台及台面的水渍;(建议配备PH试纸)13.记录产品生产时间、批号、数量、工艺条件及操作员信息;14.产品旋干后需对产品进行抽检,确认是否合格,如有异常通知工艺,自检完成后产品方可下走;,产品自检,产品自检要求:BOE腐蚀:1.膜厚测试:使用膜厚测试仪检测刻蚀区域氧化层厚度是否达到流程单要求;2.显微镜检测:要求图形线条清晰、腐蚀区域是纯白色、无脱胶、浮胶等,有CD要求测试CD情况;Al腐蚀:强光灯检测:要求表观无异常颜色及条纹;显微镜检测:要求刻蚀区域干净无Al残留,刻蚀区域两边线条整齐、无缺口、无毛刺,无脱胶、浮

6、胶等;PAD腐蚀:强光灯检测:要求表观无异常颜色及条纹;显微镜检测:要求刻蚀区域纯Al颜色,无脱胶、浮胶等;金属前后去胶:强光灯检测:要求表观无异常颜色及条纹;显微镜检测:硅片表面无异物;注:对产品进行随机抽检3pcs/篮;,坚膜打胶,坚膜、打胶生产要求:1.确认流程单要求,确认产品数量,设定工艺条件,开始坚膜;2.硅片放入烘箱后,关闭箱门,开始计时(注意金属前后的放置要求);3.坚膜结束,带上耐高温手套,取出硅片,静置台面降温;4.坚膜后硅片需静置10min才可打胶,确认工艺条件,设定好,将硅片手动规范插入石墨舟内,同时检查硅片表面有无异常,如有异常及时通知工艺;5.用舟插将石墨舟小心避免碰

7、撞摩擦放入腔体,关闭腔门,开始计时;6.打胶结束,取舟时也需小心避免碰撞、摩擦,将硅片转入片盒,同时检查每片硅片表面有无异常,如有异常及时通知工艺;注意事项:硅片从花篮转至舟内、从舟内转至花篮时需规范进行操作,避免吸笔、花篮边缘及舟卡槽对硅片造成划伤;,小结,在这一段时间的车间学习中,已完成了以下任务:湿法腐蚀的工艺原理及相关控制条件;湿法腐蚀工位的规范操作要求及注意事项;产品检验的规格要求;正在进行的任务:常见异常情况分析及处理;腐蚀清洗中各影响因子的对产品的影响大小;腐蚀清洗中刻蚀速率波动的根本原因;干法腐蚀工艺原理及相关控制条件;后续将要进行的任务:其它工序基本原理及相关控制要求;其它工序操作规范及注意事项;产品测试要求及可能影响因素;,Thank you for your attention!,

展开阅读全文
相关资源
猜你喜欢
相关搜索

当前位置:首页 > 生活休闲 > 在线阅读


备案号:宁ICP备20000045号-2

经营许可证:宁B2-20210002

宁公网安备 64010402000987号