半导体材料第5讲硅锗晶体中的杂质课件

1、第 1 章,半导体特性,1.1 半导体的晶格结构1.2 半导体的导电性1.3 半导体中的电子状态和能带1.4 半导体中的杂质与缺陷1.5 载流子的运动1.6 非平衡载流子1.7 习题, 半导体材料的晶格结构 电子和空穴的概念 半导体的电性能。

2、第4章硅,锗晶体中的杂质和缺陷,半导体材料中的杂质和缺陷对其性质具有重要的影响,半导体硅,锗器件的制做不仅要求硅,锗材料是具有一定晶向的单晶,而且还要求单晶具有一定的电学参数和晶体的完整性,单晶的电学参数通常是采用掺杂的方法,即在单晶生长过。

3、第 1 章,半导体特性,1.1 半导体的晶格结构1.2 半导体的导电性1.3 半导体中的电子状态和能带1.4 半导体中的杂质与缺陷1.5 载流子的运动1.6 非平衡载流子1.7 习题, 半导体材料的晶格结构 电子和空穴的概念 半导体的电性能。

4、主要内容,杂质分类,施主杂质,受主杂质,施主能级,受主能级,浅能级杂质,类氢模型估算浅能级杂质电离能,估算浅能级杂质的弱束缚载流子基态轨道半径,杂质的补偿,深能级杂质,等电子陷阱,等电子杂质,杂质的双性行为,点缺陷的种类,反结构缺陷,位错和。

5、第 1 章,半导体特性,1.1 半导体的晶格结构1.2 半导体的导电性1.3 半导体中的电子状态和能带1.4 半导体中的杂质与缺陷1.5 载流子的运动1.6 非平衡载流子1.7 习题, 半导体材料的晶格结构 电子和空穴的概念 半导体的电性能。

6、第4章 硅锗晶体中的杂质和缺陷,半导体材料中的杂质和缺陷对其性质具有重要的影响。半导体硅锗器件的制做不仅要求硅锗材料是具有一定晶向的单晶，而且还要求单晶具有一定的电学参数和晶体的完整性。 单晶的电学参数通常是采用掺杂的方法，即在单晶生长过程。

7、半导体物理学SEMICONDUCTORPHYSICS,第一章,半导体中的电子状态,半导体发展历程,半导体发展历程,半导体发展历程,半导体发展历程,半导体发展历程,半导体发展历程,半导体发展历程,半导体发展历程,本课程的内容安排以元素半导体硅。

8、1,第四章晶体中的点缺陷与线缺陷4,1热力学平衡态点缺陷一,点缺陷的类型二,热缺陷浓度计算4,2非热力学平衡态点缺陷4,3点缺陷符号与化学方程式一,点缺陷的符号,三,二,缺陷反应方程式,四,缺陷化学反应表示法,五,点缺陷的化学平衡4,5掺杂。

9、第1章,半导体特性,1,1半导体的晶格结构1,2半导体的导电性1,3半导体中的电子状态和能带1,4半导体中的杂质与缺陷1,5载流子的运动1,6非平衡载流子1,7习题,半导体材料的晶格结构电子和空穴的概念半导体的电性能和导电机理载流子的漂移运。

10、材料物理,第四章材料的电学,张小伟,西南科技大学材料科学与工程学院,材料物理,人生一世,会遇到无数的事件,会有无数的决定需要作出,成功的人总是在重要关头把命运掌握在自已的手中作决定,而那些犹柔寡断没有胆量抉择的人,往往都是失败者,选自改变一。

11、1,第四章晶体中的点缺陷与线缺陷4,1热力学平衡态点缺陷一,点缺陷的类型二,热缺陷浓度计算4,2非热力学平衡态点缺陷4,3点缺陷符号与化学方程式一,点缺陷的符号,三,二,缺陷反应方程式,四,缺陷化学反应表示法,五,点缺陷的化学平衡4,5掺杂。

12、第1章,半导体特性,1,1半导体的晶格结构1,2半导体的导电性1,3半导体中的电子状态和能带1,4半导体中的杂质与缺陷1,5载流子的运动1,6非平衡载流子1,7习题,半导体材料的晶格结构电子和空穴的概念半导体的电性能和导电机理载流子的漂移运。

13、第1章,半导体特性,1,1半导体的晶格结构1,2半导体的导电性1,3半导体中的电子状态和能带1,4半导体中的杂质与缺陷1,5载流子的运动1,6非平衡载流子1,7习题,半导体材料的晶格结构电子和空穴的概念半导体的电性能和导电机理载流子的漂移运。

14、第四章晶体缺陷,本章主要内容,1,教学内容,点缺陷,面缺陷,体缺陷的产生及扩散,2,基本要求,掌握点缺陷,位错,面缺陷与体缺陷,缺陷的扩散等,第四章晶体缺陷,完美晶体组成晶体的所有原子或离子都排列在晶格中,没有晶格空位,也没有间隙原子或离子。

15、第 1 章,半导体特性,1.1 半导体的晶格结构1.2 半导体的导电性1.3 半导体中的电子状态和能带1.4 半导体中的杂质与缺陷1.5 载流子的运动1.6 非平衡载流子1.7 习题, 半导体材料的晶格结构 电子和空穴的概念 半导体的电性能。

16、第4章 硅锗晶体中的杂质和缺陷,半导体材料中的杂质和缺陷对其性质具有重要的影响。半导体硅锗器件的制做不仅要求硅锗材料是具有一定晶向的单晶，而且还要求单晶具有一定的电学参数和晶体的完整性。 单晶的电学参数通常是采用掺杂的方法，即在单晶生长过程。

17、直拉单晶硅中的杂质,主讲,张培明,杂质分凝由两种或两种以上元素构成的固溶体,在高温熔化后,随着温度的降低将重新结晶,形成固溶体,杂质在固体和熔体中的浓度是不同的,在结晶的过程中会发生偏析,称为分凝现象,实际晶体生长时,不可能达到平衡状态,也。

18、第四章晶体缺陷,本章主要内容,1,教学内容,点缺陷,面缺陷,体缺陷的产生及扩散,2,基本要求,掌握点缺陷,位错,面缺陷与体缺陷,缺陷的扩散等,第四章晶体缺陷,完美晶体组成晶体的所有原子或离子都排列在晶格中,没有晶格空位,也没有间隙原子或离子。

19、第4章硅,锗晶体中的杂质和缺陷,单晶的电学参数通常是采用掺杂的方法,即在单晶生长过程中加入一定量的杂质,并控制它们在晶体中的分布来解决,本章结合硅,锗单晶生长的实际,介绍掺杂技术,然后介绍硅,锗单晶中缺陷的问题,理想半导体,1,原子严格周期。

20、第五章 固体中的点缺陷,51 缺陷的分类52 缺陷的表示符号53 本征缺陷54 杂质缺陷55 电子和空穴56 点缺陷的局域能级57 缺陷的缔合,1,精选PPT,第五章 固体中的点缺陷51 缺陷的分类1精选PPT,理想的完善晶体：由等同的原子。